壓縮機是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉(zhuǎn)動，實現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。
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電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。

圖1：電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件

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電動壓縮機需要滿足不斷增加的需求，包括低成本、更小尺寸、更少振動和噪聲、更高功率級別和更高能效。這些需求離不開壓縮機驅(qū)動電路的設(shè)計和優(yōu)秀器件的選型。
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電動壓縮機控制器功能包括：驅(qū)動電機（逆變電路：包括ASPM模塊或者分立器件搭載門極驅(qū)動，電壓/電流/溫度檢測及保護，電源轉(zhuǎn)換），與主機通訊（CAN或者LIN ,接收啟停和轉(zhuǎn)速信號，發(fā)送運行狀態(tài)和故障信號）等，安森美(onsemi)在每個電路中都有相應(yīng)的解決方案（圖1）。上一章，我們探討了安森美ASPM模塊方案在電動壓縮機上的應(yīng)用，本文主要討論SiC MOSFET 分立方案。
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圖2 電動壓縮機驅(qū)動電路控制框圖

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SiC MOSFET的優(yōu)勢
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在上一章中，我們說明了安森美ASPM功率模塊在與分立器件對比上有極大的優(yōu)勢。如果能把SiC MOSEFT放進ASPM模塊是最好的選擇。在SiC MOSEFT ASPM模塊量產(chǎn)之前，SiC MOSEFT分立器件由于其特有的優(yōu)勢，成為眾多電動壓縮機開發(fā)客戶的選擇。
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表1：SiC 與Si 器件的物理特性對比

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1. SiC MOSEFT材料的優(yōu)勢

10倍于si器件電介質(zhì)擊穿場強：更小的晶圓厚度和Rsp，更小的熱阻

3倍以上的熱導率：更小的熱阻和更快的電子傳輸速度

2倍多的電子飽和速度：更快的開關(guān)速度

更好的熱特性：更高的溫度范圍

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2.更小損耗及更高效率
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以安森美適用于800V平臺電動壓縮機應(yīng)用的最新一代IGBT AFGHL40T120RWD 和SiC MOSEFT NVHL070N120M3S 為例，根據(jù)I/V曲線來評估開通損耗， 在電流小于18A時，SiC MOSEFT的導通壓降都是小于IGBT的，而電動壓縮機在路上行駛過程中，運行電流會一直處于18A區(qū)間以內(nèi)。即使是在極限電流下運行（比如快充時，壓縮機給電池散熱），有效值接近20A，在電流的整個正弦波周期內(nèi)，SiC MOSEFT的開通損耗也不比IGBT差。
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圖3： SiC 和IGBT 開通特性對比

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開關(guān)損耗方面，SiC MOSEFT優(yōu)勢明顯，雖然規(guī)格書的測試條件有一些差異，但可以看出SiC MOSEFT的開關(guān)損耗遠小于IGBT。
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表2： SiC 和IGBT 開關(guān)特性對比

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我們使用相近電流規(guī)格的IGBT和SiC MOSEFT做了效率仿真，在最大功率下，SiC 也可以有效提高系統(tǒng)效率，尤其在高頻應(yīng)用中更加明顯。
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圖4： 電機應(yīng)用中相近規(guī)格的IGBT /SiC MOSEFT效率對比

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3. 適用于高頻應(yīng)用
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SiC MOSEFT是單極性器件，沒有拖尾電流，開關(guān)速度比IGBT快很多。這也是SiC MOSEFT比IGBT更適用于更高頻率應(yīng)用的原因。而更高的驅(qū)動頻率（比如20kHz或以上），可以有效減小電機的噪音，提高電機系統(tǒng)的響應(yīng)速度和動態(tài)抗干擾能力。另外，更高的頻率也會減少輸出電流的諧波失真，并能有效降低電機中線圈的損耗，進而提高壓縮機的整體效率。
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4. 減少死區(qū)時間
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在電機應(yīng)用中，為了使開關(guān)管工作可靠，避免由于關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，需要設(shè)置死區(qū)時間 tdead，也就是上下橋臂同時關(guān)斷時間。由于SiC MOSEFT的開關(guān)時間短，實際應(yīng)用中，可以使用更小的死區(qū)時間，以改善死區(qū)大，輸出波形失真大，驅(qū)動器輸出效率低的問題。
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SiC MOSEFT使用過程需要考慮的問題及解決辦法
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驅(qū)動電壓的選擇

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從不同驅(qū)動電壓下的I/V曲線可以看出，Rdson會隨著驅(qū)動電壓的增加而減小。這意味著，驅(qū)動電壓越高，導通損耗越小。但是芯片門極的耐壓是有限的，比如NVH4L070N120M3S的驅(qū)動Vgs電壓范圍是?10V/+22V，而在SiC MOSEFT開關(guān)過程中，Vgs也會受到高dV/dt和雜散電感的影響，疊加一些電壓毛刺，因此Vgs有必要留一定的裕量。
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圖5：不同Vgs下的I-V曲線

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2. 低閾值電壓Vth的問題
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SiC MOSEFT（尤其是平面型）具有在2V-4V范圍內(nèi)的典型閾值電壓Vth，并且隨著溫度的升高，Vth還會進一步降低。另一方面，在半橋應(yīng)用電路中，由于SiC MOSEFT開關(guān)過程的dV/dt很高，通過另一個半橋SiC MOSEFT的Cgd產(chǎn)生的電流流過驅(qū)動電阻，在Vgs上產(chǎn)生一個電壓，如果此電壓高于Vth就會有誤導通的風險，導致上下橋直通。因此在驅(qū)動上增加負電壓是有必要的。從下圖可以看出，增加負電壓還可以有效降低關(guān)斷損耗，使系統(tǒng)效率進一步提升。
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使用安森美第三代的SiC MOSEFT，我們推薦使用+18V / -3V的電源驅(qū)動。
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圖6：不同關(guān)斷電壓下的開關(guān)損耗對比

圖7： Vth-溫度特性曲線

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3.有限的短路能力
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SiC MOSEFT相對IGBT來說，Die尺寸很小，電流密度很高，發(fā)生短路時很難在極短時間內(nèi)把短路產(chǎn)生的熱量傳導出去。另外，SiC MOSFET 在電流過大的情況下不會出現(xiàn)急劇飽和行為（與IGBT不同）。短路發(fā)生時電流很容易達到額定電流額定值的 10倍以上，與IGBT 運行相比要高得多。
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因此，SiC MOSEFT的短路耐受時間相對較短，某些產(chǎn)品低于2us。快速檢測和快速關(guān)斷對于 SiC MOSEFT的可靠運行和長壽命至關(guān)重要。帶有去飽和功能（desat）的驅(qū)動芯片可以應(yīng)對這種情況。通過設(shè)置desat保護的響應(yīng)時間低于1us，可以有效的應(yīng)對電動壓縮機運行過程中可能存在的短路情況。
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SiC MOSEFT驅(qū)動芯片的選擇
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在電動壓縮機應(yīng)用中，需要應(yīng)對下橋和三路上橋的電源需求，增加負電源并不容易。針對這種情況，推薦使用自身可產(chǎn)生負壓，帶有desat保護，欠電壓保護UVLO以及過熱保護功能的專用SiC MOSEFT驅(qū)動芯片 NCV51705?；竟δ苋缦拢?br /> Source/ Sink 電流： 6A/6A
Desat保護
可調(diào)負壓輸出：-3.4V / -5V / -8V
可調(diào)欠壓保護UVLO電壓
5V參考電壓輸出（供電給其他器件，比如隔離芯片）
過熱保護
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應(yīng)用電路推薦如下（下橋可以不用隔離）
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圖8：NCV51705半橋應(yīng)用電路

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安森美的汽車級SiC MOSFET 分立器件
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安森美有豐富的SiC MOSFET 產(chǎn)品，可以覆蓋市面上所有的分立電動壓縮機方案。以下是適用于800V平臺電動壓縮機的產(chǎn)品型號。
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圖9：安森美(onsemi)部分1200V SiC產(chǎn)品（電動壓縮機）

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圖10：安森美(onsemi) SiC MOSFET 產(chǎn)品系列

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更多應(yīng)用信息請參考
https://www.onsemi.com/download/white-papers/pdf/tnd6237-d.pdf
https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/ncv51705-d.pdf
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結(jié)語
盡管SiC MOSFET在電動壓縮機應(yīng)用中存在一些挑戰(zhàn)，但通過合理的設(shè)計和技術(shù)選擇，可以有效地提高驅(qū)動頻率、降低系統(tǒng)噪聲并提高效率，最終有助于增加電動汽車的續(xù)航里程。
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