電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí),美光已經(jīng)為英
發(fā)表于 07-23 00:04
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三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一
發(fā)表于 04-18 10:52
近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座
發(fā)表于 01-09 16:02
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,內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此,三星正集中力量提升封裝能力,以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。 業(yè)內(nèi)人士消息稱三星電子
發(fā)表于 11-25 15:28
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近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于
發(fā)表于 11-25 14:34
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三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施,以提高高帶寬存儲器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 11-13 14:14
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近日,三星電子計(jì)劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上,再建一座半導(dǎo)體封裝工廠,專注于HBM
發(fā)表于 11-13 11:36
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據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過10%,從原先計(jì)劃的每月20萬顆減至17
發(fā)表于 10-14 16:00
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近日,三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲,對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道
發(fā)表于 10-11 17:37
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近日,知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟出貨流程。具體而言,
發(fā)表于 09-05 17:15
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近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測,至2025年,這一領(lǐng)域的
發(fā)表于 08-29 16:43
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進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存
發(fā)表于 08-23 15:02
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三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三
發(fā)表于 08-22 17:19
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據(jù)韓國媒體最新報(bào)道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計(jì)該
發(fā)表于 08-13 14:29
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在8月1日公布的最新財(cái)報(bào)中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度
發(fā)表于 08-01 14:42
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