一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
發(fā)表于 06-09 15:51
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購(gòu)三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升,
發(fā)表于 03-27 09:21
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? EUV光刻有多強(qiáng)?目前來(lái)看,沒(méi)有EUV光刻,業(yè)界就無(wú)法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機(jī)
發(fā)表于 02-18 09:31
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機(jī)和光刻膠: ? 光掩膜:如同芯片的藍(lán)圖,上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機(jī):像一把精確的畫(huà)筆,能夠引導(dǎo)光線在光刻膠上刻畫(huà)出圖案。 ? 光刻膠:一種特殊的感光材料,通過(guò)
發(fā)表于 01-28 16:36
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近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
發(fā)表于 01-22 14:04
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據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝,設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
發(fā)表于 12-20 13:48
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近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存的生產(chǎn)路線圖,并計(jì)劃在這一生產(chǎn)過(guò)
發(fā)表于 11-27 11:00
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1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開(kāi)發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
發(fā)表于 10-31 10:56
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“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理
發(fā)表于 10-22 13:52
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分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形,通過(guò)模擬計(jì)算確定最佳光照條件,以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window),這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行
發(fā)表于 10-18 15:11
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在萬(wàn)物互聯(lián),AI革命興起的今天,半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù),作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝,不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件,還是微納光學(xué)元件都離不開(kāi)光刻工藝的參與,其重要性不
發(fā)表于 08-26 10:10
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的電氣性能。這主要得益于三星先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系,確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)。 2、可靠性高:三星貼片電容的可靠性非常高,能夠滿足長(zhǎng)時(shí)間、高負(fù)荷的工作需求。其優(yōu)秀的耐高溫、耐濕等
發(fā)表于 08-20 15:10
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在全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中,超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心作為支撐云計(jì)算、大數(shù)據(jù)及人工智能等關(guān)鍵技術(shù)的基石,正以前所未有的速度發(fā)展。為了滿足這一領(lǐng)域?qū)Ω?b class='flag-5'>高性能、更低延遲及更高可靠性的需求,三星電子旗下的三星電機(jī)近日
發(fā)表于 07-22 15:47
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評(píng)論