砷化鎵晶圓的材料特性

砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種，被冠以“半導體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。

砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力損傷,導致產(chǎn)品失效和使用性能降低。

砷化鎵晶圓的應(yīng)用

用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可用于生產(chǎn)二極管、場效應(yīng)晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應(yīng)用于高端軍事電子、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無線通信系統(tǒng)、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領(lǐng)域。

目前，基于砷化鎵襯底的led發(fā)光芯片在市場上有大量需求。

選刀要點

切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當極易造成晶片碎裂，導致成品率偏低。用極細粒度金剛石（4800#，5000#）規(guī)格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進行修刀。

案例實錄

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測試目的

1、對比測試

2、驗證切割品質(zhì)

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材料情況

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修刀參數(shù)

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工藝參數(shù)

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樣刀準備

SSTYE 5000-R-90-AAA

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樣刀規(guī)格

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測試結(jié)果

1、刀痕良好，＜18μm，在控制范圍內(nèi)。

2、正面崩邊＜3μm。

3、背面崩邊＜15μm，在控制范圍內(nèi)。

切割效果（滑動查看更多圖片）

西斯特科技

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