共讀好書
歡迎掃碼添加小編微信
掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
8692瀏覽量
145553
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
面向臨時(shí)鍵合/解鍵TBDB的ERS光子解鍵合技術(shù)
,半導(dǎo)體制造商傾向于采用厚度小于 100 μm的薄晶圓。然而,晶圓越薄就越容易破損,為此,行業(yè)開發(fā)了各種臨時(shí)鍵
發(fā)表于 03-28 20:13
?433次閱讀
詳解晶圓的劃片工藝流程
在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的

晶圓背面涂敷工藝對(duì)晶圓的影響
工藝中常用的材料包括:
芯片粘結(jié)劑:作為漿料涂覆到晶圓背面,之后再烘干。采用這種方法,成本較低,同時(shí)可以控制鍵合層厚度并且提高單位時(shí)間產(chǎn)量

揭秘3D集成晶圓鍵合:半導(dǎo)體行業(yè)的未來之鑰
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,集成電路(IC)的小型化、高密度集成、多功能高性能集成以及低成本集成成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。在這一背景下,3D集成晶圓鍵合

集成電路封裝基板工藝詳解(68頁PPT)
共讀好書歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題:集成電路封裝基板工藝詳解(68
集成電路封裝基板工藝詳解(68頁PPT)
共讀好書歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題:集成電路封裝基板工藝詳解(68
晶圓和封測(cè)廠紛紛布局先進(jìn)封裝(附44頁PPT)
共讀好書歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球,領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題:晶圓和封測(cè)廠紛紛布局先進(jìn)封裝
評(píng)論