據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

三星第五代V-NAND內(nèi)存芯片是業(yè)內(nèi)第一個利用Toggle DDR 4.0接口的產(chǎn)品。該接口被稱為數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咚俟罚诖鎯χg的傳輸速度可達1.4 Gbps。與前一代產(chǎn)品相比，后者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。

為了實現(xiàn)上述所有的改進，新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔。這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個閃存單元，每個單元存儲多達3比特數(shù)據(jù)，單Die容量達256Gb(32GB)。這種制造方法包括了許多先進技術(shù)，比如電路設(shè)計、新工藝技術(shù)等。具體細節(jié)三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。