深圳市浮思特科技有限公司文章

• 基于SiC Diode模塊在焊接切割設(shè)備中的技術(shù)優(yōu)勢2024-06-04 11:55

  

  焊接切割設(shè)備通常可以通過功率模塊解決設(shè)計方案實現(xiàn)其高效、穩(wěn)定的輸出功率，從而幫助設(shè)備延長使用壽命和保持穩(wěn)定性。為了滿足高效、穩(wěn)定、耐用的焊接切割設(shè)備需求，MPRA1C65-S61SiCDiode模塊應運而生，這是一款基于碳化硅(SIC)技術(shù)的新型SICDIODE模塊。這篇文章將深入探討SICDIODE模塊的技術(shù)優(yōu)勢，以及它在焊接切割設(shè)備中的應用和性能提升。圖

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• 中國碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增，市場或?qū)⒂瓉韮r格戰(zhàn)2024-06-03 14:18

  

  從2023年起，中國碳化硅襯底行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個項目的全國落地，行業(yè)產(chǎn)能迅速擴張，達到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù)，國內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬大關(guān)，多家廠商的產(chǎn)能增長速度顯著超過市場預期。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，中國2023年的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已占據(jù)全球產(chǎn)能的42%，預計到2026年，這一比例將提升至50%左右

  主機 汽車 碳化硅 874瀏覽量

• 并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力2024-06-03 14:15

  

  功率器件(如開關(guān)、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔功率，使設(shè)備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響，并聯(lián)連接通常比其他較老的組件更簡單且不那么關(guān)鍵，碳化硅MOSFET也可以與其他同類設(shè)備并聯(lián)使用。在正常情況下，多個單元的簡單并聯(lián)連接運行良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的特殊情況下，工作條件可能變得關(guān)鍵

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• 新能源汽車再升級！我國計劃投入60億元加速全固態(tài)電池研發(fā)2024-05-31 14:00

  

  中國日報近日報道，中國政府或?qū)⑼度爰s60億元用于全固態(tài)電池的研發(fā)工作，以推動電池技術(shù)的創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。據(jù)悉，這一史無前例的項目由政府相關(guān)部委牽頭實施，寧德時代、比亞迪、一汽、上汽、衛(wèi)藍新能源和吉利等六家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)有望獲得政府的基礎(chǔ)研發(fā)支持。全固態(tài)電池作為新能源汽車領(lǐng)域的重要創(chuàng)新方向，因其高安全性、長壽命和快速充電能力而備受矚目。然而，由于原材料獲取困難、制

  全固態(tài)電池 新能源汽車 666瀏覽量

• 如何保護電子元器件以延長生命周期2024-05-31 13:59

  

  在電子電力領(lǐng)域，許多關(guān)鍵應用要求設(shè)備必須運行很長一段時間，甚至幾十年。尤其是對于航空航天、國防、能源和醫(yī)療行業(yè)方面而言，為了保持設(shè)備正常運行，必須在其整個生命周期內(nèi)持續(xù)供應組件。那么，如何保護電子元器件以延長生命周期，解決這個問題的一種方法是在生產(chǎn)結(jié)束后長期儲存半導體元件。該解決方案使您能夠在設(shè)備的整個使用壽命期間持續(xù)供應組件。01電子設(shè)備如果沒有組成它們的

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• 國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀元，芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破2024-05-30 11:24

  

  5月27日，中國半導體制造領(lǐng)域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標志著國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國產(chǎn)化階段。此項目總投資高達9.61億元，預計全面投產(chǎn)后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國的半導體產(chǎn)業(yè)注入強勁動力。來源：芯聯(lián)集成在全球半導體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨特的

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• 碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較2024-05-30 11:23

  

  過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場效應晶體管(JFET)以及現(xiàn)在的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關(guān)性能中，制造商通常需要在柵極驅(qū)動復雜性和所需性能之間進行權(quán)衡

  SiC 功率器件 碳化硅 1562瀏覽量

• 英飛凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，滿足AI服務器需求2024-05-29 11:36

  

  隨著人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展，AI處理器對功率的需求呈現(xiàn)出顯著增長態(tài)勢。為了應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)的開發(fā)范圍擴展至400V領(lǐng)域，并推出了全新的CoolSiC™400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時保持了服務器機架規(guī)

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• 單片機選型的原則與建議2024-05-29 11:35

  

  選擇一個不適合的單片機，可能會導致項目成本的增加，開發(fā)周期的延長，甚至是項目失敗。今天這篇文章將帶你探索選擇單片機的原則，幫助你在這個充滿挑戰(zhàn)和機遇的領(lǐng)域中做出明智的決策。

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• 功率半導體市場迎飛躍，預測2035年市場規(guī)模將增4.7倍2024-05-28 10:53

  

  近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟發(fā)布了一份備受關(guān)注的行業(yè)研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢》。該報告深入分析了功率半導體市場的發(fā)展趨勢，并預測2024年功率半導體市場將比上年增長23.4%，市場規(guī)模將達到2813億日元。預計到2035年，這一市場規(guī)模將進一步擴大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報告指出，功率半導體市場的增長主要得

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