Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:31
1694 為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見(jiàn)的。
2020-08-20 11:12:141169 
在本文中，我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù)，以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
為滿(mǎn)足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
Vishay推出外形尺寸2010和2512，額定功率2W和3W的新款汽車(chē)級(jí)power metal plate檢流電阻器。
2019-05-30 17:36:53831 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達(dá)98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 汽車(chē)級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 解決方案的功率僅為其75%?！ ⌒缕骷?b class="flag-6" style="color: red">高功率密度允許設(shè)計(jì)人員升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺(tái)，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。獨(dú)一無(wú)二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實(shí)現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線(xiàn)。
2018-10-23 16:21:49
e3體積小、電壓高，可替換較大封裝的電阻和多個(gè)相似外形尺寸的器件，且不影響精度，減少元件數(shù)量，節(jié)省電路板空間，降低成本。器件經(jīng)過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，典型應(yīng)用包括汽車(chē)和工業(yè)逆變器電壓測(cè)量、電池管理
2022-03-30 13:58:54
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
在射頻和微波頻段使用的高功率電阻，大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中。為得到最好的性能，在Wilkinson功分器中使用的100歐姆隔離電阻，必須具有較小的等效電容，以便于降低
2019-08-21 07:30:12
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿(mǎn)足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
采用纖巧 QFN 封裝的 42V 高功率密度降壓型穩(wěn)壓器
2019-09-12 07:35:56
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見(jiàn)繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
驅(qū)動(dòng)器，采用基于傳感器的梯形控制。本設(shè)計(jì)采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術(shù)，將兩個(gè)采用半橋配置的 FET 集成到一個(gè) SON 5x6 封裝中，從而實(shí)現(xiàn)極高的功率密度。本設(shè)計(jì)使用兩個(gè)并聯(lián)的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過(guò)機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
，容易受厚膜膠相對(duì)較大的電阻率以及印制導(dǎo)體厚度的限制。而很多層數(shù)交疊折繞的平面銅箔繞組，可以獲得極低的電阻，它主要受限于小電流的單層設(shè)計(jì)及桶形繞組的結(jié)構(gòu)。以上就是一些關(guān)于高功率密度高頻電源變壓器的應(yīng)用方案的簡(jiǎn)單理論。
2016-01-18 10:27:02
推薦課程：張飛軟硬開(kāi)源：基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
克服了上述問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開(kāi)關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件） （薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責(zé)：1、負(fù)責(zé)采用軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計(jì)；2、負(fù)責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開(kāi)發(fā)
2017-09-06 17:28:43
LT1965 一款高功率密度1A LDO器件.該IC在滿(mǎn)負(fù)載時(shí)具有僅為300mV的低壓差電壓、1.8V 至20V的寬VIN能力和1.2V至19.5V的可調(diào)輸出，不日前由凌力爾特公司
2018-09-27 10:37:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
簡(jiǎn)介這篇文章闡述了一種被飛思卡爾使用的高功率射頻功放的熱測(cè)量方法。半導(dǎo)體器件的可靠性和器件的使用溫度有很大的關(guān)系，因此，建立使用了高功率器件的系統(tǒng)的可靠性模型，這些高功率器件的精確的溫度特性非常關(guān)鍵。
2019-06-27 07:52:25
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對(duì)稱(chēng)半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
被用于高功率、高精度的電路中。具體到低阻低TCR特性，低阻表示電阻器的電阻值相對(duì)較低，通常在幾百毫歐姆或更低。低TCR指電阻體溫度系數(shù)較低，也就是電阻值變化隨溫度變化的差異小。這些特性都對(duì)電路的精度
2023-04-18 14:45:16
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
描述TPS53355 頂部電感器降壓型降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)通過(guò)減小 X-Y PCB 面積來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度，只需 1.8W 功率損耗便可產(chǎn)生大于 86% 的效率，僅需 5 個(gè) 100uF 陶瓷輸出電容器即可
2018-12-18 15:06:52
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開(kāi)關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開(kāi)關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿(mǎn)載94.5%效率@ 90Vac，并通過(guò)CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
描述PMP10449 提供高功率密度解決方案，可以輸出高達(dá) 20A 的電流。這一功能以及超過(guò) 93% 的峰值效率使其成為通信或企業(yè)交換應(yīng)用的最佳選擇。主要特色總電源面積為 0.48 平方英寸20A
2018-08-17 07:16:02
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的作用是什么？如何實(shí)現(xiàn)高精度且高定位來(lái)控制伺服電機(jī)？
2021-10-12 13:01:01
如何去實(shí)現(xiàn)高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量？
2021-04-29 07:14:18
運(yùn)算放大器的串聯(lián)：如何同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度和高輸出功率
2021-01-06 06:54:44
如何在高功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)？這個(gè)問(wèn)題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號(hào)問(wèn)題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國(guó)的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位。所以，下文將會(huì)就這一問(wèn)題展開(kāi)
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類(lèi)更新的方形扁平無(wú)引線(xiàn)（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)，想找一個(gè)精度高的超聲傳感器來(lái)測(cè)量距離，現(xiàn)有的一個(gè)精度太低。求推薦
2018-03-13 19:27:05
怎么測(cè)量天線(xiàn)輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
如何利用雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻去優(yōu)化高電流檢測(cè)精度？
2021-05-06 09:21:34
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠(chǎng)或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池?cái)?shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
如何實(shí)現(xiàn)高精度熱電阻測(cè)量電路的設(shè)計(jì)？常用的熱電阻測(cè)量方法有哪些？恒壓分壓式三線(xiàn)制測(cè)量電路的原理是什么？提高測(cè)量精度的措施有哪些？
2021-04-13 06:08:39
請(qǐng)問(wèn)如何同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度和高輸出功率？
2021-06-17 07:14:45
描述此設(shè)計(jì)展示了采用 TPS54478 的高功率密度 3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方案。輸入電壓范圍為 3V - 6V?？傮w外形尺寸為 15.5mm x 7.8mm。
2018-07-23 09:21:10
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線(xiàn)）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
高精度高穩(wěn)定功率測(cè)量技術(shù) 在功率測(cè)試中，必須對(duì)電壓和電流進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量。特別是在電流測(cè)試中，要求分流電阻在低阻值和寬頻的條件下保持非常穩(wěn)定的電阻值。通常，如果電阻值變小，電感值就相對(duì)變大
2018-11-26 20:37:04
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲(chǔ)能元件如電感及電容，達(dá)到高效率、高功率密度的要求。為求簡(jiǎn)便，本文以下稱(chēng)之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達(dá)到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
中紅外激光功率密度探測(cè)單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測(cè)器，研制了可用于中紅外激光功率密度測(cè)量的探測(cè)單元，主要包括衰減片、探測(cè)器
2010-04-28 16:05:36
10 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 工業(yè)電源必需滿(mǎn)足一些特殊的要求，如低功耗(以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān))、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見(jiàn)的特性
2011-04-06 10:57:141267 
工業(yè)電源必需滿(mǎn)足一些特殊的要求，如低功耗（以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān)）、高功率密度（以減小空間要求）、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通電源中不常見(jiàn)的特性，如易于并
2012-10-11 20:42:571850 
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來(lái)看看
2016-03-25 13:57:2020 正弦振幅轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓谥修D(zhuǎn)母線(xiàn)架構(gòu)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了一流的效率和功率密度
2016-06-02 15:41:090 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，發(fā)布功率等級(jí)提高到1.0W，采用0612小外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip? 檢流電阻---WSKW0612
2016-09-21 17:12:411779 電阻---RCWH，電阻的功率等級(jí)達(dá)到0.33W，外形尺寸為0805。Vishay Dale RCWH系列電阻的功率密度是相同占位的標(biāo)準(zhǔn)電阻的2.5倍以上，在通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中能夠節(jié)省空間，并減少元器件數(shù)量。
2017-05-24 10:48:45983 ，功率等級(jí)達(dá)0.33W，采用0306小外形尺寸的新系列厚膜表面貼裝片式電阻---RCWK0306。Vishay Dale RCWK0306系列的功率密度是0603焊盤(pán)尺寸的標(biāo)準(zhǔn)電阻的3.3倍，可用于通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品，設(shè)計(jì)用于節(jié)省空間和減少元器件數(shù)量。
2017-06-26 09:42:341339
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 安裝尺寸的全新高功率、大電流云母柵格電阻器系列---GREM。Vishay Milwaukee GREM電阻器為設(shè)計(jì)人員，提供了相較標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼柵格設(shè)計(jì)成本更低的選擇，器件采用EDG技術(shù)在改善供電容量，重量和功率密度的同時(shí)，維持封裝尺寸不變。
2018-08-25 11:05:002953 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:004845 
中的檢流和脈沖應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員可使用單個(gè)大功率電阻，而不必并聯(lián)多個(gè)電阻產(chǎn)生電流測(cè)量誤差。由于提高了功率密度，WFM還節(jié)省電路板空間，從而可為最終消費(fèi)者提供體積更小、重量更輕的產(chǎn)品。
2019-06-09 16:47:001149 機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積，我還將演示如何與 TI 合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。
2020-11-19 15:14:0011 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519 的散熱
通過(guò)機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來(lái)定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開(kāi)關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:061906 
提高功率密度的路線(xiàn)圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46487 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法，工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59649 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠(chǎng)商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 09:08:35284 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論