臺積電2納米制程技術(shù)細節(jié)公布
近日，在舊金山舉辦的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，全球領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)臺積電揭示了其備受期待的2納米(N2)制程技術(shù)的詳盡信息。
據(jù)悉，相較于前代制程技術(shù)，臺積電N2制程在性能方面實現(xiàn)了15%的顯著提升，同時在功耗上降低了高達30%，能效表現(xiàn)尤為出色。這一進步主要得益于環(huán)繞式柵極(GAA)納米片晶體管以及N2 NanoFlex技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用。
其中，N2 NanoFlex技術(shù)為制程帶來了顯著的晶體管密度提升，高達1.15倍。該技術(shù)使得制造商能夠在最小的面積內(nèi)高效地集成不同的邏輯單元，從而進一步優(yōu)化了制程的整體性能。
然而，值得注意的是，臺積電N2制程晶圓的價格相較于3納米制程將高出10%以上。這在一定程度上反映了N2制程技術(shù)的先進性和復(fù)雜性，同時也對制造商的成本控制提出了更高要求。
臺積電的2納米制程技術(shù)的推出，無疑將進一步提升其在全球晶圓代工市場的競爭力，同時也為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。未來，隨著該技術(shù)的廣泛應(yīng)用，我們有理由期待更加高效、節(jié)能的電子產(chǎn)品的問世。
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