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LM5112-Q1 小型 7A MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)器

數(shù)據(jù):

描述

LM5112器件MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器采用纖巧的6引腳WSON封裝(SOT-23等效封裝)或8引腳提供高峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流裸露焊盤(pán)MSOP封裝,具有高頻工作所需的更高功耗。復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)包括并聯(lián)工作的MOS和雙極晶體管,它們共同從容性負(fù)載吸收超過(guò)7 A的峰值。結(jié)合MOS和雙極器件的獨(dú)特特性,可降低驅(qū)動(dòng)電流隨電壓和溫度的變化。提供欠壓鎖定保護(hù),以防止由于柵極開(kāi)路電壓不足而損壞MOSFET。 LM5112器件提供反相和同相輸入,以滿足單器件類型的反相和同相柵極驅(qū)動(dòng)要求。

特性

  • LM5112-Q1符合汽車(chē)應(yīng)用要求
  • AEC-Q100 1級(jí)合格
  • 制造關(guān)于汽車(chē)級(jí)流量
  • 復(fù)合CMOS和雙極性輸出降低輸出電流變化
  • 7-A漏極和3A源電流
  • 快速傳播時(shí)間:25 ns(典型值)
  • 快速上升和下降時(shí)間:14 ns或12 ns
    上升或下降,2 nF負(fù)載
  • 反相和同相輸入提供任一配置單個(gè)器件
  • 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
  • 專用輸入接地(IN_REF)用于
    分離電源或單電源供電
  • 電源增強(qiáng)型6引腳WSON封裝
    (3 mm×3 mm)或熱增強(qiáng)型MSOP-PowerPAD封裝
  • 輸出擺幅從V CC 到V EE 哪個(gè)相對(duì)于輸入接地是負(fù)的

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?低側(cè)驅(qū)動(dòng)器

?
Number of Channels (#)
Power Switch
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Channel Input Logic
Input Negative Voltage (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
LM5112-Q1 LM5110 LM5111 LM5112
1 ? ? 2 ? ? 2 ? ? 1 ? ?
MOSFET ? ? MOSFET ? ? MOSFET ? ? MOSFET ? ?
7 ? ? 5 ? ? 5 ? ? 7 ? ?
3.5 ? ? 3.5 ? ? 3.5 ? ? 3.5 ? ?
14 ? ? 14 ? ? 14 ? ? 14 ? ?
14 ? ? 14 ? ? 14 ? ? 14 ? ?
12 ? ? 12 ? ? 12 ? ? 12 ? ?
25 ? ? 25 ? ? 25 ? ? 25 ? ?
TTL ? ? TTL ? ? TTL ? ? TTL ? ?
Inverting
Non-Inverting ? ?
Inverting
Non-Inverting
Combination ? ?
Inverting
Non-Inverting
Combination ? ?
Inverting
Non-Inverting ? ?
0 ? ? 0 ? ? 0 ? ? 0 ? ?
Negative Output Voltage Capability ? ? Negative Output Voltage Capability ? ? UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A ? ? Negative Output Voltage Capability ? ?
Automotive ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? Catalog ? ?
-40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ?
WSON ? ? SOIC
WSON ? ?
MSOP-PowerPAD
SOIC ? ?
MSOP-PowerPAD
WSON ? ?

方框圖 (3)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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