2025 年 5 月，芯?？萍及l(fā)布大容量高性價比 MCU——CS32F090 系列。該系列 MCU 基于 32 位 ARM Cortex-M0 + 內(nèi)核，主頻高達 48MHz，內(nèi)置 256KB Flash 與 32KB SRAM，并配備豐富的模擬與數(shù)字外設，包括 12 位 SAR ADC、1 路 12 位 DAC、1 路運算放大器（OPA）及模擬比較器（COMP）、5×USART、2×SPI、2×I2C、1 路 16 位高級控制定時器等。

CS32F090 系列采用 - 40℃~85℃工業(yè)級工作溫度范圍與 1.7V~3.6V 超寬電壓設計，并提供低功耗模式，待機電流僅為 2.1μA，顯著延長了電池供電設備的使用壽命。該系列提供多種電源工作模式，以滿足不同的低功耗應用需求，成為嵌入式系統(tǒng)設計中的優(yōu)選方案，適用于電池保護、報警系統(tǒng)、手機平板、醫(yī)療血壓計等應用場景。

小華半導體 HC32L021 系列引領(lǐng)低成本變革

2025 年 4 月，小華半導體發(fā)布新一代超低功耗微控制器產(chǎn)品 ——HC32L021 系列。該系列 MCU 基于 Arm Cortex-M0 + 內(nèi)核，主頻最高可達 48MHz，搭載 64KB Flash 和 6KB SRAM。值得注意的是，其支持 ±1.5%（全溫）的高精度內(nèi)部時鐘 RC48M。HC32L021 系列的片上資源包括：
·通信接口：2 組 LPUART 接口、1 組 SPI 接口、1 組 I2C 接口?
·模擬接口：1 組 12bit 1Msps ADC?
·定時器：1 組高級定時器（可支持互補 PWM 輸出）、1 組低功耗定時器、2 組可靈活配置的通用 / 基本定時器、1 組實時時鐘 RTC?

HC32L021 系列支持 1.8-5.5V 寬供電電壓，工作溫度范圍為 - 40-105℃，具備顯著的低功耗特性：動態(tài)功耗低至 45μA/MHz@48MHz，深度休眠模式下低至 0.65μA。同時，HC32L021 系列產(chǎn)品品質(zhì)出色，ESD_HBM 達到 ±4KV。在產(chǎn)品質(zhì)量保障方面，小華半導體建立了嚴格的質(zhì)量管控體系，從芯片設計、晶圓制造到封裝測試，每個環(huán)節(jié)都經(jīng)過多重檢測與驗證，確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性與可靠性。

小華半導體表示，該系列產(chǎn)品的成本已與傳統(tǒng) 8/16 位 MCU 相當，甚至在特定應用場景下更具成本競爭力。在市場變革浪潮中，HC32L021 憑借卓越的綜合性能，展現(xiàn)出強大的市場適應性和廣闊的應用潛力。

瑞薩電子 RA2L2 系列滿足最新標準

2025 年 6 月，瑞薩電子推出具有超低功耗的 RA2L2 微控制器（MCU）產(chǎn)品組，該產(chǎn)品在業(yè)界率先支持新的 UCB-C Revision 2.4 標準。

RA2L2 系列基于 Arm Cortex-M23 內(nèi)核，主頻為 48MHz，搭載 128-64KB 閃存、16KB SRAM 和 4KB 數(shù)據(jù)閃存。值得關(guān)注的是，新的 USB Type-C 電纜和連接器規(guī)范版本 2.4 降低了電壓檢測閾值 ——1.5A 電源為 0.613V，3.0A 電源為 1.165V。RA2L2 MCU 是業(yè)界首款支持這些新級別的 MCU。

RA2L2 系列提供豐富的片上資源，包括 USB-C、USB-FS、CAN、低功耗 UART、SCI、SPI、I3C、I2S、12 位 ADC（17 通道）、低功耗定時器、實時時鐘、高速片上振蕩器（HOCO）、溫度傳感器。其采用專有的低功耗技術(shù)，活動模式下功耗為 87.5μA/MHz，軟件待機電流僅為 250nA。此外，還為低功耗 UART 提供獨立的工作時鐘，可用于在接收來自 Wi-Fi 和 / 或藍牙 ? LE 模塊的數(shù)據(jù)時喚醒系統(tǒng)。

瑞薩電子指出，RA2L2 MCU 由瑞薩電子的靈活配置軟件包（FSP）提供支持，涵蓋多個 RTOS、BSP、外設驅(qū)動程序、中間件、連接和網(wǎng)絡，簡化了現(xiàn)有 IP 與其他 RA 設備之間的遷移過程。另外，更高的集成度使設計人員能夠減少組件數(shù)量，從而節(jié)省成本、電路板空間和功耗。

高性價比MCU“夠用且均衡” 的共性

如前文所述，“高性價比” 的定義通常圍繞性能、功能、成本、開發(fā)支持及應用適配性等多維度綜合考量，因此各大廠商都給出了自己的解決方案。

從內(nèi)核選擇來看，Arm Cortex-M0+、Arm Cortex-M23 和 Arm Cortex-M33 內(nèi)核成為高性價比 MCU 的主要選項，這三款內(nèi)核在性能、功耗、安全性與成本方面表現(xiàn)均衡。其中，Arm Cortex-M0 + 已成為低成本與超低功耗的標桿；Arm Cortex-M23 實現(xiàn)了低功耗與安全增強的平衡；Arm Cortex-M33 則是高性能與安全表現(xiàn)俱佳的內(nèi)核。

存儲資源也發(fā)生了巨大變化。以往，存儲資源是限制因素，許多算法需精簡后才能部署，甚至無法部署。如今，MCU 普遍將 Flash 容量提升至 64KB 以上，部分 MCU 的存儲資源更是超過 1MB。這不僅降低了外部 SPI Flash 的成本，也順應了端側(cè) AI 發(fā)展的大趨勢。在外設方面，很多 MCU 開始主打 “All in One” 特性，在通信、模擬和數(shù)字外設方面進行全面配置，降低客戶的 BOM 成本。不過，廠商并非盲目增加片上資源，而是針對目標市場進行有針對性的優(yōu)化。

此外，全面的開發(fā)資源已成為高性價比 MCU 的標配。

結(jié)語

在 MCU 市場競爭日益激烈的當下，高性價比 MCU 的集中涌現(xiàn)絕非簡單的產(chǎn)品迭代，而是產(chǎn)業(yè)從 “價格紅?！?邁向 “價值藍海” 的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變。從 Arm Cortex-M 系列內(nèi)核的深度優(yōu)化，到存儲資源與外設集成度的跨越式升級，再到低功耗技術(shù)與開發(fā)生態(tài)的全方位革新，這些新品正憑借 “夠用且均衡” 的硬實力，重新定義 MCU 的價值標準。因此，這場性價比革命的本質(zhì)是以技術(shù)創(chuàng)新打破內(nèi)卷困局，讓 MCU 真正成為連接場景需求與產(chǎn)業(yè)升級的價值紐帶。