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存儲(chǔ)器和總線(xiàn)架構(gòu)分析:stm32F429-系統(tǒng)架構(gòu)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:CSDN ? 作者:Musing_jk ? 2021-02-15 06:16 ? 次閱讀
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1. 存儲(chǔ)器和總線(xiàn)架構(gòu)

1.1 系統(tǒng)架構(gòu)

o4YBAF_8B0OADahQAAK-1S01qVU271.png

I總線(xiàn):

此總線(xiàn)用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的指令總線(xiàn)連接到總線(xiàn)矩陣。內(nèi)核通過(guò)此總線(xiàn)獲取指令。

此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是包含代碼的存儲(chǔ)器(內(nèi)部 Flash/SRAM 或通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器)。

D總線(xiàn):

此總線(xiàn)用于將 Cortex?-M4F 數(shù)據(jù)總線(xiàn)和 64 KB CCM 數(shù)據(jù) RAM 連接到總線(xiàn)矩陣。內(nèi)核通過(guò)此總線(xiàn)進(jìn)行立即數(shù)加載和調(diào)試訪(fǎng)問(wèn)。此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是包含代碼或數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器(內(nèi)部Flash 或通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器)

注意:

CCM(Core Coupled Memory)是給F4內(nèi)核專(zhuān)用的全速64KB RAM, 它們沒(méi)有經(jīng)過(guò)總線(xiàn)矩陣, F4內(nèi)核與之直接相連, 地址空間在0x1000_0000 ~ 0x1000_FFFF??梢杂米鞫褩R约?a target="_blank">高速運(yùn)算的數(shù)據(jù)緩存。

參考應(yīng)用:CCM中移植FreeRTOS

s:總線(xiàn):

此總線(xiàn)用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的系統(tǒng)總線(xiàn)連接到總線(xiàn)矩陣。此總線(xiàn)用于訪(fǎng)問(wèn)位于外設(shè)或 SRAM 中的數(shù)據(jù)。也可通過(guò)此總線(xiàn)獲取指令(效率低于 ICode)。此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是112 KB、 64 KB 和 16 KB 的內(nèi)部 SRAM、包括 APB 外設(shè)在內(nèi)的 AHB1 外設(shè)、 AHB2 外設(shè)以及通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器

S3,S4:DMA存儲(chǔ)器總線(xiàn)

此總線(xiàn)用于將 DMA 存儲(chǔ)器總線(xiàn)主接口連接到總線(xiàn)矩陣。 DMA 通過(guò)此總線(xiàn)來(lái)執(zhí)行存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的傳入和傳出。此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:內(nèi)部 SRAM( 112 KB、 64 KB、 16 KB)以及通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器。

S5:DMA外設(shè)總線(xiàn):

此總線(xiàn)用于將 DMA 外設(shè)主總線(xiàn)接口連接到總線(xiàn)矩陣。 DMA 通過(guò)此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn) AHB 外設(shè)或執(zhí)行存儲(chǔ)器間的數(shù)據(jù)傳輸。此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是 AHB 和 APB 外設(shè)以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:內(nèi)部SRAM 以及通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器。

S6:以太網(wǎng) DMA 總線(xiàn)

此總線(xiàn)用于將以太網(wǎng) DMA 主接口連接到總線(xiàn)矩陣。以太網(wǎng) DMA 通過(guò)此總線(xiàn)向存儲(chǔ)器存取數(shù)據(jù)。此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:內(nèi)部 SRAM( 112 KB、 64 KB 和 16 KB)以及通過(guò)FSMC 的外部存儲(chǔ)器。

S7: USB OTG HS DMA 總線(xiàn)

此總線(xiàn)用于將 USB OTG HS DMA 主接口連接到總線(xiàn)矩陣。 USB OTG DMA 通過(guò)此總線(xiàn)向存儲(chǔ)器加載/存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。此總線(xiàn)訪(fǎng)問(wèn)的對(duì)象是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:內(nèi)部 SRAM(112 KB、 64 KB 和 16 KB)以及通過(guò) FSMC 的外部存儲(chǔ)器。

AHB、APB總線(xiàn)圖:

pIYBAF_8B1GAWo_iAAKWtYfHEP4304.png

結(jié)合以上兩張圖可見(jiàn):GPIO由AHB1控制,DMA1可以訪(fǎng)問(wèn)TIM2、3、4、5、12、13;DMA2訪(fǎng)問(wèn)GPIO(因?yàn)樵贏HB1總線(xiàn)上)

1.2.存儲(chǔ)器映射

存儲(chǔ)器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片廠(chǎng)商或用戶(hù)分配,給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程就稱(chēng)為存儲(chǔ)器映射,具體見(jiàn)圖 5-5。 如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫存儲(chǔ)器重映射

o4YBAF_8B26AaORwAAJ6PTHcbf8232.png

模塊0:FLASH、CCM等

模塊1:SRAM1、SRAM2、SRAM3(根據(jù)圖1,以太網(wǎng)和AHB總線(xiàn)能訪(fǎng)問(wèn)SRAM1\2\3,并且支持并發(fā)訪(fǎng)問(wèn),即CPU讀寫(xiě)SRAM1時(shí),以太網(wǎng)可讀寫(xiě)SRAM2)

外設(shè)地址APB1、APB2、AHB1可以詳細(xì)查找 stm32F4xx中文參考手冊(cè)

1.3、自舉配置

pIYBAF_8B4GAJHxkAAEkcAqkdIw807.png

嵌入式自舉程序模式用于通過(guò)以下串行接口重新編程 Flash:
● USART1(PA9/PA10)
● USART3( PB10/11 和 PC10/11)
CAN2(PB5/13)
● USB OTG FS(PA11/12) 從設(shè)備模式( DFU:器件固件升級(jí))。
編輯:hfy

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