一直以來，好幾代的酷睿處理器架構(gòu)都是小幅改良，性能提升可謂不大，被消費(fèi)者贈(zèng)予“牙膏廠”外號(hào)。反觀對(duì)手AMD則憑借桌面端的Ryzen處理器叫好又叫座，雖然服務(wù)器領(lǐng)域的EPYC處理器一時(shí)間還沒對(duì)Xeon造成嚴(yán)重威脅，但若Intel再不搞些大手筆，怕也得擔(dān)心進(jìn)一步的失守。

終于，沉睡的老虎要發(fā)威了。

在今年的CES上，Intel展示了第一款10納米的Ice Lake處理器，以高集成度整合了Intel全新的“Sunny Cove”微架構(gòu)、AI使用加速指令集以及第11代核心顯卡，從而提升圖形性能。2019年晚些時(shí)候，Sunny Cove將成為下一代PC和服務(wù)器處理器的基礎(chǔ)架構(gòu)。

實(shí)際上，早在前幾年坊間便有傳聞稱，Intel已經(jīng)意識(shí)到Core架構(gòu)體系已經(jīng)開始難以應(yīng)對(duì)未來的發(fā)展需要，將在2020年前后推出全新的架構(gòu)體系，而這恰好與如今的情況相吻合，一定程度上也表明Intel對(duì)于發(fā)展路線的規(guī)劃還是比較全面且長(zhǎng)遠(yuǎn)的。

“不可思議的性能”（Incredible Performance）

根據(jù)Intel已經(jīng)公布的信息，Ice Lake不但會(huì)應(yīng)用10nm工藝，還會(huì)采用新的微架構(gòu)“Sunny Cove”，旨在提升性能和能效，支持通用計(jì)算和專用任務(wù)，比如AI人工智能、加密和網(wǎng)絡(luò)。

在酷睿處理器中，Sunny Cove將提供用于加速AI工作負(fù)載的全新集成功能、更多安全特性，并顯著提高并行性，以提升游戲和媒體應(yīng)用體驗(yàn)。

Sunny Cove架構(gòu)的技術(shù)細(xì)節(jié)雖然還未完全公布，但是Intel透露的諸多技術(shù)點(diǎn)已經(jīng)足以讓人興奮和期待：

使用了可降低延遲的新算法。

增強(qiáng)的微架構(gòu)，可并行執(zhí)行更多操作。

增加關(guān)鍵緩沖區(qū)和緩存的大小，可優(yōu)化以數(shù)據(jù)為中心的工作負(fù)載。

針對(duì)特定用例和算法的架構(gòu)擴(kuò)展。增加了關(guān)于加密性能的新的指令集，如矢量AES和SHA-NI（7-ZIP壓縮解壓性能可提升75％）。

同時(shí)，隨著眼下數(shù)據(jù)中心的計(jì)算類型正如同寒武紀(jì)大爆發(fā)一樣增長(zhǎng)，Intel也一直在構(gòu)建不同計(jì)算類型的產(chǎn)品組合，包括Intel傳統(tǒng)的CPU、Arria和Stratix的FPGA，及其Crest神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器等等。

上市指日可待

10nm Ice Lake處理器和基于它的PC產(chǎn)品將在2019年年底假日銷售季開始上市，而在此前的CES 2019展會(huì)上，Intel也亮出了移動(dòng)版Ice Lake處理器的真身，以及相關(guān)的筆記本設(shè)備。

很顯然，Ice Lake還會(huì)按照慣例，先從移動(dòng)平臺(tái)入手，再走向桌面平臺(tái)。

10nm Ice Lake的出爐，將徹底扭轉(zhuǎn)Intel近兩年來的尷尬局面，從技術(shù)到產(chǎn)品，從市場(chǎng)到戰(zhàn)略，都進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)代?？梢哉f，跨過這個(gè)坎兒之后，Intel將重新走上一條康莊大道。

按照Intel的說法，10nm工藝的良率水平已經(jīng)令人滿意，并且會(huì)持續(xù)改進(jìn)，而基于10nm工藝研發(fā)過程中收獲的一系列先進(jìn)技術(shù)，后續(xù)的7nm工藝也會(huì)更加順利。

同時(shí)，Intel一方面扭轉(zhuǎn)了行事風(fēng)格，展望各種未來愿景和美好藍(lán)圖的同時(shí)，重新聚焦于技術(shù)和產(chǎn)品，奠定更堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，另一方面則提出了制程工藝、架構(gòu)、存儲(chǔ)、超微互連、安全、軟件六大戰(zhàn)略支柱，指導(dǎo)未來發(fā)展。

題外話

Intel在CES現(xiàn)場(chǎng)展示了使用“Foveros”3D封裝技術(shù)混合CPU架構(gòu)和封裝架構(gòu)的Lakefield ，其采用22FFL IO芯片作為有源載板，并用TSV（硅通孔技術(shù)）連接了一顆10nm芯片，其中包含1個(gè)Sunny Cove內(nèi)核和4個(gè)Atom內(nèi)核（可能是Tremont）。這款微型芯片尺寸為12*12，待機(jī)功率僅為2mW。

至于10nm工藝，由于晶體管制造的復(fù)雜性，單純用代次來對(duì)比已經(jīng)不再準(zhǔn)確。若以業(yè)內(nèi)常用晶體管密度來衡量制程水平，Intel 10nm工藝的晶體管密度反而要比臺(tái)積電的7nm DUV制程更高。