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羅姆半導(dǎo)體推動(dòng)SiC MOSFET技術(shù)進(jìn)步,與吉利汽車(chē)展開(kāi)深度合作

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-09-03 10:39 ? 次閱讀
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近日,羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布其第四代SiC MOSFET成功應(yīng)用于吉利電動(dòng)車(chē)品牌極氪的三款車(chē)型中,標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入了一個(gè)新的發(fā)展階段。這項(xiàng)合作不僅展示了羅姆在SiC技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新,也為電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)提供了更高效的解決方案。

吉利與羅姆的合作已持續(xù)六年,此次合作的亮點(diǎn)在于首次將SiC元件引入極氪車(chē)型。具體而言,這三款車(chē)型包括了運(yùn)動(dòng)型多功能車(chē)(SUV)“X”、迷你廂型車(chē)“009”以及運(yùn)動(dòng)旅行車(chē)“001”。SiC MOSFET的應(yīng)用有望顯著提升這些電動(dòng)車(chē)的性能和能效,滿足消費(fèi)者對(duì)高效能、長(zhǎng)續(xù)航的需求。

SiC(碳化硅)技術(shù)近年來(lái)在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源領(lǐng)域得到廣泛關(guān)注。與傳統(tǒng)硅器件相比,SiC MOSFET具有更高的電壓承受能力、更低的能量損耗以及更高的工作溫度。這些優(yōu)點(diǎn)使其成為電動(dòng)汽車(chē)電源管理系統(tǒng)的理想選擇。通過(guò)優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率,SiC MOSFET能夠幫助電動(dòng)車(chē)提升續(xù)航里程,從而在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。

羅姆半導(dǎo)體不僅致力于推動(dòng)第四代SiC MOSFET的應(yīng)用,還計(jì)劃于2025年推出第五代產(chǎn)品。同時(shí),羅姆還在加快第六代和第七代器件的市場(chǎng)推廣。這一系列創(chuàng)新將進(jìn)一步增強(qiáng)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)及其他高性能應(yīng)用中的地位。

值得一提的是,羅姆半導(dǎo)體通過(guò)提供裸芯片、分立元器件和模塊等多種形式的SiC產(chǎn)品,能夠滿足不同客戶的需求,推動(dòng)SiC技術(shù)的廣泛采用。這一策略不僅有助于提升自身的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,還有助于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)目標(biāo)。

在電動(dòng)汽車(chē)越來(lái)越成為未來(lái)出行主流的背景下,SiC MOSFET的應(yīng)用無(wú)疑為電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供了強(qiáng)大助力。羅姆與極氪的合作證明了全球電動(dòng)汽車(chē)制造商對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的追求。隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),未來(lái)的電動(dòng)車(chē)將更具性能、更為環(huán)保,滿足消費(fèi)者日益增長(zhǎng)的需求。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域,為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)MCU)、觸摸芯片,是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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