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Diodes優(yōu)化互補式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

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克服了上述問題,可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動,用于驅(qū)動外部功率 MOSFET,以
2018-10-31 11:26:48

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2022-06-14 10:14:18

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圖文并茂!講解自制升降壓轉(zhuǎn)換器

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基于4開關(guān)降壓升壓轉(zhuǎn)換器的USB供電設(shè)計

。隨著這種拓撲結(jié)構(gòu)在應(yīng)用中越來越受歡迎,了解dv/dt電感導(dǎo)通問題變得越來越重要。在4開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中,dv/dt電感導(dǎo)通是由同步整流MOSFET降壓段和升壓段快速升高的漏源電壓引起的。由于
2019-07-16 06:44:27

基于LM5017的反相升降壓應(yīng)用電路

作者:Vijay Choudhary86929德州儀器如圖 1a 和 1b 所示,只需對降壓轉(zhuǎn)換器原理圖進行簡單修改,便可將同步降壓轉(zhuǎn)換器 IC 用于反相升降壓配置。反相升降壓轉(zhuǎn)換器可生成負極輸出
2018-09-19 11:29:22

多芯片集成在隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器的實現(xiàn)

大降低電壓應(yīng)力和電磁干擾(EMI),提高系統(tǒng)的可靠性。采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器被充分優(yōu)化,以在最佳能效水平達到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811,實在沒有理由再使用分立器件!請觀看FDMF8811概述視頻以了解更多關(guān)于該產(chǎn)品的優(yōu)勢。
2018-10-24 08:59:37

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2021-03-07 08:47:04

功率密度的解決方案

。什么是功率密度?對于電源管理應(yīng)用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱)輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。圖1:計算功率密度很容易,但如何定義標(biāo)稱功率和體積通常會導(dǎo)致歧義。 但
2022-11-07 06:45:10

密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局第一部分

的系統(tǒng)設(shè)計人員提出了更高的要求。 創(chuàng)新的一種重要方法是使用高密度設(shè)計。為推出占位面積更小的解決方案,電源系統(tǒng)設(shè)計人員現(xiàn)在正集中研究功率密度(一個功率轉(zhuǎn)換器電路每單位面積或體積的輸出功率)的問題。 高密度
2018-09-05 15:24:36

密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局第二部分

:25A同步降壓轉(zhuǎn)換器PCB布局和實施方案本設(shè)計的主要原則是實現(xiàn)高功率密度和低材料清單(BOM)成本。它總共占用的PCB面積為2.2cm2(0.34in2),每單位面積產(chǎn)生的有效電流密度為11.3A
2018-09-05 15:24:34

高效150W單相同步降壓轉(zhuǎn)換器小尺寸解決方案

描述PMP8000 為單相同步降壓轉(zhuǎn)換器,在輸入電壓為 12V 時提供電流為 30A 的額定輸出電壓 5V。該設(shè)計使用 LM27403 同步降壓控制和 CSD87350Q5D 電源塊 MOSFET
2018-12-20 09:35:56

高效小尺寸112W單相同步降壓轉(zhuǎn)換器

描述PMP10691 為單相同步降壓轉(zhuǎn)換器,在輸入電壓為 12V、電流為 35A 時的額定輸出值為 3.3V。該設(shè)計使用 LM27403 同步降壓控制。與 250nH 鐵氧體輸出電感搭配使用時
2018-11-12 17:09:21

高效小尺寸35W單相同步降壓轉(zhuǎn)換器包括組裝圖和BOM表

MOSFET,在與 250 nH 鐵氧體輸出電感搭配使用時,可實現(xiàn)最高效率。該設(shè)計解決方案全部采用陶瓷電容器以便裝入最小電路板面積。主要特色功率密度高自包含 - 無需借助外部電容器組件最高高度為 9.4mm小尺寸解決方案
2018-08-27 09:45:52

利用穩(wěn)壓器來實現(xiàn)正相轉(zhuǎn)負相的升降壓轉(zhuǎn)換器

利用穩(wěn)壓器來實現(xiàn)正相轉(zhuǎn)負相的升降壓轉(zhuǎn)換器.
2009-04-27 17:22:1715

互補式調(diào)光電路圖

互補式調(diào)光電路圖
2007-12-11 22:19:491925

互補式的跟隨器電路

互補式的跟隨器電路 圖4是互補式的跟隨器,電路的特點是:(1)由于兩只三極管輪流供給負
2009-05-23 12:17:163457

升降壓轉(zhuǎn)換器的LED照明驅(qū)動器設(shè)計

雖然在輸出電壓可能高于也可能低于輸入電壓時,峰值電流模式控制的非連續(xù)升降壓轉(zhuǎn)換器是LED驅(qū)動器的一個不錯選擇。但是采用這種升降壓轉(zhuǎn)換器來設(shè)計驅(qū)動器時,LED電壓的變化會改
2011-04-14 16:54:1283

麥瑞發(fā)布支持高功率密度電源設(shè)計的新型直流-直流轉(zhuǎn)換器

麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流應(yīng)用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET降壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品。
2012-02-03 09:09:12894

正弦振幅轉(zhuǎn)換器拓撲在中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)應(yīng)用中實現(xiàn)了一流的效率和功率密度

正弦振幅轉(zhuǎn)換器拓撲在中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)應(yīng)用中實現(xiàn)了一流的效率和功率密度
2016-06-02 15:41:090

利用900V MOSFET提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

意法半導(dǎo)體 (ST) 同級領(lǐng)先的900V MOSFET晶體管,提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
2017-09-21 14:45:167390

提升高能效轉(zhuǎn)換器功率密度的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管

意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管 提升高能效轉(zhuǎn)換器功率密度
2017-09-21 16:31:255915

超級接面功率MOSFET結(jié)構(gòu) 有效提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示,在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01467

DC降壓轉(zhuǎn)換器,具有業(yè)界領(lǐng)先的功率密度、性能和可靠性

的PowerSoC,而且還集成了電感。新的PowerSoC (EN6362QI)是新一代低VIN (輸入電壓)電源產(chǎn)品的第一款,其功率密度業(yè)界領(lǐng)先而且在轉(zhuǎn)換效率、輸出電壓精
2018-08-08 12:39:01395

如何改進MOSFET提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET)參數(shù),進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000

偉創(chuàng)力BMR491轉(zhuǎn)換器業(yè)界最高功率密度的數(shù)字DC/DC隔離轉(zhuǎn)換器

峰值功率,并具有高達1540W的額定連續(xù)輸出功率,因此成為了當(dāng)今市場上最高功率密度的數(shù)字DC/DC隔離轉(zhuǎn)換器
2020-12-10 11:32:011305

功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器

功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 12:38:3810

最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器功率密度

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2023-12-06 14:39:00308

探究功率密度基礎(chǔ)技術(shù)

功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。 什么是功率密度? 對于電源管理應(yīng)用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱)輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。 圖1:計算功率密度
2022-01-14 17:10:261733

實現(xiàn)更高功率密度轉(zhuǎn)換器拓撲

在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器,有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而,為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度,軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951

具有集成電感的高功率密度12V輸入12.6W降壓轉(zhuǎn)換器

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2022-09-08 14:32:500

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計

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2022-09-07 11:30:0510

功率密度12V輸入、11.8W頂部電感式降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計

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2022-09-08 09:21:580

基于WAYON維安MOSFET功率密度應(yīng)用于USB PD電源

基于WAYON維安MOSFET功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549

升壓、降壓升降壓轉(zhuǎn)換器的基本原理

多年以來,開關(guān)電源轉(zhuǎn)換已成為現(xiàn)代電子技術(shù)的支柱,橫跨包括公共事業(yè)、工業(yè)、商業(yè)以及消費市場的多個領(lǐng)域。在低功率DC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,大多數(shù)現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換都是通過三種不同類型的功率轉(zhuǎn)換器完成的:升壓、降壓升降壓轉(zhuǎn)換器。本文將研究每種轉(zhuǎn)換器的基本原理并探討實際應(yīng)用。
2023-01-06 14:23:322479

轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)-升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其1

前面已經(jīng)推導(dǎo)出了降壓轉(zhuǎn)換器和升壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)。本文將推導(dǎo)升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)。升降壓轉(zhuǎn)換器存在控制方式,不過在這里將抽取其中的2個控制方式來推導(dǎo)傳遞函數(shù)。本文是第一個。
2023-02-24 09:51:15783

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

對于電源管理應(yīng)用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱)輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49711

如何提高系統(tǒng)功率密度

功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741

功率密度200W游戲適配器TM PFC+HB LLC轉(zhuǎn)換器

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2023-07-31 15:28:514

MOSFET創(chuàng)新助力汽車電子功率密度提升

隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化,我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而,由此而來的是,增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升,這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能,成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672

互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計

互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計
2023-11-23 09:08:35284

功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中,功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277

1.5A 輸出電流高功率密度降壓/升壓轉(zhuǎn)換器TPS631000數(shù)據(jù)表

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2024-03-07 10:23:210

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