臺(tái)積電2nm制程工廠正在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建設(shè)中，三地同時(shí)進(jìn)行，分別位于新竹寶山、臺(tái)中中科廠、高雄楠梓廠。根據(jù)最新供應(yīng)鏈消息，寶山廠建設(shè)計(jì)劃開(kāi)始放緩，預(yù)計(jì)將推遲至2026年量產(chǎn)。

臺(tái)積電原計(jì)劃在竹科寶山第二階段建設(shè)4個(gè)12英寸晶圓廠（p1-p4），并計(jì)劃于2024年下半年進(jìn)行危險(xiǎn)試驗(yàn)，到2025年投入量產(chǎn)。但是，供應(yīng)鏈方面表示，由于半導(dǎo)體需求不振和客戶不響應(yīng)情況等原因，工廠建設(shè)計(jì)劃被推遲，因此將于2026年啟動(dòng)工廠。

目前，臺(tái)積電高雄工廠的進(jìn)度沒(méi)有受到影響。寶山工廠的緩和是否會(huì)波及到高雄工廠還沒(méi)有確定。臺(tái)中地區(qū)工廠已經(jīng)通過(guò)了當(dāng)?shù)匦姓块T的審查，預(yù)計(jì)2024年才動(dòng)工。據(jù)消息人士透露，臺(tái)中工廠有可能超過(guò)2納米，上升到1.4納米。

隨著半導(dǎo)體制程進(jìn)入2nm，新的gaa結(jié)構(gòu)取代了finfet。三星很早就從3納米節(jié)點(diǎn)開(kāi)始引進(jìn)了gaa結(jié)構(gòu)，但能否超越臺(tái)積電還有待觀察。由于該技術(shù)的難度非常大，因此預(yù)計(jì)在開(kāi)發(fā)初期引入gaa架構(gòu)會(huì)面臨很多困難。