加碼功率控制，WAYON維安VDMOSFET重磅來襲（由KOYUELEC光與電子0755-82574660提供技術(shù)方案應(yīng)用支持）

VDMOSFET全稱垂直型雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOSFET），具有高輸入阻抗，開關(guān)速度快，熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點，同時具有正溫度系數(shù)和良好的電流自調(diào)節(jié)能力，被廣泛應(yīng)用于適配器、LED驅(qū)動電源、TV電源、工業(yè)控制、電機調(diào)速、音頻放大、高頻振蕩器、不間斷電源、節(jié)能燈、逆變器等各個領(lǐng)域。

在VDMOSFET的設(shè)計中，維安重點優(yōu)化耐壓和導(dǎo)通電阻的矛盾，提高耐壓并兼顧低導(dǎo)通電阻；同時降低Qg及開關(guān)損耗。維安VDMOSFET通過優(yōu)化設(shè)計提高雪崩耐量、拓寬安全工作區(qū)進而提高通用性和耐用性。針對工業(yè)控制等高可靠應(yīng)用場景，維安開發(fā)高質(zhì)量的氮化硅鈍化層工藝，顯著提高器件的可靠性。

VDMOSFET結(jié)構(gòu)示意圖

VDMOS 因為芯片較大，雪崩能力、ESD 能力會更突出，EMI 特性更好，且器件最高耐壓能做到 1700V，適用于不追求功率密度，并對系統(tǒng)成本很敏感的應(yīng)用場景，比如LED 電源，TV 電源，充電器適配器，工業(yè)輔助電源等。

不同結(jié)構(gòu) MOSFET 特性及電壓范圍

維安VDMOSFET應(yīng)用特性測試

（一）針對LED電源行業(yè)的高浪涌抗擾性要求，無電解電容電路特點，對維安650V VDMOFET進行測試，可滿足IEC61000-4-5，±4KV 1.2/50us的測試標(biāo)準(zhǔn)。

單級PFC LED電源浪涌保護電路及4KV浪涌測測試波形

（黃色Vgs，綠色Vds，藍色Id）

（二）ESD特性也能同時滿足HBM≥2KV，CDM≥1KV，MM≥200V。

800V VDMOSFET-ESD第三方測試報告

（三）1500V 3A TO-247封裝 VDMOFET WMJ3N150D1與國外競品的對比熱阻特性。同條件下，維安VDMOSFET RthJ-C=0.94K/W ，競品RthJ-C=1.12K/W，小16%。

WMJ3N150D1與競品的熱阻測試值（雙界面法）

維安500V-1500V VDMOSFET產(chǎn)品系列

依托維安成熟的電源及工業(yè)控制客戶群，維安開發(fā)了500V-1500V的VDMOSFET產(chǎn)品，電流涵蓋2A~40A，封裝涵蓋TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF；產(chǎn)品按工業(yè)要求完成可靠性測試，100% EAS測試。

功率半導(dǎo)體作為電力系統(tǒng)的重要組成部分，是提升能源效率的決定性因素之一。未來維安會結(jié)合客戶應(yīng)用開發(fā)更多的VDMOFET新規(guī)格、新封裝；比如高壓800V,1A等規(guī)格。為客戶提供更多選擇，以在高性能效率轉(zhuǎn)換、高可靠應(yīng)用場合實現(xiàn)效率、功率密度和可靠性的最佳組合。

審核編輯黃宇