晶圓（wafer）是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。根據(jù)設(shè)計(jì)的電路圖，晶圓經(jīng)過(guò)切割、光刻、蝕刻、封裝、測(cè)試等不同工藝流程的處理，最終在晶圓上加工制成各種電路元件結(jié)構(gòu)、具備有特定電性功能，從而成為芯片。2016-2021年，中國(guó)大陸晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模從327億元增長(zhǎng)至668億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為15%，高于全球行業(yè)增長(zhǎng)率，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額由2017年的7885億元增長(zhǎng)至2021年的12423億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)12%，發(fā)展十分迅速。

半導(dǎo)體的快速發(fā)展離不開(kāi)國(guó)家政策的扶持，2000年以來(lái)，國(guó)家不斷通過(guò)各種政策大力扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2014年成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基，專項(xiàng)扶持投資集成電路芯片制造業(yè)，2015年集成電路作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”列入《中國(guó)制造2025》。2020-2023年，國(guó)家更是自上而下的多角度、全方位密集出臺(tái)相關(guān)政策，包括財(cái)稅調(diào)節(jié)、高校/實(shí)驗(yàn)室技術(shù)研發(fā)支持，產(chǎn)業(yè)投資、人才補(bǔ)貼、低息貸款等，涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、加工、設(shè)備、材料等各個(gè)環(huán)節(jié)，全力加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，迅速推動(dòng)形成產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化浪潮。

晶圓的制造需要經(jīng)過(guò)多個(gè)加工工藝及流程，每個(gè)階段都要開(kāi)展不同的測(cè)量測(cè)試以保證成為良品。在晶圓多項(xiàng)加工中，及時(shí)發(fā)現(xiàn)表面粗糙度不合格的晶圓并防止流到后續(xù)流程，對(duì)提升晶圓生產(chǎn)良率和節(jié)省成本十分重要，由于晶圓產(chǎn)品的特殊性，在晶圓上制成各種加工結(jié)構(gòu)都要求達(dá)到微米級(jí)甚至納米級(jí)進(jìn)程，并且晶圓以大批量量產(chǎn)為主，這對(duì)晶圓表面的檢測(cè)精度和效率提出了極高的要求。

針對(duì)于此，優(yōu)可測(cè)作為國(guó)產(chǎn)測(cè)量?jī)x器的領(lǐng)導(dǎo)品牌，推出晶圓粗糙度檢測(cè)解決方案，使用白光干涉三維形貌儀AM系列在晶圓加工的多個(gè)工藝段中，為晶圓微納表面提供高精度、高速度的國(guó)產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備，精細(xì)還原表面三維形貌。例如，在晶圓成形前的硅棒切割、晶圓的研磨&減薄階段，優(yōu)可測(cè)憑借獨(dú)特的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)可檢測(cè)晶圓表面是否光滑、粗糙度是否達(dá)標(biāo)；

優(yōu)可測(cè)的白光干涉三維形貌儀AM系列還具備以下獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：

1.精確捕捉，超高精度微觀3D形貌的能力

優(yōu)可測(cè)AM系列可用于對(duì)各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級(jí)別測(cè)量，測(cè)量精度高達(dá)0.03m，以“面”的形式獲取表面3D形貌，3D高度還原材料表面的微觀形貌。

2.超高速 極大提高測(cè)量效率，可用于自動(dòng)化產(chǎn)線

AM系列測(cè)量速度以秒級(jí)計(jì)算，開(kāi)啟一鍵測(cè)量模式。搭配大量程高速納米壓電陶瓷器件，最高掃描速度400μm/秒，3200Hz；

3.大視野高精度，大范圍測(cè)量

白光干涉原理通過(guò)光干涉相位計(jì)算，任意放大倍率下均可獲得＜1nm的檢測(cè)精度。

4.豐富的測(cè)量工具，可定制化

涵蓋市場(chǎng)上通用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量工具，可根據(jù)客戶實(shí)際需求進(jìn)行軟硬件定制。

在整個(gè)芯片的全流程中，優(yōu)可測(cè)白光干涉三維形貌儀AM系列除了可以檢測(cè)晶圓的粗糙度，在晶圓的刻蝕、劃片、打標(biāo)階段，可檢測(cè)表面切割深度、平面度、翹曲度、整體面型、PV值等；在光刻階段的掩膜版，可檢測(cè)其表面圖形是否完整、XY尺寸及其臺(tái)階高度是否達(dá)標(biāo)；在bumping階段，可檢測(cè)凸點(diǎn)高度是否符合要求……

以上等等工藝中，優(yōu)可測(cè)都可提供高效穩(wěn)定的檢測(cè)能力，擁有更多延展場(chǎng)景的測(cè)量能力。

審核編輯黃宇