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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

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東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%,為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793

JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) (UFS2.0

9月18日訊 – 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天發(fā)布通用閃存UFS)標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算系統(tǒng)而設(shè)計。相比前一版本,新的UFS 2.0提供更大的鏈路帶寬以提高性能,延伸安全功能,并進(jìn)一步降低功耗。
2013-09-23 16:32:003802

東芝開始提供汽車應(yīng)用調(diào)節(jié)器集成電路樣品

東京—東芝公司(TOKYO:6502)宣布推出用于汽車系統(tǒng)應(yīng)用的5伏恒壓調(diào)節(jié)器“TB9005FNG”,即日起開始提供樣品,并定于2014年12月開始批量生產(chǎn)。
2014-04-07 14:13:54739

東芝推出搭載兼容NFC論壇類型3標(biāo)簽的有線接口的標(biāo)簽芯片

東京—東芝公司今天宣布推出搭載嵌入式有線接口的“T6NE7”。T6NE7是一種兼容NFC[1] 論壇類型3標(biāo)簽[2], (NFC Forum Type 3 Tag)的標(biāo)簽芯片(tag IC),樣品出貨即日啟動,而批量生產(chǎn)預(yù)計于2014年8月啟動。
2014-08-08 11:29:31747

東芝閃存峰會上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品

東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849

三星NAND閃存芯片銷量開始全面超越東芝

3月7日消息,雖然東芝NAND閃存芯片的發(fā)明者,但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者,并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320

聰明之舉!小米6確認(rèn)采用UFS2.0閃存,部分批次是2.1

  最近手機(jī)圈備受關(guān)注的一件事,就是華為P10閃存規(guī)格eMMC和UFS混用的問題!小米6發(fā)布會上,雷軍只字不提閃存規(guī)格的事,只在官網(wǎng)標(biāo)注了UFS閃存,具體是2.0還是2.1成為了一個謎,但早期拿到工程機(jī)的大神測試,讀寫速度達(dá)到了UFS2.1的標(biāo)準(zhǔn)!
2017-04-26 09:34:4817512

避免閃存門發(fā)酵 三星美國官網(wǎng)撤銷UFS 2.1閃存描述

近日閃存門可謂是愈演愈烈,而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機(jī)閃存描述,也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當(dāng)然之前三星之前就在閃存描述下面指出,“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗(yàn)證,部分美版的Galaxy S8/S8+手機(jī)使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54551

什么是UFS2.0閃存?大數(shù)據(jù)存儲優(yōu)勢凸顯

UFS 2.0閃存的亮點(diǎn)正是讀取速快,相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快,據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲,它能行更快的完成讀取操控,從而更早的回到待機(jī)狀態(tài)。
2018-02-20 10:13:002688

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682

NAND閃存中啟動U

NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元(SLC)NAND閃存,并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能(ECC)。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

關(guān)鍵詞:NAND , 閃存 新產(chǎn)品符合JEDEC eMMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn) 東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的eMMC
2018-10-13 11:17:01314

西部數(shù)據(jù)推出新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤 支持先進(jìn)汽車系統(tǒng)

西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD),豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案,
2018-10-18 16:52:411295

東芝開始出樣64GB NAND閃存芯片

關(guān)鍵詞:東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商東芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片,并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268

東芝開始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊樣品

(GB)嵌入式NAND閃存模塊已經(jīng)開始交付樣品。該模塊完全符合JEDEC UFS 1.1版本標(biāo)準(zhǔn),專為包括智能手機(jī)和平板電腦在內(nèi)的各種數(shù)碼消費(fèi)品打造。 樣品主要用于由操作系統(tǒng)廠商對UFS I/F及其主芯片組中的協(xié)議進(jìn)行評估。 由于主芯片組數(shù)據(jù)處理速度的提高以及無線連接帶寬的擴(kuò)大,市場上對可支持高分辨
2018-11-09 17:36:01215

東芝試產(chǎn)符合UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存存儲方案 主要將面向手機(jī)等移動設(shè)備

東芝日前正式宣布,公司已經(jīng)開始正式試產(chǎn)符合 UFS 3.0 標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存存儲方案,該方案主要將面向智能手機(jī)等移動設(shè)備。
2019-01-24 11:27:47756

LG公布首款5G手機(jī)細(xì)節(jié) 東芝首發(fā)UFS 3.0閃存

據(jù)消息稱,東芝公司已計劃發(fā)布能應(yīng)用于手機(jī)、電腦與AR/VR設(shè)備中的首項(xiàng)采用UFS 3.0版技術(shù)的嵌入式閃存芯片。
2019-01-24 15:15:264502

東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660

三星公布首款單芯片嵌入式通用閃存

三星電子公布了全球首款單芯片1TB UFS2.1閃存,該款嵌入式閃存標(biāo)志著智能存儲將邁入TB級別。
2019-07-03 11:15:34616

東芝開始研究5bitPLC的NAND閃存 PLC將有更少的PE和更慢的性能

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報道,東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539

鎧俠宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍

昨日,iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存,調(diào)試信息顯示芯片顆粒來自三星。
2020-02-26 14:24:392726

手機(jī)中eMMc 5.1和UFS 2.1閃存之間的區(qū)別解析

現(xiàn)在消費(fèi)者對手機(jī)閃存越來越關(guān)注,其實(shí)還要追溯到去年華為鬧出的“閃存門”事件。在這件事沸沸揚(yáng)揚(yáng)好一陣之后,連普通消費(fèi)者也開始知道手機(jī)閃存有eMMc 5.0、eMMc 5.1、UFS 2.0UFS 2.1等規(guī)格。
2020-07-10 09:24:049707

中國NAND閃存企業(yè)開始崛起或?qū)D身前列

2019年全球市場“主要商品與服務(wù)份額調(diào)查”顯示,用于保存數(shù)據(jù)的NAND閃存的市場份額排名依舊是三星電子第1、鎧俠(KIOXIA,原東芝存儲器)第2。不過,眼下中國企業(yè)開始崛起,有可能擠身前列。
2020-09-07 16:18:55801

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨

據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

東芝出貨世界上最小的藍(lán)牙低能耗模塊

東芝公司已經(jīng)開發(fā)出了他們聲稱是世界上最小的藍(lán)牙低能耗模塊。該模塊采用該公司專有的屏蔽封裝上的插槽天線(SASP)技術(shù)。東芝公司已經(jīng)于1月15日開始出貨模塊樣品。藍(lán)牙為可穿戴設(shè)備的普及做出了貢獻(xiàn)
2021-01-26 14:47:462186

東芝開始供應(yīng)B9083FTG預(yù)驅(qū)IC測試樣品

年1月提供最終樣品,并將在2022年12月開始量產(chǎn)。 TB9083FTG是一種3相預(yù)驅(qū)IC,能夠控制和驅(qū)動用于驅(qū)動3相直流無刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)第二版的要求,適用于高安全級別的汽車系統(tǒng)。 這種新型I
2021-10-09 14:14:531783

鎧俠利用四層存儲單元技術(shù)推進(jìn)UFS3.1版嵌入式閃存設(shè)備開發(fā)

存儲解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布發(fā)布通用閃存(UFS) 3.1版[1]嵌入式閃存設(shè)備。該設(shè)備采用了其創(chuàng)新的每單元4字節(jié)的四層存儲單元(QLC)技術(shù)
2022-01-20 12:26:52233

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載。
2022-07-23 11:18:420

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21865

Kioxia推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的UFS 4.0版嵌入式閃存器件

全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業(yè)界首款[2]面向汽車應(yīng)用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃存器件樣品。這些性能更高的新型器件封裝小巧
2024-01-31 18:19:00137

鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布,該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品
2024-02-22 16:21:51612

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