SK海力士考慮提供2.5D后端工藝服務(wù)
近日，據(jù)韓媒報道，SK海力士在先進(jìn)封裝技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，并正在考慮將其技術(shù)實(shí)力拓展至對外提供2.5D后端工藝服務(wù)。
若SK海力士正式進(jìn)軍以2.5D工藝為代表的先進(jìn)OSAT(外包半導(dǎo)體組裝與測試)市場，這將標(biāo)志著其在AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的布局進(jìn)一步向下延伸。此舉不僅有助于SK海力士擴(kuò)大整體利潤規(guī)模，更能在一定程度上緩解下游外部先進(jìn)封裝廠產(chǎn)能瓶頸對其HBM(高帶寬存儲器)銷售的限制。
通過提供2.5D后端工藝服務(wù)，SK海力士將能夠更靈活地應(yīng)對市場需求變化，提升其在AI芯片領(lǐng)域的競爭力。同時，這也將為其與三星電子等競爭對手在全流程“交鑰匙”方案領(lǐng)域展開對抗提供有力支持。
SK海力士在先進(jìn)封裝技術(shù)方面的突破，無疑為其未來的發(fā)展開辟了新的道路。隨著其在OSAT市場的逐步深入，SK海力士有望在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演更加重要的角色，為行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步和發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
封裝技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
578瀏覽量
68599 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
994瀏覽量
39607 -
AI芯片
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
1983瀏覽量
35904
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理，SK海力士
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK 海力士發(fā)布2024財年財務(wù)報告
SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告，數(shù)據(jù)顯示，該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績。 2024年全年，SK 海力士營收達(dá)到了6619
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略，聚焦高端存儲技術(shù)
近日，SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略，降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度，DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，并計劃在第四季度進(jìn)一步降至20%。這一調(diào)整或?qū)⒁馕吨?b class='flag-5'>SK海力士
韓華精密機(jī)械向SK海力士提供HBM設(shè)備
韓華精密機(jī)械公司正式宣告，已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器（HBM）生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC鍵合測試設(shè)備。
針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機(jī)械與SK
SK海力士開始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HB
SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上，SK 海力士憑借其創(chuàng)新實(shí)力，率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品，再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技
SK海力士GDDR7顯存性能飆升60%
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK 海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設(shè)計的顯存，憑借其前所未有的高速與卓越性能，再次彰顯了SK
SK海力士HBM營收暴漲250%
韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告，這份報告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場環(huán)境下的強(qiáng)勁韌性與增長潛力。盡管全球股市，尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動，導(dǎo)致SK
SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資
據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財務(wù)戰(zhàn)略，考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK
SK海力士用更加環(huán)保的氟氣替代三氟化氮用于芯片清潔工藝
SK 海力士，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，近期在環(huán)保領(lǐng)域邁出了重要一步，宣布在其芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵清洗工藝中，將采用更為環(huán)保的氣體——氟氣（F2）來替代傳統(tǒng)的三氟化氮（NF3）。這一舉措不僅彰顯了
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海
SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作，強(qiáng)化HBM市場競爭力
在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(wù)（OSAT
SK海力士與Amkor共同推動HBM與2.5D封裝技術(shù)的融合應(yīng)用
7月17日，韓國財經(jīng)媒體Money Today披露，半導(dǎo)體巨頭SK海力士正就硅中介層（Si Interposer）技術(shù)合作事宜，與業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝與測試外包服務(wù)（OSAT）企業(yè)Amkor進(jìn)行深入探討。此次合作旨在共同推動高性
工商網(wǎng)監(jiān)
評論