電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車(chē)供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車(chē)降價(jià)
2024-03-13 01:17:00
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有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC403 - microBUCK SiC403 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with Programmable LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
效率，并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上，有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過(guò)去25年?！ 【拖穸兰o(jì)八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
中國(guó)企業(yè)底氣。中國(guó)企業(yè)集體在功率器件新賽道SiC產(chǎn)業(yè)鏈上發(fā)力，包括材料、器件、設(shè)備等各環(huán)節(jié)，投資相當(dāng)火熱。今年下半年，這些投資陸續(xù)開(kāi)花結(jié)果，各種好消息接踵而至。 11月24日，由中建二局承建的深圳市
2022-12-27 15:05:47
目前在做幾條生產(chǎn)線，每條線每臺(tái)PLC的IP設(shè)置都是一模一樣的，每條線各有一臺(tái)PC（labview）做監(jiān)控，每臺(tái)PC上就一個(gè)網(wǎng)口，連在每條線的交換機(jī)上，現(xiàn)在想把每條線PC的數(shù)據(jù)串起來(lái)，怎么在不增加硬件的情況下弄呢，請(qǐng)教一下各位
2017-09-14 15:32:01
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS基于車(chē)載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車(chē)載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車(chē)載DC/DC集成二合一5 車(chē)載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
如果從測(cè)試的類(lèi)型上來(lái)看，從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線測(cè)試，一個(gè)電控模塊會(huì)包含表征測(cè)試、系統(tǒng)驗(yàn)證測(cè)試、軟硬件在環(huán)測(cè)試、路測(cè)和產(chǎn)線下線測(cè)試這樣幾個(gè)不同階段。為什么儀表廠商、特別是射頻儀表的廠商會(huì)越來(lái)越多地進(jìn)入到
2019-07-18 06:16:01
在使用浩辰CAD制圖軟件繪圖過(guò)程中經(jīng)常需要將多條線合并為多段線，比如想計(jì)算房間面積，直接選房間輪廓線沒(méi)有得到結(jié)果，把輪廓線合并后，就可以清晰可見(jiàn)房間面積了。這種情況一般可以通過(guò)合并多線段的CAD
2020-01-14 14:46:08
和板卡信息丟失
2. PSoC Programmermer沒(méi)法擦除指定flash，都是整個(gè)128K擦除，例如在flash中分配一個(gè)row來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，如何保證在燒寫(xiě)images后，保留產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)呢？謝謝
2024-02-27 06:02:59
請(qǐng)教：EPM240T可以建CONST數(shù)組嗎？如果不行，可以建變量數(shù)組，會(huì)耗用芯片內(nèi)部多大資源？什么資源？比如一個(gè)8位寬度數(shù)據(jù)，建256個(gè)。 wire [7:0] xxx[255:0];會(huì)耗用多大資源？用WIRE還是用REG比較好？
2016-02-01 08:49:06
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
上半年先進(jìn)制程及成熟制程產(chǎn)能已被客戶(hù)全部預(yù)訂一空。大陸方面，中芯國(guó)際早已著手進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)；華潤(rùn)微、華虹半導(dǎo)體等廠商均表示8寸晶圓產(chǎn)線全部滿負(fù)荷運(yùn)行。ST單片機(jī)的熱門(mén)型號(hào)漲幅更是一度達(dá)到了200%，并且交
2021-07-23 07:09:00
1.請(qǐng)問(wèn)一下條件結(jié)構(gòu)怎樣多條件輸入，比如說(shuō)隨機(jī)數(shù)節(jié)點(diǎn)隨機(jī)產(chǎn)生0到1的數(shù)，當(dāng)我獲取到0.2,0.55,0.9三個(gè)數(shù)的時(shí)候，開(kāi)始執(zhí)行后面的程序。這個(gè)多條件不同步怎么實(shí)現(xiàn)的呢
2016-04-06 20:26:02
labview“繪制多條直線”控件如何實(shí)現(xiàn)同一個(gè)圖片顯示控件上可以顯示多種顏色線？（現(xiàn)在是同一圖片上同一時(shí)刻只能顯示一種顏色，下一時(shí)刻圖片上線的顏色又會(huì)全部變成另一種顏色。）想要實(shí)現(xiàn)的是新圖片某一時(shí)刻顯示的線有不同的顏色？
2018-03-27 17:06:17
“測(cè)”精準(zhǔn)數(shù)據(jù)
“數(shù)”據(jù)匯總分析
“智”能開(kāi)啟高質(zhì)生產(chǎn)
八軸智能測(cè)徑儀在高溫、高速的軋鋼產(chǎn)線中兢兢業(yè)業(yè)的檢測(cè)數(shù)據(jù)，為工作人員提供智能化服務(wù)，讓不合格品無(wú)所遁形。
1、適應(yīng)環(huán)境情況
軋材速度
2023-09-01 17:42:22
項(xiàng)目名稱(chēng)：風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā)，是一個(gè)國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
VIPER12A、VIPER22A：優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)電源管理IC特價(jià)銷(xiāo)售：BIPER12A—0.72元/PCSBIPER22A—0.77元/PCS，性能絕對(duì)可靠，完全替代ST產(chǎn)VIPER12A
2013-08-17 11:20:24
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
如圖，，這是什么問(wèn)題？？？有沒(méi)有大神能告訴我一下。。。。另外，，怎樣創(chuàng)建“繪制多條曲線”的“直線結(jié)束點(diǎn)”的輸入控件，，要自己創(chuàng)建，，有數(shù)組，怎樣生成要求的格式？xy這兩個(gè)名字怎么命名？
2014-05-07 14:59:09
分享一個(gè)不錯(cuò)的遙控模塊產(chǎn)線測(cè)試解決方案
2021-06-18 07:37:57
臺(tái)產(chǎn)鋰電保護(hù)MOS：AO8810,AO8822,D2017M,A1870,4410,4407***產(chǎn)低壓MOSFET系列：SI2301,SI2300,SI2302,SI3400,SI3401
2011-12-13 10:19:26
如何用labview在三維圖里畫(huà)多條線？
2014-11-08 12:08:54
`如何使用機(jī)器視覺(jué)識(shí)別這個(gè)零件的缺口并準(zhǔn)確定位出位置和角度信息?包括使用幾個(gè)相機(jī)如何動(dòng)作識(shí)別等等希望大家看看 給些思路`
2013-07-02 21:04:21
中低端片式電阻市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)片式電阻產(chǎn)業(yè)開(kāi)始面臨被“卡脖子”的風(fēng)險(xiǎn)。積極應(yīng)對(duì)客戶(hù)需求，成立富捷電阻事業(yè)部，產(chǎn)能250億只/月 在這種內(nèi)外交困的市場(chǎng)環(huán)境下，國(guó)產(chǎn)元器件行業(yè)紛紛加強(qiáng)布局，發(fā)展技術(shù)緊抓擴(kuò)產(chǎn)
2021-12-31 11:56:10
ZNH-MES40型 工業(yè)4.0生產(chǎn)線實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)一、概述ZNH-MES40型 工業(yè)4.0生產(chǎn)線實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)雕刻代木材料頭像的自動(dòng)化無(wú)人車(chē)間。整線無(wú)人化車(chē)間主要由模擬 MES 系統(tǒng)、總控單元、立體倉(cāng)庫(kù)
2021-07-01 08:26:56
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
`捷配產(chǎn)線智能升級(jí)!雙面板優(yōu)惠讓利如下：1㎡打樣內(nèi)優(yōu)惠50元/㎡，24小時(shí)出貨2㎡批量以上價(jià)格低至350元/㎡ 48小時(shí)極速出貨生益板材低至400元/㎡建滔板材低至380元/㎡國(guó)紀(jì)板材低至350元/㎡逾期退款，順豐包郵!下單官網(wǎng)： https://www.jiepei.com/G34`
2018-12-21 14:44:43
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
，實(shí)現(xiàn)快速自動(dòng)建庫(kù)，并且輸出多種EDA格式。與傳統(tǒng)的EDA建庫(kù)相比，智能建庫(kù)將可以大幅縮短建庫(kù)時(shí)間，全面提高效率和準(zhǔn)確率。為昕科技旨在通過(guò)新技術(shù)加速完善國(guó)產(chǎn)EDA布局，面向電子系統(tǒng)/產(chǎn)品研發(fā)全流程，提供
2022-04-06 15:10:51
6 等無(wú)線通信新技術(shù)的廣泛應(yīng)用，預(yù)計(jì)全球 2035 年需求量將達(dá)到 3125 億只，存在 1000 億供需缺口。圖：2019-2025 年全球晶振市場(chǎng)需求及產(chǎn)量來(lái)源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，西南證券圖
2022-12-23 12:11:24
無(wú)線充電藍(lán)牙測(cè)試方案（主要分研發(fā)測(cè)試 & 產(chǎn)線測(cè)試方案）
2020-07-08 16:13:10
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深?lèi)?ài)全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
目前國(guó)產(chǎn)led驅(qū)動(dòng)芯片的質(zhì)量怎么樣？有沒(méi)有使用國(guó)產(chǎn)芯片的?
2018-04-10 10:54:37
`走線或Slide 的時(shí)候顯示才這樣 相當(dāng)難看怎么弄掉那個(gè)缺口`[attach]***[/attach]
2013-03-29 09:44:37
專(zhuān)案執(zhí)行分為三個(gè)主要階段：規(guī)范和用例定義，技術(shù)開(kāi)發(fā)，原型展示研發(fā)。WINSIC4AP項(xiàng)目中的SIC技術(shù)制造SiC元件需要使用專(zhuān)用生產(chǎn)線，系因半導(dǎo)體的物理特性（摻雜劑的極低擴(kuò)散性和晶格的復(fù)雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
轉(zhuǎn)轍機(jī)缺口監(jiān)測(cè)問(wèn)題一直是鐵路信號(hào)系統(tǒng)特別是信號(hào)維修部門(mén)關(guān)注的熱點(diǎn)。隨著鐵路高速、高密度行車(chē)區(qū)段的不斷增加，為了確保行車(chē)安全，對(duì)行車(chē)道岔運(yùn)行質(zhì)量與狀態(tài)穩(wěn)定性監(jiān)測(cè)無(wú)為重要。
2020-03-30 07:48:45
`幫忙看下這個(gè)電解電容外殼上一個(gè)H型商標(biāo)是什么什么公司產(chǎn)的？`
2013-04-15 09:12:19
建圳達(dá)電纜 建圳達(dá)電纜建圳達(dá)電纜建圳達(dá)電纜澳洲扁平線-技術(shù)特性導(dǎo)體面積m㎡額定電流電氣性能暴露在空氣中A包圍在熱的絕緣內(nèi)A埋與管道中A20℃時(shí)的最 ?直流電阻 ohm
2021-11-10 19:19:41
建圳達(dá)電纜建圳達(dá)ul1007電子線建圳達(dá)ul電子線建圳達(dá)ul電子線，ul1007證書(shū)正規(guī)線材導(dǎo)體規(guī)格：UL 1007 電子線為電器設(shè)備內(nèi)部連線，在生產(chǎn)UL1007 電子線領(lǐng)域， 通用標(biāo)稱(chēng)是以AWG
2022-04-18 08:52:51
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C
2010-03-04 13:25:266541 本文介紹了適用于MPLAB工具設(shè)計(jì)的多條忠告。
2018-06-05 17:28:00
7 關(guān)鍵詞：AMOLED , 國(guó)產(chǎn)手機(jī) , 換屏 , LCD 2014-8-13 11:35:04 上傳 下載附件 (36.7 KB) AMOLED屏幕一直以來(lái)是三星最引以為傲的顯示技術(shù)，自2010
2019-01-13 20:49:01182 MT-018: 有意為之的非線性DAC
2021-03-21 03:31:307 在開(kāi)關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國(guó)外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開(kāi)始專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 6 等無(wú)線通信新技術(shù)的廣泛應(yīng)用，預(yù)計(jì)全球 2035 年需求量將達(dá)到 3125 億只，存在 1000 億供需缺口。 ? 圖：2019-2025 年全球晶振市場(chǎng)需求及產(chǎn)量 來(lái)源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，西南證券 ? 圖：不同設(shè)備需要晶振數(shù)量 來(lái)源：上海證券研究所 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，智研咨詢(xún)
2022-12-23 00:00:10781 6 等無(wú)線通信新技術(shù)的廣泛應(yīng)用，預(yù)計(jì)全球 2035 年需求量將達(dá)到 3125 億只，存在 1000 億供需缺口。 ? 圖：2019-2025 年全球晶振市場(chǎng)需求及產(chǎn)量 來(lái)源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，西南證券 ? 圖：不同設(shè)備需要晶振數(shù)量 來(lái)源：上海證券研究所 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，智研咨詢(xún)
2022-12-23 13:20:02745 自己的模板 研究 報(bào)告《 2023
國(guó)產(chǎn)sic上車(chē)關(guān)鍵年》，如需領(lǐng)取報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù) ?
SiC? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ，請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-03-11 13:15:02332 國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:551018 
市場(chǎng)空間巨大，SiC國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)加速
2023-01-13 09:07:052 2023年國(guó)產(chǎn)SiC上車(chē)
2023-10-31 23:02:000 已全部加載完成
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