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      SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝，并引進EUV技術(shù)

      微云疏影 ? 來源：綜合整理 ? 作者：綜合整理 ? 2024-01-16 14:06 ? 次閱讀
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      據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》報道，SK海力士計劃于2024年前完成對其位于中國無錫C2工廠的改造工作，使之成為具備10納米級第四代（1a）D-ram技術(shù)的新生產(chǎn)線。此生產(chǎn)線目前占據(jù)Sk海力士D-RAM總產(chǎn)量的大約40%。

      Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運回韓國總部利川園區(qū)進行EUV處理，最后送回無錫工廠進行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認為增加的成本是合理可承受的。

      鑒于無錫工廠曾遭遇2013年火災導致D-RAM生產(chǎn)停滯，該公司為此積累了豐富的恢復重建經(jīng)驗。而對于如何實施無錫工廠工藝轉(zhuǎn)型，SK海力士并未透露具體的運營計劃信息。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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