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詳解LED、激光LD與量子點(diǎn)上的納米材料

金鑒實(shí)驗(yàn)室 ? 2023-09-09 08:28 ? 次閱讀
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納米科技廣義的定義,泛指尺寸小于100nm(納米)的材料,而研究納米材料的科學(xué)技術(shù)泛稱為「納米科技(Nanotechnology)」。納米技術(shù)的研究領(lǐng)域非常廣泛,包括納米物理、納米化學(xué)、納米材料學(xué)、納米生物學(xué)、納米電子學(xué)、納米機(jī)械加工學(xué)等、納米力學(xué)和納米測(cè)量學(xué)等等,很多前沿的研究都在持續(xù)進(jìn)行中,首先我們要知道納米科技究竟為何物!

納米科技嚴(yán)格的定義必須「同時(shí)」?jié)M足下面三個(gè)條件:

納米材料的尺寸小于100nm。

納米材料體積微小,具有全新的光、電、磁、聲、化學(xué)與機(jī)械等性質(zhì)。

納米材料必須具有全新的研究?jī)r(jià)值與應(yīng)用。

換句話說,只滿足體積微小并不是納米科技最重要的條件,必須具有全新的性質(zhì)與應(yīng)用,才是納米科技討論的重點(diǎn)。

值得一提的是,對(duì)納米科技的嚴(yán)格界定須同時(shí)具備以上3個(gè)條件,但當(dāng)前整個(gè)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界均采用了較為松散的界定,也就是說只需符合以上第一個(gè)條件大小在100nm以下就可以了,這就導(dǎo)致了如今事事都是納米的亂象,很多廠家更利用這種亂象濫用了納米一詞,這篇文章就用淺顯的文句來幫助你普及知識(shí),使你成為一個(gè)理性的納米科技判斷人。

大致可以分為納米材料

和納米技術(shù)兩個(gè)重要領(lǐng)域

納米科技產(chǎn)業(yè)至今尚不全面,很多應(yīng)用尚處于理論研究階段,故不易全面劃分,但大體上可區(qū)分為兩個(gè)主要方面:

納米材料(Nano-materials):是指「最終成品」,意思是利用納米加工技術(shù),將材料加工成尺寸在100nm以下的產(chǎn)品,這個(gè)產(chǎn)品即可稱為「納米材料」。

納米技術(shù)(Nano-technology):是指「加工過程」,意思是將材料加工成尺寸在100nm以下時(shí)所使用的制程技術(shù),我們稱為「納米技術(shù)」。

「納米材料」與「納米技術(shù)」兩者之間的關(guān)系,有點(diǎn)類似「LED」與「生產(chǎn)LED的設(shè)備」之間的關(guān)系,LED廠向LED設(shè)備商購買LED芯片或封裝設(shè)備來生產(chǎn)LED器件,因此,設(shè)備商專注在如何設(shè)計(jì)出性價(jià)比高的加工設(shè)備,而LED廠家則專注在如何利用設(shè)備生產(chǎn)LED,兩者在LED產(chǎn)業(yè)中均扮演重要的角色。

無獨(dú)有偶,納米技術(shù)的探討焦點(diǎn)也是如何對(duì)納米加工設(shè)備進(jìn)行設(shè)計(jì),納米材料的探討焦點(diǎn)則是如何使用納米加工設(shè)備制造納米材料,二者都在納米科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著舉足輕重的作用。

納米材料由外觀幾何結(jié)構(gòu)

分為二維、一維、零維

傳統(tǒng)上一般大小的材料,我們稱它為塊材(Bulk)。它的結(jié)構(gòu)為三維空間X軸,Y軸和Z軸均可無限擴(kuò)展,如圖一(a)所示,而納米材料可以簡(jiǎn)單地由外觀的幾何結(jié)構(gòu)分為二維、一維、零維等三種:

二維(Two-dimensional):X軸與Y軸可以無限延伸,但是Z軸非常微小(小于100nm),如圖一(b)所示,二維的納米結(jié)構(gòu)稱為「納米薄膜(Nano thin film)」或「量子井(Quantum well)」。

一維(One-dimensional):X軸可以無限延伸,但是Y軸與Z軸都非常微小(小于100nm),如圖一(c)所示,一維的納米結(jié)構(gòu)較長(zhǎng)的稱為「納米線(Nanowires)」,較短的稱為「納米棒(Nanorods)」,空心的稱為「納米管(Nanotube)」。

零維(Zero-dimensional):X軸、Y軸與Z軸都非常微小(小于100nm),如圖一(d)所示,零維的納米結(jié)構(gòu)稱為「納米粒子(Nanoparticles)」或「量子點(diǎn)(Quantum dots)」。

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圖一納米材料的幾何結(jié)構(gòu)

光電特性:LED、

激光LD發(fā)光層與量子點(diǎn)技術(shù)

一、LED/LD發(fā)光層與量子點(diǎn)顯示技術(shù)的核心原理:量子局限效應(yīng)

材料的物理性質(zhì)大部分是由電子與空穴所決定,例如「Debye德拜長(zhǎng)度」用來描述材料中電子與電子之間作用力的長(zhǎng)度、「de Broglie德布羅意波長(zhǎng)」用來定義材料的粒子性質(zhì)與波動(dòng)性質(zhì),由于塊材在傳統(tǒng)三維空間中(bulk)的大小比以上這些電子和空穴在物理特征上的長(zhǎng)度大得多,所以它們的物理性質(zhì)可由古典物理學(xué)加以說明,然而,當(dāng)材料尺寸小至100nm以下時(shí)會(huì)非常接近德拜長(zhǎng)度和德布羅意波長(zhǎng),從而出現(xiàn)了量子局限效應(yīng)(Quantum confinement effect)。

關(guān)于量子局限效應(yīng),相信許多學(xué)大學(xué)物理的人應(yīng)該都不陌生吧,現(xiàn)在小編試圖用圖和文字說明這種影響:

在微觀世界里,尤其是在納米尺度之下,所有的光與電的現(xiàn)象,都會(huì)與我們看到的大尺度世界那么的不同,如圖二(a)所示(公式看不懂可以跳過去),根據(jù)薛定諤方程式波函數(shù)的解,在量子尺度(L)下,尺度的不同,電子與空穴所處的能量狀態(tài)△E也會(huì)不同,也許它會(huì)在能級(jí)Eo的位置,也許會(huì)在4Eo的位置,也許在9Eo或16Eo…..,因?yàn)槲锢沓叽绲牟煌牧现须娮拥哪芗?jí)也會(huì)相應(yīng)的變化,所呈現(xiàn)的材料特性就會(huì)與原本的材料本性差異極大,如圖二(b)所示,此時(shí)發(fā)光的能量或頻率就不再是材料本身的能帶隙性質(zhì)Eg,而是帶隙較寬的(Eg+△Ec+△Ev),能量變強(qiáng)發(fā)光波長(zhǎng)因此會(huì)變短,這樣因?yàn)殡娮优c空穴被局限在納米材料內(nèi)形成自組的穩(wěn)定態(tài),造成光電性質(zhì)的改變,這樣的效應(yīng)我們稱為量子局限效應(yīng)。

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圖二 納米尺度下的量子局限效應(yīng)

量子局限效應(yīng)最明顯的特征是納米材料的尺寸愈小時(shí),材料發(fā)光能量愈強(qiáng),能量越強(qiáng)表示發(fā)光的波長(zhǎng)愈短(藍(lán)色),這個(gè)現(xiàn)象稱為「藍(lán)移(blue shift)」。

如圖三所示,各種顏色光波長(zhǎng)都不一樣,光波長(zhǎng)是指顏色,可見光里紅光波長(zhǎng)最長(zhǎng)、綠光其次、藍(lán)光最短,也就是說納米材料體積較大時(shí)發(fā)光能量小、顏色是紅光(波長(zhǎng)最長(zhǎng));當(dāng)納米材料的尺寸變小,發(fā)光能量變強(qiáng),顏色為綠光(波長(zhǎng)次之);當(dāng)納米材料的尺寸更小,發(fā)光能量更強(qiáng),顏色為藍(lán)光(波長(zhǎng)最短)。

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圖三量子局限效應(yīng)

二、LED與LD外延最關(guān)鍵的發(fā)光層:納米薄膜與量子井

1、種類與特性

二維的納米結(jié)構(gòu)稱為「納米薄膜(Nano thin film)」,一般指厚度小于100nm的薄膜如圖四(a)中LED結(jié)構(gòu)所示,半導(dǎo)體材料因其特殊的光電特性而常用納米薄膜多采用半導(dǎo)體材料制成,如:硅和砷化鎵等、氮化鎵或者磷化銦,光電特性優(yōu)越,可用于光電科技產(chǎn)業(yè)。

當(dāng)我們將許多層不同材料的半導(dǎo)體納米薄膜重迭在一起時(shí),可以形成「量子井(Quantum well)」,例如:在砷化鎵晶圓上分別成長(zhǎng)砷化鎵、砷化銦鎵、砷化鋁鎵的納米薄膜或是在藍(lán)寶石上成長(zhǎng)氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵的納米薄膜,都是屬于量子井結(jié)構(gòu),如圖四(b)的量子井LED發(fā)光層結(jié)構(gòu)所示,研究顯示具有量子井結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光二極管或LD激光二極管元器件具有更好的發(fā)光效率。

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圖四納米薄膜與量子井的定義與應(yīng)用

2、量子井應(yīng)用實(shí)例

圖四(c)為使用多層量子井結(jié)構(gòu)所制作的「量子井激光二極管(Quantum well laser diode)」,科學(xué)家稱為「垂直共振腔面射型激光(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)」,是目前已經(jīng)量產(chǎn)的商品,外觀如圖四(d)所示,這種結(jié)構(gòu)普遍應(yīng)用在光通訊的光源。

圖中激光采用砷化鎵晶圓,上、下都是金屬電極,上接電池正極、下接電池負(fù)極;中心上下為幾十層N型和P型納米薄膜,深色部分代表折射率大(Index),淺色部分代表折射率?。↖ndex),這類眾多層折射率不一薄膜相互作用排列而成的元器件,是一種十分重要的光學(xué)結(jié)構(gòu),我們稱為「布拉格反射層DBR光柵(Grating)」;正中央是納米薄膜,由于它夾在中央上下的光柵之間,因此形成量子井的結(jié)構(gòu),稱為「量子井發(fā)光區(qū)」,是激光主要的發(fā)光區(qū)域,這一層的半導(dǎo)體材料種類決定激光的發(fā)光顏色與強(qiáng)度,由于垂直共振腔面射型激光(VCSEL)使用量子井結(jié)構(gòu),因此可以增加發(fā)光效率,具有優(yōu)良的光電特性。

3、納米薄膜制備方法

納米薄膜的制作可以使用單晶或多晶薄膜成長(zhǎng)技術(shù),但是使用加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍(Sputter)、等離子化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法得到的納米薄膜質(zhì)量不佳,所以目前多數(shù)采用制程條件嚴(yán)格且價(jià)格昂貴的分子束外延技術(shù)(MBE)或者有機(jī)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MOCVD)制備納米薄膜,分子束外延(MBE)可以在超高真空下將原子「一層一層地」成長(zhǎng)在晶圓表面,因此控制得很精準(zhǔn),可以制作單層的納米薄膜,也可以制作多層的量子井結(jié)構(gòu)。

顯示技術(shù)的新王牌:

納米粒子與量子點(diǎn)

1、LED與LD在發(fā)光層上呈現(xiàn)的量子點(diǎn)效應(yīng)

零維的納米結(jié)構(gòu)稱為「納米粒子(Nanoparticle)」,泛指顆粒大小(直徑)在100nm以下的顆粒,如圖五(a)所示,由于半導(dǎo)體材料具有特別的光電特性,因此常見的納米粒子大多是使用半導(dǎo)體材料制作而成,例如:硅、砷化鎵、氮化鎵等,具有優(yōu)越的光電特性,應(yīng)用在光電科技產(chǎn)業(yè)。

當(dāng)我們使用半導(dǎo)體納米薄膜來覆蓋納米粒子時(shí)就會(huì)形成量子點(diǎn)(Quantum dot)結(jié)構(gòu),如:藍(lán)寶石襯底生長(zhǎng)氮化鎵底層材料,氮化銦鎵發(fā)光層由于溫度變異而產(chǎn)生相分離效應(yīng),在發(fā)光層上會(huì)出現(xiàn)與富銦(Indium Rich)相似的氮化銦鎵納米粒子,再生長(zhǎng)一層氮化鋁鎵奈米薄膜或氮化鎵奈米薄膜復(fù)蓋,則屬富含量子點(diǎn)之量子井結(jié)構(gòu)。

如圖五(b)所示,諾貝爾物理獎(jiǎng)得主,也是氮化銦鎵藍(lán)光LED發(fā)明人中村修二教授認(rèn)為具有量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的氮化銦鎵發(fā)光LED或激光LD光電器件具有更好的發(fā)光效率。

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圖五利用MOCVD制作納米粒子與量子點(diǎn)

2、納米粒子制備方法

納米粒子之制造可利用薄膜成長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)行,但均須搭配合適之設(shè)備,以控制不同之溫度及壓力協(xié)助,才能輕易地生成納米粒子,否則會(huì)形成納米薄膜如:加熱蒸鍍,電子束蒸鍍,濺鍍(Sputter),等離子化學(xué)氣相沉積(PECVD),分子束外延(MBE),有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)。例如,像圖五(c)所示,如果要制備氮化銦鎵納米粒子,可以使用有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD),將氨氣與有機(jī)金屬三甲基鎵,三甲基銦分別混入氫氣或氮?dú)馔ㄈ敕磻?yīng)腔體,控制不同的壓力與溫度就可以得到氮化銦鎵納米粒子,可以發(fā)出很亮的藍(lán)光或綠光。

3、量子點(diǎn)顯示技術(shù):有機(jī)會(huì)成OLED后市場(chǎng)上追求的夢(mèng)幻顯示科技

由于量子局限效應(yīng),不同尺寸的納米粒子會(huì)發(fā)出不同波長(zhǎng)(顏色)的熒光,例如:硒化鎘(CdSe)直徑10nm時(shí)發(fā)出紅色熒光,直徑5nm時(shí)發(fā)出綠色熒光,直徑2nm時(shí)發(fā)出藍(lán)色熒光,如圖六(a)所示,而其發(fā)光強(qiáng)度較傳統(tǒng)有機(jī)熒光物質(zhì)要高出10倍以上,另外與現(xiàn)有顯示技術(shù)相比量子點(diǎn)還具有自發(fā)光和高對(duì)比度等特點(diǎn)、廣視角和輕薄可繞曲的優(yōu)勢(shì)將使其有望成為OLED后市場(chǎng)急需追逐的夢(mèng)幻顯示科技。

最近市面上的顯示科技有點(diǎn)群魔亂舞,4k8K LCD、OLED、Micro LED、激光電視與量子點(diǎn)QLED五家爭(zhēng)鳴,量子點(diǎn)顯示技術(shù)目前還不是很成熟,但是為什么市面上還是有很多打著量子點(diǎn)旗號(hào)的QLED電視呢?

如圖六(b)所示,目前的量子點(diǎn)電視是利用量子點(diǎn)發(fā)光頻譜集中的特性,發(fā)出高純度的顏色,進(jìn)而達(dá)到更好的全彩顯示,將量子點(diǎn)加在LCD背光源上,量子點(diǎn)吸收背光源的光,以光致發(fā)光(Photoluminescence ;PL)重新發(fā)出高純度的光,成為純色的背光源,制作出高彩度的顯示技術(shù),近日,TCL和QD Vision聯(lián)合發(fā)布了55吋4k量子點(diǎn)電視,正是采用了這一技術(shù),但是,如此量子點(diǎn)光致發(fā)光技術(shù),僅僅只是在傳統(tǒng)的LCD技術(shù)加上量子點(diǎn)薄膜作為色彩調(diào)整,雖然帶來了優(yōu)良色彩特性,但本質(zhì)上還是受限LCD顯示技術(shù),依然享受不到高對(duì)比度,廣視角以及輕薄可繞曲的優(yōu)勢(shì)!

由于人們對(duì)于這門技術(shù)還很生疏,還不具備了解如此高深物理的能力,電視廠家打上量子點(diǎn)這一高科技名詞就自然而然地引起了普通老百姓的注意,其實(shí)目前QLED電視還只是LCD電視改良版而已!

最常見的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)如圖六(c)所示,一般包含無機(jī)半導(dǎo)體核心層(core,直徑約1~10nm)、寬帶隙無機(jī)半導(dǎo)體殼層(Shell),以及最外層的有機(jī)配體(Ligand),核心層是量子點(diǎn)主要發(fā)光層,使用不同種類材料例如CdSe、CdS、InP與ZnSe ,合成不同的尺寸大小,可以調(diào)整量子點(diǎn)發(fā)光的顏色,利用合成的時(shí)間、溫度以及反應(yīng)物的濃度,加上合成后的過濾篩選,可以使量子點(diǎn)的大小更一致且均勻,發(fā)出更純的光色。殼層對(duì)核心層進(jìn)行包復(fù),將氧氣和濕氣隔離,同時(shí)修復(fù)核心層的缺陷以提高發(fā)光效率,且最外一層有機(jī)配體可將量子點(diǎn)散布于各種非極性有機(jī)溶劑之中,利于利用溶液制程制備量子點(diǎn)發(fā)光器件。

今后QLED器件、制程方法及發(fā)光結(jié)構(gòu)將更接近于現(xiàn)行OLED器件,圖六(d)顯示均采用電致發(fā)光,最與眾不同之處在于QLED以量子點(diǎn)為發(fā)光材料、電子和空穴傳輸層能夠利用跟OLED相近的有機(jī)材料制作下一代柔性顯示器,當(dāng)然現(xiàn)在這種結(jié)構(gòu)效率仍然較低,因此要想提高QLED的效率,在有機(jī)材料中添加氧化鋅ZnO電子傳輸層和氧化鎳NiO空穴傳輸層不失為一種較好提高效率的方案,目前最新的成果是利用有機(jī)材料PMMA作為氧化鋅ZnO電子傳導(dǎo)層與量子點(diǎn)發(fā)光層的緩沖結(jié)構(gòu)層,可以達(dá)到接近OLED的效率,是目前世界最前沿的QLED技術(shù)。

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圖六納米粒子與量子點(diǎn)的應(yīng)用

半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的魔咒:

量子穿隨效應(yīng)

「絕緣體」是不容易導(dǎo)電的固體,例如:塑料、陶瓷,因此電子無法穿透絕緣體,但是當(dāng)材料的尺寸小于100nm以下時(shí),因?yàn)閷?shí)在是太薄了,科學(xué)家發(fā)現(xiàn)電子竟然可以任意地穿透絕緣體,我們稱為「量子穿隧效應(yīng)(Quantum tunneling effect)」,換句話說,塑料、陶瓷這種原本在塊材(Bulk)時(shí)是絕緣體的材料,當(dāng)它的尺寸小于100nm以下時(shí)就不再是絕緣體了。

由于在傳統(tǒng)集成電路制程中,CMOS必須使用「氧化硅」來制作閘極,因?yàn)檠趸枋呛芎玫慕^緣體,但是當(dāng)CMOS的閘極線寬小于100nm時(shí),氧化硅的厚度可能只有10nm,由于量子穿隧效應(yīng),這么薄的氧化硅會(huì)使電子任意地穿透而無法絕緣,所以晶圓廠不得不用別的材料代替氧化硅,這對(duì)于晶圓廠而言就是不得不加入新制程才能解決這一問題的代價(jià),而此時(shí)納米卻成了一個(gè)不得不面對(duì)的問題。從這一事例中我們可以看出,并非所有事物都能制成納米,而必須取決于它被用于何種產(chǎn)品上?!冈摯蟮拇笮?,該小的小些為好。

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    未來產(chǎn)業(yè) | 量子科技核心材料體系

    正文量子科技作為下一代信息技術(shù)的核心領(lǐng)域,正推動(dòng)材料科學(xué)進(jìn)入“按需設(shè)計(jì)”的新階段。其涉及的新材料不僅突破了傳統(tǒng)材料的物理極限,更通過量子效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 04-07 06:50 ?657次閱讀
    未來產(chǎn)業(yè) | <b class='flag-5'>量子</b>科技核心<b class='flag-5'>材料</b>體系

    JCMSuite應(yīng)用-利用微柱和量子點(diǎn)產(chǎn)生單光子源

    這個(gè)例子的靈感來自Gregersen等人[1],其中將量子點(diǎn)放置在微柱中以產(chǎn)生單光子源。但是,我們簡(jiǎn)化了問題,以便3D計(jì)算可以在筆記本電腦上流暢地運(yùn)行: 微腔的幾何形狀 下圖顯示了放置在腔中心的x
    發(fā)表于 03-24 09:05

    InAs量子點(diǎn)面發(fā)射激光器的概述

    東京大學(xué)荒川泰彥教授(Y. Arakawa)在1982年提出量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的概念,在1994年柏林工業(yè)大學(xué)?D. Bimberg?教授和俄羅斯loffe?物理技術(shù)研究所?N. N. Ledentsov
    的頭像 發(fā)表于 02-13 10:54 ?540次閱讀
    InAs<b class='flag-5'>量子</b><b class='flag-5'>點(diǎn)</b>面發(fā)射<b class='flag-5'>激光</b>器的概述

    納米晶體技術(shù)介紹

    本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會(huì)中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體,這一類獨(dú)特的納米
    的頭像 發(fā)表于 01-13 09:10 ?880次閱讀
    <b class='flag-5'>納米</b>晶體技術(shù)介紹

    量子點(diǎn)顯示技術(shù)如何提升畫質(zhì)?

    量子點(diǎn)顯示技術(shù)提升畫質(zhì)的方式主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 高色域:量子點(diǎn)顯示技術(shù)能夠顯著提升顯示設(shè)備的色域。通過量子
    的頭像 發(fā)表于 01-03 13:24 ?571次閱讀

    安泰功率放大器應(yīng)用:納米材料的前世今生

    作為功率放大器的應(yīng)用領(lǐng)域之一,針對(duì)納米材料的相關(guān)研究持續(xù)在進(jìn)行。納米材料是一類具有特殊結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的材料,其顆粒尺寸在
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:05 ?476次閱讀
    安泰功率放大器應(yīng)用:<b class='flag-5'>納米</b><b class='flag-5'>材料</b>的前世今生

    半導(dǎo)體研究所在量子點(diǎn)異質(zhì)外延技術(shù)取得重大突破

    ? 半導(dǎo)體量子點(diǎn)(Quantum Dot,QD)以其顯著的量子限制效應(yīng)和可調(diào)的能級(jí)結(jié)構(gòu),成為構(gòu)筑新一代信息器件的重要材料,在高性能光電子、單電子存儲(chǔ)和單光子器件等方面具有重要應(yīng)用價(jià)值。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:31 ?824次閱讀
    半導(dǎo)體研究所在<b class='flag-5'>量子</b><b class='flag-5'>點(diǎn)</b>異質(zhì)外延技術(shù)<b class='flag-5'>上</b>取得重大突破

    非晶納米晶磁芯是什么材料

    非晶納米晶磁芯是一種具有特殊磁性特性的材料,廣泛應(yīng)用于電子和電力領(lǐng)域。這種材料的磁性能主要來源于其獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu),即非晶態(tài)和納米晶態(tài)的結(jié)合。 1. 非晶
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:10 ?2040次閱讀

    量子點(diǎn)電發(fā)光器件穩(wěn)定性的研究2.0

    基于電致發(fā)光量子點(diǎn)的 QLED 技術(shù)最近在量子點(diǎn)材料,電荷傳輸材料和制造技術(shù)方面經(jīng)歷了巨大的發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 09-11 17:04 ?1033次閱讀
    <b class='flag-5'>量子</b><b class='flag-5'>點(diǎn)</b>電發(fā)光器件穩(wěn)定性的研究2.0

    iLight混合點(diǎn)光源 激光LED技術(shù)的結(jié)合

    51camera機(jī)器視覺產(chǎn)品資料查詢平臺(tái)的光源種類比較豐富,今天我們一起來看看其合作廠商iCore的明星產(chǎn)品iLight混合點(diǎn)光源,該產(chǎn)品提供了比LED更高的亮度,作為傳統(tǒng)LED和氙氣燈的替代品
    的頭像 發(fā)表于 08-10 08:35 ?1398次閱讀
    iLight混合<b class='flag-5'>點(diǎn)</b>光源  <b class='flag-5'>激光</b>與<b class='flag-5'>LED</b>技術(shù)的結(jié)合

    激光納米加工的突破性進(jìn)展

    技術(shù)帶來的挑戰(zhàn),傳統(tǒng)僅限于表面級(jí)納米制造?,F(xiàn)有的方法要么無法穿透晶片表面而不造成改變,要么受限于硅激光光刻技術(shù)的微米級(jí)分辨率。 Richard Feynman有一句名言:"底層大有可為(There’s plenty of ro
    的頭像 發(fā)表于 08-05 06:31 ?457次閱讀
    <b class='flag-5'>激光</b><b class='flag-5'>納米</b>加工的突破性進(jìn)展