在芯片研發(fā)的過程中，光刻機是必不可少的部分，而隨著芯片制程工藝的不斷發(fā)展，普通的光刻機已經(jīng)不能滿足先進制程了，必須要用最先進的EUV光刻機才能完成7nm及其以下的先進制程，而目前臺積電和三星都在攻克3nm制程，據(jù)了解，更加先進的制程就需要更先進的光刻機來完成了。

光刻機廠商ASML為此正在研發(fā)新一代High NA EUV光刻機，這種EUV光刻機的NA數(shù)值孔徑比現(xiàn)在0.33口徑的EUV光刻機還要高，達到了0.55口徑，也就是說High NA EUV光刻機的分辨率更高，能夠進行更加先進制程的加工。

目前芯片巨頭Intel已經(jīng)搶先成為了第一個訂購到High NA EUV光刻機的廠商，該款High NA EUV光刻機型號定為了High-NA EXE:5200，單臺售價已經(jīng)超過了26億人民幣，預(yù)計將在2023年完成原型機的制造，并在2025年首次交付給Intel。

不只是Intel，臺積電方面也表示將在2024年引入新一代High NA EUV光刻機，三星甚至讓副會長李在镕親自出馬，趕往ASML與其高層會面洽談新一代光刻機相關(guān)事宜。

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審核編輯 黃昊宇