6月20日，上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)2019年第7次上市委員會(huì)審議會(huì)議結(jié)果顯示，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微半導(dǎo)體”）成功過會(huì)。

資料顯示，中微半導(dǎo)體成立于2004年5月，主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。自成立以來，其主要業(yè)務(wù)是開發(fā)加工微觀器件的大型真空工藝設(shè)備，包括等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備（MOCVD）。

說起中微半導(dǎo)體，相信半導(dǎo)體業(yè)界人士均較為熟悉，這家企業(yè)憑借著自主研發(fā)的刻蝕設(shè)備及MOCVD設(shè)備打破了國(guó)外壟斷，已成功躋身世界半導(dǎo)體設(shè)備廠商前列。

豪華陣營(yíng)的創(chuàng)始人及技術(shù)團(tuán)隊(duì)

業(yè)界稱中微半導(dǎo)體是一家具有“巨人基因”的半導(dǎo)體設(shè)備公司。2004年，尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士等40多位半導(dǎo)體設(shè)備專家創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體，創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)成員均是在全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期耕耘的資深人士。

不得不提的是中微半導(dǎo)體的創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)及總經(jīng)理尹志堯博士。據(jù)招股書介紹，尹志堯博士在半導(dǎo)體芯片和設(shè)備產(chǎn)業(yè)有35年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，是國(guó)際等離子體刻蝕技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動(dòng)者，是89項(xiàng)美國(guó)專利和200多項(xiàng)其他海內(nèi)外專利的主要發(fā)明人。

在創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體以前，尹志堯博士曾供職英特爾從事核心技術(shù)開發(fā)工作，隨后于泛林半導(dǎo)體負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)若干重點(diǎn)產(chǎn)品的刻蝕技術(shù)開發(fā)，1991年至2004年間在應(yīng)用材料擔(dān)任高級(jí)管理職務(wù)，包括企業(yè)副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官。

中微半導(dǎo)體的其他聯(lián)合創(chuàng)始人、核心技術(shù)人員和重要的技術(shù)、工程人員，包括杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士、楊偉先生、李天笑先生等160多位各專業(yè)領(lǐng)域?qū)＜遥渲泻芏嗍窃趪?guó)際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)耕耘數(shù)十年，為行業(yè)做出杰出貢獻(xiàn)的資深技術(shù)和管理專家。

數(shù)據(jù)顯示，截至2018年末，中微半導(dǎo)體共有研發(fā)和工程技術(shù)人員381名，占員工總數(shù)的58%。同時(shí)，中微半導(dǎo)體亦保持較高強(qiáng)度的研發(fā)投入，2016-2018年，該公司研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例分別為49.62%、34.00%、24.65%，三年累計(jì)研發(fā)投入10.37億元，約占營(yíng)業(yè)收入的32%。

截至2019年2月末，中微半導(dǎo)體申請(qǐng)了1201項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利1038項(xiàng)，海外發(fā)明專利465項(xiàng)；已獲授權(quán)的專利合計(jì)951項(xiàng)，其中發(fā)明專利800項(xiàng)。

除了豪華陣營(yíng)的創(chuàng)始人及技術(shù)團(tuán)隊(duì)外，中微半導(dǎo)體目前的股東亦不容小覷。截至招股書簽署日，中微半導(dǎo)體共有境外法人股東6名、境內(nèi)法人股東20名，自然人股東8名，目前公司無實(shí)際控制人。

其中，第一大股東上海創(chuàng)投持股20.02%、第二大股東巽鑫投資的持股比例為19.39%，上海創(chuàng)投是上海科技創(chuàng)業(yè)投資（集團(tuán)）有限公司的100%控股子公司，實(shí)際控制人為上海國(guó)資委，而巽鑫投資則為國(guó)家大基金的100%控股子公司。

刻蝕設(shè)備與MOCVD設(shè)備并駕齊驅(qū)

基于強(qiáng)大的技術(shù)團(tuán)隊(duì)陣營(yíng)與高強(qiáng)度的研發(fā)投入，歷經(jīng)十多年深耕，中微半導(dǎo)體已在其產(chǎn)品領(lǐng)域取得一定的成就與市場(chǎng)地位。

數(shù)據(jù)顯示，先進(jìn)集成電路大規(guī)模生產(chǎn)線的投資可達(dá)100億美元，75%以上是半導(dǎo)體設(shè)備投資，其中最關(guān)鍵、最大宗的設(shè)備是刻蝕設(shè)備、***、薄膜沉積設(shè)備（MOCVD），中微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品則包括刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備以及其他設(shè)備（VOC設(shè)備）。

刻蝕設(shè)備方面，自2004年成立伊始，中微半導(dǎo)體首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應(yīng)臺(tái)Primo D-RIE、雙反應(yīng)臺(tái)Primo AD-RIE和單反應(yīng)臺(tái)Primo SSC AD-RIE三代刻蝕設(shè)備，涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米和5納米微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用。

2012年，中微半導(dǎo)體開發(fā)電感性等離子體刻蝕設(shè)備，到目前為止已成功開發(fā)單反應(yīng)臺(tái)Primo nanova刻蝕設(shè)備，目前已有20個(gè)反應(yīng)腔在客戶生產(chǎn)線核準(zhǔn)；同時(shí)開發(fā)雙反應(yīng)臺(tái)電感性等離子體刻蝕設(shè)備，主要涵蓋14納米以下微觀器件的刻蝕應(yīng)用，還針對(duì)集成電路先進(jìn)封裝和MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)等開發(fā)了應(yīng)用于這些領(lǐng)域的電感性等離子體深硅刻蝕設(shè)備。

中微半導(dǎo)體指出，目前刻蝕設(shè)備在65納米到7納米的加工上均有刻蝕應(yīng)用已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，正在進(jìn)行7納米、5納米部分刻蝕應(yīng)用的客戶端驗(yàn)證，產(chǎn)業(yè)融合情況良好。據(jù)了解，在目前全球可量產(chǎn)的最先進(jìn)晶圓制造7納米生產(chǎn)線上，中微半導(dǎo)體是被驗(yàn)證合格、實(shí)現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一，產(chǎn)品技術(shù)已走在世界前列。

MOCVD設(shè)備方面，中微半導(dǎo)體自2010年開始開發(fā)用于LED器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備MOCVD設(shè)備。目前中微半導(dǎo)體已開發(fā)了三代MOCVD設(shè)備，第一代設(shè)備Prismo D-Blue、第二代設(shè)備Prismo A7以及正在開發(fā)的第三代30英寸大尺寸設(shè)備。

客戶方面，中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的重要代表客戶包括臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)華電子、華力微電子、海力士、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)外知名集成電路企業(yè)，MOCVD設(shè)備也已被三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚(yáng)光電等多家一流LED外延片及芯片制造廠商大批量采購(gòu)。

極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品、優(yōu)質(zhì)良好的客戶體系，助力中微半導(dǎo)體在產(chǎn)品產(chǎn)銷以及經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)方面均呈現(xiàn)良好的成長(zhǎng)性。數(shù)據(jù)顯示，2016-2018年中微半導(dǎo)體的總資產(chǎn)規(guī)模分別為10.79億元、22.76億元和35.33億元，營(yíng)業(yè)收入分別為6.10億元、9.72億元和16.39億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)64%，資產(chǎn)規(guī)模與營(yíng)收規(guī)模均快速增長(zhǎng)。

其中，2016-2018年中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備銷售收入分別為4.70億元、2.89億元、5.66億元，MOCVD設(shè)備銷售收入分別為0.16億元、5.30億元、8.32億元，MOCVD設(shè)備銷售收入占比明顯提升，兩大產(chǎn)品線現(xiàn)已呈現(xiàn)并駕齊驅(qū)之勢(shì)。截至2018年末，中微半導(dǎo)體累計(jì)已有1100多個(gè)反應(yīng)臺(tái)服務(wù)于國(guó)內(nèi)外40余條先進(jìn)芯片生產(chǎn)線。

有待進(jìn)一步搶占全球市場(chǎng)份額

中微半導(dǎo)體是我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)中極少數(shù)能與全球頂尖設(shè)備公司直接競(jìng)爭(zhēng)并不斷擴(kuò)大市場(chǎng)占有率的公司，是國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的后起之秀，從某種角度上看已很成功。但亦有業(yè)界人士提醒稱，目前中微半導(dǎo)體還只不過從國(guó)際巨頭的嘴里撕下來一小塊肉。

招股書顯示，在需求增長(zhǎng)較快的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額半壁江山。數(shù)據(jù)顯示，2017年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額分別情況中，泛林半導(dǎo)體占比55%、京東電子占比20%、應(yīng)用材料占比19%，前三大公司已占據(jù)94%的市場(chǎng)份額。

而報(bào)告期內(nèi)，中微半導(dǎo)體所銷售的刻蝕設(shè)備以電容性刻蝕設(shè)備為主，其電容性刻蝕設(shè)備的全球市場(chǎng)份額占比約在1.4%。由此可見，雖然中微半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)高端刻蝕設(shè)備在國(guó)際市場(chǎng)上已擁有一席之地，但在銷售規(guī)模和市場(chǎng)份額等方面仍與國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭有所差距。

不過值得一提的是，中微半導(dǎo)體列舉了中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)中近期公開招標(biāo)的兩家國(guó)內(nèi)知名存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)和一家國(guó)內(nèi)知名邏輯電路制造企業(yè)采購(gòu)的刻蝕設(shè)備臺(tái)數(shù)訂單份額數(shù)據(jù)，其在兩家存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)中的刻蝕設(shè)備訂單份額（臺(tái)數(shù)占比）分別為15%、17%，在邏輯電路制造企業(yè)中的刻蝕設(shè)備訂單份額（臺(tái)數(shù)占比）為16%。

中微半導(dǎo)體表示，上述數(shù)據(jù)局部反映公司刻蝕設(shè)備在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的占有率，公司刻蝕設(shè)備正在逐步打破國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷。

至于MOCVD設(shè)備方面，中微半導(dǎo)體的全球市占率情況要好一些。招股書中引用相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2018年中微半導(dǎo)體的MOCVD設(shè)備占據(jù)全球氮化鎵基LED用MOCVD新增市場(chǎng)的41%，尤其2018年下半年更是占據(jù)了60%以上。2018年，中微半導(dǎo)體在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。

但總體而言，中微半導(dǎo)體在仍有待進(jìn)一步擴(kuò)大銷售規(guī)模、搶占市場(chǎng)份額，面對(duì)技術(shù)的快速迭代、國(guó)際巨頭的虎視眈眈，中微半導(dǎo)體絲毫不能掉以輕心。所幸的是，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移以成大勢(shì)所趨，加上國(guó)家政府出臺(tái)扶持政策等，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)迎來前所未有的發(fā)展契機(jī)，中微半導(dǎo)體亦有望借此契機(jī)快速成長(zhǎng)。

如今登陸科創(chuàng)板，中微半導(dǎo)體將獲得更多資金以投入研發(fā)，其在招股書中表示，將圍繞自身核心競(jìng)爭(zhēng)力，通過自主創(chuàng)新、有機(jī)生長(zhǎng)，結(jié)合適當(dāng)?shù)募娌⑹召?gòu)測(cè)試，不斷推動(dòng)企業(yè)健康發(fā)展，力爭(zhēng)在未來十年內(nèi)發(fā)展成為國(guó)際一流的半導(dǎo)體設(shè)備公司。對(duì)此，我們且拭目以待。