KUU推出Trench MOSFET產(chǎn)品K060P03M
KUU推出采用DFN3.3*3.3-8L無(wú)鉛塑料封裝的P-Trench MOSFET產(chǎn)品K060P03M。DFN3.3*3.3-8L無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有3.3*3.3 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。
這款K060P03M作為P-Trench MOSFET，其產(chǎn)品參數(shù)：具有55A電流、30V電壓，RDS(on) =8.3mΩ，最高柵源電壓VGS =±20 V，高雪崩耐量，可靠性高，廣泛使用在鋰電池保護(hù)板、負(fù)載開關(guān)、電動(dòng)工具和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等。
K060P03M
DFN3.3*3.3-8L
Vds：30V
Id：55A
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8625瀏覽量
220595 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
8694瀏覽量
145556
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
RDS(on)低至8.6mΩ，揚(yáng)杰推出200V MOSFET Gen2.0系列
的Trench MOSFET。 ? SGT MOSFET全稱Shielded Gate Trench MOSFET，即屏蔽柵溝槽
揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了
基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著
辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(3
ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-13 16:42
?0次下載
A03-C1S12M（-1） A03-C1S12M（-1）
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)A03-C1S12M（-1）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有A03-C1S12M（-1）的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，A
發(fā)表于 03-18 18:32
英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的
新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工
新品 | 100V耐壓360A電流 MOSFET 高效能 小體積TOLL封裝——開啟電源管理新紀(jì)元
在現(xiàn)代智能電子設(shè)備中，體積與效率的博弈從未停止。為應(yīng)對(duì)5G、新能源、汽車電子對(duì)高密度設(shè)計(jì)的需求，其中，MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠推出全新產(chǎn)品——
AMC131M03評(píng)估模塊(AMC131M03EVM)用戶指南
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AMC131M03評(píng)估模塊(AMC131M03EVM)用戶指南.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-06 09:54
?0次下載
納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET，為高效、可靠能源變換再添助力！
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60m
銳駿新款超低導(dǎo)通MOSRUH4040M、80M更適用于新產(chǎn)品研發(fā)
銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款
發(fā)表于 10-14 09:40
銳駿200V低壓和600V高壓MOS對(duì)于電機(jī)控制和電源管理
電機(jī)控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù)，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）， 配合先進(jìn)的封裝技術(shù)
發(fā)表于 09-23 17:07
替代Trench MOSFET？國(guó)產(chǎn)SGT MOSFET產(chǎn)品井噴
，IGBT、超結(jié)MOSFET等中高壓產(chǎn)品也受到了更多關(guān)注，不過(guò)面對(duì)第三代半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的強(qiáng)勢(shì)沖擊，未來(lái)增速面臨放緩跡象。 ? 然而在低壓領(lǐng)域的硅基MOSFET市場(chǎng)，SGT MOSFET
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論