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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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國(guó)產(chǎn)碳化硅功率模塊升級(jí)APF有源濾波器
BASiC Semiconductor(基本股份)作為APF有源濾波器行業(yè)產(chǎn)品升級(jí)首選的國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊供應(yīng)商,傾佳電子楊茜從技術(shù)、市場(chǎng)、供...
歐盟提出力爭(zhēng)在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說,要在7年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢(shì),全世界都在探索如何利用...
電動(dòng)汽車或成為碳化硅器件最大的應(yīng)用市場(chǎng)
數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)到2027年,汽車市場(chǎng)導(dǎo)電型碳化硅功率器件規(guī)模達(dá)49.86億美元,占比79.2%,能源、工業(yè)和交通應(yīng)用市場(chǎng)占比分別降至7.3%,8.7%和...
2023-06-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 375 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對(duì)超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢(shì)分析及2025年對(duì)電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...
逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲(chǔ)能PCS多維度痛點(diǎn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 一、效率提升:高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性 低導(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì) BMF240R...
從國(guó)產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌
近期,多家客戶接連發(fā)生國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問題,嚴(yán)重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程,從...
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 363 0
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn),在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 362 0
國(guó)內(nèi)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功,并通過太空驗(yàn)證!
功率器件被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)“心臟”,是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心,也是國(guó)計(jì)民生領(lǐng)域最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的元器件之一,其核心技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新發(fā)展備受關(guān)注。 ...
在環(huán)境問題、國(guó)家法規(guī)和消費(fèi)者壓力的推動(dòng)下,全球汽車電氣化競(jìng)賽正在進(jìn)行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,一直是電動(dòng)汽車(EV)的技術(shù)加速器,因?yàn)樗?..
中國(guó)電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將邁向550億美元新高度
半導(dǎo)體利用 SiC 來減少能量損失并延長(zhǎng)太陽(yáng)能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC(碳化硅)由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。
2024-03-22 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 358 0
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商?hào)叛蹩煽啃晕C(jī)與破局分析
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC(車載充電機(jī))等領(lǐng)域出現(xiàn)柵氧可靠性問題后,行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。面對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠家柵氧可靠...
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 65...
建多條產(chǎn)線意為國(guó)產(chǎn)SiC補(bǔ)缺口
2022年我們主要聚焦于碳化硅長(zhǎng)晶熱場(chǎng)材料和多孔石墨材料的開發(fā)。在針對(duì)不同類型長(zhǎng)晶爐的保溫需求方面做了各自適配的固化氈產(chǎn)品。
零碳時(shí)代,碳化硅器件的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
5月25日,由行家說舉辦的汽車與光儲(chǔ)充SiC應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)在上海成功舉辦,英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)經(jīng)理張明丹應(yīng)邀參加了大會(huì)主題演講。
2023-06-06 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 354 0
據(jù)柏松介紹,中國(guó)電子科技集團(tuán)2021年已經(jīng)量產(chǎn)車載充電器用的碳化硅功率器件,2022年第二代產(chǎn)品的裝車量超過100萬(wàn)臺(tái)。
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)
在橋式電路中,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢(shì),但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
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