憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優(yōu)越的物理特性，SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代替代Si IGBT，并在主驅(qū)逆變器、充電樁、OBC、DC-DC等應(yīng)用場景中加速滲透。

隨著政策和技術(shù)發(fā)展的推動，電動汽車已經(jīng)越來越受到消費(fèi)者的青睞。據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù)，純電動車型和插混車型8月份的銷量分別為14.56萬輛和12.85萬輛。不過還有一些消費(fèi)者對電動汽車目前依然存在的充電速度慢和行駛里程短等問題抱有疑慮。

可見，續(xù)航能力問題已是電動汽車能否廣泛推向市場的重要因素。其實(shí)目前已經(jīng)有不少成熟的技術(shù)能夠解決，800V高壓超充技術(shù)就是其中較為不錯的解決方案。

從半導(dǎo)體器件的角度來看，SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代，憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優(yōu)越的物理特性替代Si IGBT，并在主驅(qū)逆變器、充電樁、OBC、DC-DC等應(yīng)用場景中加速滲透。

因?yàn)橹鳈C(jī)廠可以通過應(yīng)用更高功率密度的1200V SiC-MOSFET，從而充分發(fā)揮800V高壓平臺和350KW直流超充的優(yōu)勢，大幅提高動力系統(tǒng)效率，加速大功率超充普及，以解決普遍存在的“里程焦慮”和“充電焦慮”問題。在此期間，伴隨各主機(jī)廠800V高壓平臺車型的陸續(xù)量產(chǎn)， SiC產(chǎn)業(yè)鏈需求可能會得到快速增長。

目前來看，受益于新能源汽車電動化進(jìn)程加快和國內(nèi)主機(jī)廠加強(qiáng)供應(yīng)鏈自主可控的要求，車規(guī)級功率器件的國產(chǎn)替代趨勢正在快速形成。國內(nèi)多家SiC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已經(jīng)在主驅(qū)逆變器、OBC、DC-DC等應(yīng)用領(lǐng)域得到主機(jī)廠提供的產(chǎn)品驗(yàn)證機(jī)會，部分SiC企業(yè)更是已順利取得定點(diǎn)函進(jìn)入量產(chǎn)階段，成功導(dǎo)入了主機(jī)廠供應(yīng)體系。

根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計到2027年，SiC車規(guī)級市場規(guī)模有望達(dá)到49.8億美元，其中主驅(qū)逆變器市場規(guī)模約為44.1億美元，約占據(jù)整個車規(guī)級市場的88.6%。國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈參與者有望充分受益于國內(nèi)自主品牌車企與造車新勢力崛起帶來的電動汽車供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代紅利，在高壓超充時代獲得更高市場份額。

當(dāng)前，國內(nèi)部分襯底制造企業(yè)和通過自建Foundry向IDM模式轉(zhuǎn)型的模塊封裝企業(yè)，已經(jīng)在產(chǎn)品研發(fā)和市場導(dǎo)入方面與海外龍頭并跑，更有望充分受益高壓超充帶來的歷史性機(jī)遇。

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審核編輯 黃宇