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浮思特 | MOSFET技術(shù)發(fā)展掀起汽車電力電子行業(yè)的新潮流2024-11-04 11:51
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固態(tài)電池技術(shù)能否為電動汽車帶來更安全、更持久的未來?2024-11-01 11:03
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SiC市場迎來快速增長,新廠商數(shù)量大幅增加!2024-11-01 11:01
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探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管2024-10-31 11:26
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德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度2024-10-30 11:59
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,此舉標(biāo)志著該公司在GaN半導(dǎo)體自有制造能力上的前所未有的四倍增長。這一進(jìn)展不僅強化了TI在半導(dǎo)體市場的競爭力,也為新一代電子產(chǎn)品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料,因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢而受到越來 -
被動元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?2024-10-30 11:57
在電路中使用三種類型的被動元件:電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時,其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對電壓和電流的反應(yīng)是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據(jù)用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動,更具體地說,阻礙電流的流動。在此過程中,電阻器會導(dǎo)致電壓下降并散發(fā)熱量。 -
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)2024-10-29 10:54
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為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?2024-10-29 10:52
電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面,WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢,使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時間推移,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升,這得益于這些材料固有的技術(shù)特性,以及在能源效率和熱管理 -
全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計將增長6%2024-10-28 11:27
根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研,預(yù)計到2025年,全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢,也揭示了先進(jìn)制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進(jìn)制程領(lǐng)域,5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計算(HPC)芯片以 -
高壓電池斷開開關(guān)的未來:氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?2024-10-28 11:25