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NP9P03G 30V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-20 11:10 ? 次閱讀
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描述

NP9P03G采用了先進的溝槽技術

設計為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON)

電荷。它可以用于各種各樣的

應用程序。

一般特征

?VDS = -30v, id = -30a

RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 18米Ω@VGS = -4.5 v

高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產品

?表面安裝包

應用程序

?負荷開關

?- 252 - 2 - l

poYBAGLXcZSAdA6IAADFCGndFYk742.png

訂購信息

poYBAGLXcauACuC4AAA0f_HUrrA901.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLXcdSAAxi2AAC-YNZs5Ec718.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLXce-APTJ_AAJdKiAjVUw170.png

注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。

2:設計保證,不經(jīng)生產檢驗。

熱特性

pYYBAGLXcgiAbzN9AABGc7vuUsk495.png

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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