較為激進的技術路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據(jù)推測,三星8層
發(fā)表于 02-18 11:00
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產(chǎn)
發(fā)表于 11-14 16:44
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近日,三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設施基礎上,再建一座半導體封裝工廠,專注于HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉,
發(fā)表于 11-13 11:36
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據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整。原定的每月20萬顆產(chǎn)能目標已被下調(diào)至每月17萬顆,降幅超過10%。
發(fā)表于 10-15 17:05
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據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動主要歸因于向主要客戶的量產(chǎn)供應遭遇延遲,導致
發(fā)表于 10-14 16:00
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近日,三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲,對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道,三星已將2025年底的產(chǎn)能預估下調(diào)至每月1
發(fā)表于 10-11 17:37
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據(jù)媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產(chǎn)外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進
發(fā)表于 10-10 15:25
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三星電子近期發(fā)布預測,指出全球HBM(高帶寬內(nèi)存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今
發(fā)表于 09-27 14:44
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三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴充計劃,決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建,轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器(HBM)的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了
發(fā)表于 09-19 17:23
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三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM
發(fā)表于 08-22 17:19
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近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
發(fā)表于 08-08 10:06
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在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存(HBM)領域的強勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業(yè)利潤更是達到了6.45萬億韓元,這一
發(fā)表于 08-01 14:42
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1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn),營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3
發(fā)表于 08-01 11:08
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近日,三星電子在半導體領域再傳捷報,其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達(NVIDIA)的嚴格認證,標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)?;?b class='flag-5'>生產(chǎn)階段,
發(fā)表于 07-18 09:36
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