羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

羅姆作為碳化硅領(lǐng)域的深耕者，從2000年就開始了相關(guān)的研發(fā)工作，并在2009年收購碳化硅襯底供應(yīng)商SiCrystal后，于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET，目前產(chǎn)品涵蓋SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組，其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供貨。羅姆在2015年發(fā)布了第3代也是第一款商用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET產(chǎn)品，支持18V驅(qū)動(dòng)。2020年，羅姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前，不僅可供應(yīng)裸芯片，還可供應(yīng)分立封裝的產(chǎn)品。分立封裝的產(chǎn)品已經(jīng)完成了面向消費(fèi)電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的產(chǎn)品線開發(fā)，后續(xù)將逐步開發(fā)適用于車載應(yīng)用的產(chǎn)品。

對(duì)比羅姆的第3代SiC MOSFET產(chǎn)品，第4代SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻更低的特點(diǎn)。根據(jù)測(cè)試結(jié)果顯示，在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下，羅姆采用改進(jìn)的雙溝槽結(jié)構(gòu)，使得MOSFET的導(dǎo)通電阻降低了約40％，傳導(dǎo)損耗相應(yīng)降低。此外，從RDS（on）與VGS的關(guān)系圖中，我們可以發(fā)現(xiàn)第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時(shí)具有更平坦的梯度，這意味著第4代SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓范圍可拓展至15V-18V。

此外，羅姆還對(duì)第4代SiC MOSFET進(jìn)行了電容比的優(yōu)化，大大提高了柵極和漏極之間的電容（CGD）與柵極和源極之間的電容（CGS）之比，從而減少了寄生電容的影響。比如，可以減小在半橋中一個(gè)快速開關(guān)的SiC MOSFET施加在另一個(gè)SiC MOSFET上的高速電壓瞬變（dVDS/dt）對(duì)柵源電壓VGS的影響。這將降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生導(dǎo)通的可能性，以及可能損壞SiC MOSFET的負(fù)VGS尖峰出現(xiàn)的可能性。

集度攜手百度和高通打造國(guó)內(nèi)首款采用第4代驍龍汽車數(shù)字座艙平臺(tái)的量產(chǎn)車型

百度、集度和高通技術(shù)公司宣布，集度首款量產(chǎn)車型將采用由百度和高通技術(shù)公司共同支持的智能數(shù)字座艙系統(tǒng)。該系統(tǒng)基于高通技術(shù)公司的第4代驍龍?汽車數(shù)字座艙平臺(tái)，搭載集度和百度攜手開發(fā)的下一代智艙系統(tǒng)及軟件解決方案。搭載全新數(shù)字座艙的集度量產(chǎn)車型預(yù)計(jì)于2023年上市，將成為國(guó)內(nèi)首款采用第4代驍龍汽車數(shù)字座艙平臺(tái)的量產(chǎn)車型。同時(shí)，該產(chǎn)品的概念車預(yù)計(jì)將于明年4月在北京車展正式亮相。

當(dāng)前，科技正推動(dòng)汽車行業(yè)駛?cè)肭八从械臅r(shí)代，電氣化和網(wǎng)聯(lián)化趨勢(shì)快速演進(jìn)。隨著高性能計(jì)算和汽車智能化滲透率逐年上升，汽車將成為AloT時(shí)代的重要產(chǎn)品，先進(jìn)數(shù)字座艙正逐步成為下一代汽車的標(biāo)配和重要差異化特性。

第4代驍龍汽車數(shù)字座艙平臺(tái)旨在提供卓越車內(nèi)用戶體驗(yàn)以及安全性、舒適性和可靠性，為汽車行業(yè)數(shù)字座艙解決方案樹立全新標(biāo)桿。該平臺(tái)支持符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的安全應(yīng)用，以支持新一代智能網(wǎng)聯(lián)汽車，助力行業(yè)向區(qū)域體系架構(gòu)概念轉(zhuǎn)型。同時(shí)，作為高性能計(jì)算、計(jì)算機(jī)視覺、AI和多傳感器處理的中樞，第4代驍龍汽車數(shù)字座艙平臺(tái)能夠通過靈活的軟件配置，滿足相應(yīng)分區(qū)或域在計(jì)算、性能和功能性安全方面的需求。

綜合羅姆和高通官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷