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倒裝芯片尺寸級封裝工藝流程與技術

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 2023-05-04 16:19 ? 次閱讀
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FC-CSP 是芯片級尺寸封裝(CSP)形式中的一種。根據(jù)J-STD-012 標準的定義口,CSP 是指封裝體尺寸不超過裸芯片 1.2倍的一種封裝形式,它通過凸塊與基板倒裝焊方式實現(xiàn)芯片與基板的電氣互連,且芯片面朝下,芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互連。相比于 WB 和TAB 鍵合方法,F(xiàn)C-CSP 中的半導體芯片與基板的間距更小,信號損失減小,I/O密度高,更適合大規(guī)模集成電路 (LSI)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和專用集成電路(ASIC)芯片使用。FC-CSP 的基本封裝結構如圖所示。

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作為一種先進的封裝技術,F(xiàn)C-CSP 主要具有如下技術特點。

(1)封裝尺寸較?。篎C-CSP 的封裝面積不到 QPP (0.5mm 節(jié)距)的1/10,只有BCA 封裝的 1/3~1/10;特別是運用銅杜凸塊封裝,可以進一步滅小凸塊間距,從而減小封裝面積。

(2)引腳數(shù)(I0)更多:在相同尺寸的芯片封裝中,相對于傳統(tǒng)的打線封裝,F(xiàn)C-CSP 可容納更多的引腳數(shù)。

(3) 電性能更優(yōu):由于芯片與封裝外殼布線之間的互連線更短,寄生參數(shù)更小,信號干擾較小,且信號傳輸延遲時問短,因此具有更小的電阻率,以區(qū)更快的信號傳輸速度。

(4) 實現(xiàn)多種不同功能芯片及器件的一體式封裝。以單芯片 (Single Die) FC-CSP 產品為例,F(xiàn)C-CSP 封裝工藝流程如圖所示。

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FC-CSP 的關鍵技術如下所述、

(1)FC-CSP 對于封裝的厚度有較高的要求,因此在圓片減薄時,需要嚴格控制好最終的厚度(在目標值士151μm 以內)。另外,還要控制好工藝參數(shù)避免在切割時發(fā)生產品芯片破片及裂紋如圖等問題

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(2)由于采用回流焊連接芯片凸塊及基板的線路,所以需要防止回流過程中的斷路,以及過小間距時的短路問題。特別是當芯片與基板的面積比較大時,由于芯片與基板材料的熱收縮比有所不同,可能造成高溫回流焊時的翹曲不致,從而產生一定的應力,導致凸塊與基板連接處發(fā)生斷裂。

(3)必須嚴格控制回流焊的降溫速率,避免凸塊與基板結合處及圓片內低K材料的斷裂。通常,降溫到 150攝氏度以下時,應控制降溫速率在4攝氏度/s以內,如圖所示。

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(4)當凸塊與基板上的線路較窄時,必須嚴格控制凸塊的錫量及倒裝對位的精度,防止凸塊與鄰近的基板線路相連而造成短路。

(5)倒裝貼片后,必須用塑封體并加以固化來保護內部的芯片,同時也起到阻隔外界信號干擾的作用。必須嚴格控制塑封過程中的固化時間及溫度,避免塑封體與芯片分離,以及塑封后產品翹曲問題等的發(fā)生。

結合工藝和目前各 IC 制造廠 商的研發(fā)情況來看,F(xiàn)C-CSP 的主要結構類型有單芯片 (Single Die) FC-CSP、多芯片平置 ( Muli-Chip Side byside) FC-CSP(見圖1)和疊層芯片混聯(lián) (Stacked-Die Hybid) FC-CSP(見圖2)。疊層封裝是指在一個芯腔或基片上將多個芯片堆看起來,芯片與芯片或封裝之問實現(xiàn)連接。疊層封裝主要應用在手機處理器中,以此來降低功耗、縮小尺寸,提高封裝的集成度和性能。

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隨著 FC-CSP 技術的迅速推廣,其應用也越來越廣泛,主要應用領域如下

所述

(1)消費類電子產品:手機、便攜式攝像機、數(shù)碼電子產品、DVD、無線產品等。

(2)計算機類:穩(wěn)壓器、高速存儲器、智能卡、外設等。

(3)通信類:數(shù)宇傳呼機、移動電話、CPS 等。

(4)因其具有高引腳數(shù)、小型化、微型化、薄型化、多功能等特性,使得FC-CSP 在網(wǎng)絡通信、數(shù)宇信號處理、混合信號和射頻信號、專用集成電路、微控制器等領域有著更廣泛的應用。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:倒裝芯片尺寸級封裝工藝流程與技術,晶片尺寸覆品封裝製程與技術

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