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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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晶圓代工龍頭中芯國際在未來5至7年內(nèi)將有約34萬片晶圓產(chǎn)能的12英寸生產(chǎn)線建設項目,其中包括深圳、北京、上海等地項目。
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案
SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管...
只能靠版圖微調(diào)與營銷話術(shù)的國產(chǎn)碳化硅MOSFET設計公司被掃入歷史塵埃
國產(chǎn)碳化硅MOSFET設計公司當前面臨的困境,本質(zhì)上是技術(shù)路徑依賴與底層工藝能力缺失的必然結(jié)果。其“無言之痛”不僅體現(xiàn)在市場競爭力的喪失,更折射出中國半...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預計持續(xù)到2028年
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當前正處于技術(shù)追趕、市場調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段,其亂象的陣痛期預計將持續(xù)3年左右,行業(yè)出清需到2028年前后完成。
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
碳化硅(SiC)功率模塊方案對工商業(yè)儲能變流器PCS市場格局的重構(gòu)
碳化硅(SiC)模塊方案(如BMF240R12E2G3)對工商業(yè)儲能變流器PCS市場格局產(chǎn)生顛覆性的重構(gòu): 2025年, SiC模塊方案(如BMF240...
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級 在“雙碳”目標的驅(qū)動下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(Si...
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導...
碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機中的應用技術(shù)優(yōu)勢
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
隨著全球新能源汽車市場增速放緩,SiC碳化硅模塊的應用重心正從汽車領(lǐng)域轉(zhuǎn)向工業(yè)市場
隨著全球新能源汽車市場增速放緩,SiC碳化硅模塊的應用重心正從汽車領(lǐng)域轉(zhuǎn)向工業(yè)市場。這一趨勢是技術(shù)特性、成本博弈、市場需求和政策導向共同作用的結(jié)果。這一...
低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”
低質(zhì)量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應引領(lǐng)焊機產(chǎn)業(yè)升級的SiC碳化...
選擇基本半導體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機驅(qū)動新紀元
傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢,成為理想選擇?;景雽w推出的BMF240R12E2G3與BMF008...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導體材料的研究與應用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導體材料,因...
英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)
本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會”演講稿第二部分,第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)》。英飛...
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 242 0
國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學習
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進展,但面對英飛凌等國際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢,仍需從多個維...
破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬
破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬 值此五一勞動節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...
中國電源逆變器變流器廠家徹底拋棄美系SiC碳化硅功率器件的底氣何來
中國電源逆變器及變流器廠家能夠徹底拋棄美系SiC碳化硅功率器件,其底氣源于技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈自主化、成本優(yōu)勢、政策支持及市場需求等多重因素的協(xié)同作用。以下...
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