集成電路封裝基板工藝詳解(68頁(yè)P(yáng)PT）
共讀好書
歡迎掃碼添加小編微信
掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
8694瀏覽量
145557
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
概倫電子集成電路工藝與設(shè)計(jì)驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)ME-Pro介紹
ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動(dòng)集成電路工藝與設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)，為集成電路設(shè)計(jì)、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供了一個(gè)共用平臺(tái)。
CMOS集成電路的基本制造工藝
本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點(diǎn)及其前后的變化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段工序詳解；0.18μmCMOS后
集成電路前段工藝的可靠性研究
在之前的文章中我們已經(jīng)對(duì)集成電路工藝的可靠性進(jìn)行了簡(jiǎn)單的概述，本文將進(jìn)一步探討集成電路前段工藝可靠性。
封裝基板設(shè)計(jì)的詳細(xì)步驟
封裝基板設(shè)計(jì)是集成電路封裝工程中的核心步驟之一，涉及將芯片與外部電路連接的基板（substrat
集成電路封裝設(shè)計(jì)為什么需要Design Rule
封裝設(shè)計(jì)Design Rule 是在集成電路封裝設(shè)計(jì)中，為了保證電氣、機(jī)械、熱管理等各方面性能而制定的一系列“約束條件”和“設(shè)計(jì)準(zhǔn)則”。這些準(zhǔn)則會(huì)指導(dǎo)工程師在基板走線、焊盤布置、堆疊層
集成電路工藝中的金屬介紹
本文介紹了集成電路工藝中的金屬。 集成電路工藝中的金屬 概述 在芯片制造領(lǐng)域，金屬化這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)指的是在芯片表面覆蓋一層金屬。除了部分起到輔助作用的阻擋層和種子層金屬之外，在
集成電路外延片詳解：構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析
集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對(duì)芯片性能的影響。
集成電路封裝的發(fā)展歷程
(1)集成電路封裝 集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電氣連接，安裝外殼，構(gòu)成有效組件的整個(gè)過(guò)程，封裝
晶圓鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁(yè)PPT）
共讀好書歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題：晶圓鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁(yè)
集成電路封裝基板工藝詳解(68頁(yè)PPT）
共讀好書歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題：集成電路封裝基板工藝
半導(dǎo)體封裝技術(shù)基礎(chǔ)詳解(131頁(yè)PPT）
頁(yè)PPT）
文章出處：【微信公眾號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
集成電路封裝基板工藝詳解：推動(dòng)電子工業(yè)邁向新高度！
在快速發(fā)展的電子工業(yè)中，集成電路（IC）封裝基板作為連接芯片與外部設(shè)備的橋梁，其重要性不言而喻。封裝基板不僅為芯片提供物理支撐和電氣連接，還
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論