臺(tái)積電將繼續(xù)使用 FinFET 鰭式場(chǎng)效晶體管？
據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，單月產(chǎn)能5.5萬(wàn)片起，在2023年月產(chǎn)量將達(dá)到10.5萬(wàn)片。
據(jù)悉，臺(tái)積電 N3 將繼續(xù)使用 FinFET 鰭式場(chǎng)效晶體管，而不是過(guò)渡到 GAA 環(huán)繞式結(jié)構(gòu)場(chǎng)效晶體管。這與三星不同，三星已經(jīng)表示要在 3 納米節(jié)點(diǎn)使用 GAA。臺(tái)積電預(yù)計(jì) N3 將在 2022 年成為最新、最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。與 N5 相比，收益同樣不大，性能僅提升 1.1-1.15 倍，功耗提升 1.25-1.3 倍。與 7 納米相比，N3 在同樣的功率下，性能應(yīng)該提高 1.25 倍 - 1.35 倍，或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。
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