請問3D打印一體成型結構復雜的鐵硅磁體技術應用在哪些領域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
第一套在8086的微計算機系統(tǒng)中，存儲器是如何組織的？是如何與處理器總線連接的？#BHE信號起什么作用？答：8086 為 16 位處理器，可訪問 1M 字節(jié)的存儲器空間；1M 字節(jié)的存儲器分為兩個
2021-07-26 06:06:49
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數(shù)據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
發(fā)展迅速?！ ?、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術資料出處:eefocus該文章僅供學習參考使用，版權歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速?！ ?、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術資料出處:eefocus該文章僅供學習參考使用，版權歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
flash存儲轉換成鐵電存儲,應該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
，擦寫次數(shù)低,寫數(shù)據功耗大等缺點。 鑒于以上情況，越來越多的設計者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲器(FRAM)。鐵電存儲器具有以下幾個突出的優(yōu)點： i. 讀寫速度快。串口FRAM的時鐘速度可達
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數(shù)據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
出第一個4Kb的鐵電存儲器FRAM產品，目前所有的FRAM產品均由Ramtron公司制造或授權。最近幾年，F(xiàn)RAM又有新的發(fā)展，采用了0.35μm工藝，推出了3V產品，開發(fā)出“單管單容”存儲單元的FRAM
2014-04-25 13:46:28
MX25L12805D是Macronix International公司生產的一款128MFLASH存儲器，它采用了外設接口軟件協(xié)議，允許運行一個簡單的3線總線。這3個總線信號分別是時鐘輸入
2021-04-22 07:25:35
跑程序時候暫存臨時數(shù)據的地方，一般不太大，從128字節(jié)到幾K字節(jié)都有，一掉電數(shù)據就沒了。EEPROM掉電也不丟數(shù)據的存儲器，一般都用來存設置?？梢砸?b class="flag-6" style="color: red">字節(jié)一字節(jié)的把每字節(jié)的8位1任意編寫成0...
2022-01-26 07:14:56
STM32 存儲器一 存儲器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動一 存儲器組織程序存儲器、數(shù)據存儲器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個4GB的線性地址空間內。數(shù)據字節(jié)以小端格式存放在存儲器
2021-08-02 06:06:32
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作??！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫入時間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲單元存儲在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看終極存儲器??！
2012-04-21 10:37:24
你好在我們的設計中，我們只有32MB外部存儲器控制器和ECC啟用，因此只有16MB可用于操作系統(tǒng)。使用設計（Vivado文件）創(chuàng)建項目（SW）時。在“主存儲器”選擇選項卡下
2020-05-05 12:22:19
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數(shù)據存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機和華邦的FLASH。因為剛開始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設備等產品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產品性能要求
2014-03-13 10:00:54
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時又可得到更高的數(shù)據存儲可靠性。鐵電存儲器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產品，該產品的核心技術是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產品同時擁有隨機存儲器
2019-04-28 09:57:17
數(shù)據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據存儲器 片內RAM數(shù)據存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據存儲器包含三部分，片內640字節(jié)的FLASH數(shù)據存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
是第一個推出1Tb級產品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
用一個鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個不同的存儲器，統(tǒng)一的存儲器架構使用戶在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-10 08:28:08
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
LC87F17C8A是一個8位單片機和USB全速主機/設備控制器。128 k字節(jié)閃速存儲器/ 8192字節(jié)的RAM / 48-pin。
2017-04-06 09:15:10
3 目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:57
2584 
應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。富士通代理英尚微介紹富士通半導體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:521037 在某汽車鑰匙方案中，客戶需要一款128Kb的存儲用來存一些參數(shù)。由于汽車鑰匙產品普遍使用紐扣電池供電，對功耗的要求比較嚴格，一般運行功耗要求10mA以內，低功耗10μA以下。
2022-11-30 11:29:34295 在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過傳感器采集信息，并將信息進行放大等調理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過LORA的無線傳輸方式傳輸?shù)胶蠖?，?b class="flag-6" style="color: red">字節(jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機存取存儲器（FRAM）設備PB85RS128就可應用其中
2022-12-14 14:51:13384 國芯思辰接觸的一個客戶在做座椅控制的相關產品，需要外掛一個小的存儲器件用來存儲少量的數(shù)據。此前該客戶使用進口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產器件用作國產化備選方案
2022-12-20 16:23:04584 它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM，且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據寫入時間，而且它不需要等待時間。
2023-01-11 16:20:32224 PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持數(shù)據，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 無人機通過高清光學相機拍攝視頻、機載SAR成像系統(tǒng)采集SAR圖像，可以收集到人工原本無法獲得的信息，完成原本無法做到的事，而信息的采集離不開數(shù)據存儲系統(tǒng)的支持
2023-02-28 09:18:25495 PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 鐵電存儲器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數(shù)據存儲的要求，故此，國產鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC應用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作，芯片的數(shù)據在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
使用國產鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨特的優(yōu)點性能是其它存儲器都無法達到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
從辦公室復印機、水電表、高檔服務器到汽車安全氣囊和娛樂設施，鐵電存儲器不斷改進性能，逐漸在世界范圍內得到廣泛的應用。拍字節(jié)推出的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)在在工藝和設計上創(chuàng)新性采用3D架構
2022-05-06 10:36:32328 
無錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來，一直專注于新型存儲芯片研發(fā)與銷售的高新技術，尤其是新型3D鐵電存儲器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構和工藝的創(chuàng)新設計以及相關產品的制造及量產。經過不懈的努力
2022-04-29 15:34:081079 是一個典型的便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)，其系統(tǒng)考慮因素如下：●系統(tǒng)每100ms捕獲并記錄128位采樣數(shù)據；●系統(tǒng)的數(shù)據捕獲和處理時間為5ms，工作電流為7mA（不包括向存儲器寫入
2022-08-01 11:46:32322 
信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節(jié)VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機存
2022-08-19 14:08:11379 
在諸多工業(yè)、汽車等對可靠性有高要求的應用場景中，通常會使用FRAM存儲器來儲存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數(shù)據保存期限久、耐久性出色、擦寫次數(shù)高，讓FRAM在眾多存儲器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:25367 
藍牙網關設備上，主控自帶的數(shù)據存儲往往不夠用，這時候就需要外掛存儲器進行數(shù)據的非易失性、安全存儲，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在藍牙網關設備中進
2022-09-19 14:00:42531 
存儲器來完成。一般來說，額溫槍的主控MCU不帶可編程存儲器，因此都需要外加。外加的存儲器可以通過總線(I2C接口或SPI接口)和MCU進行通信和數(shù)據讀寫存儲。本文主要
2022-09-23 10:54:56366 音頻電話會議需記錄會議中的重要信息，所以其用來存儲數(shù)據模塊的存儲器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會議的簡略框圖，該方案中存儲模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 、128KB容量、低功耗、工作電壓低至2.8V，而且必須是SPI通訊。根據項目需求，我們提到了拍字節(jié)的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作電壓2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:37439 
，越是對使用有限制、有要求的場景，就越會使用FRAM來存儲系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細介紹相關參數(shù)及應用
2022-10-18 17:50:29342 
本文簡述國產拍字節(jié)鐵電存儲器(VFRAM)應用于心率血壓測量裝置的方案。在全球老齡化趨勢加重、疫情持續(xù)影響衛(wèi)生系統(tǒng)的時代背景下，智慧醫(yī)療設備的應用需求越來越廣泛，其中，心率血壓測量計作為基礎生物體
2022-10-24 09:35:24342 
字量采樣經過ADC和光耦送入CPU進行數(shù)據的存儲和運算。因此，一個合適的隨機存儲器必不可少。CPU控制系統(tǒng)圖本文主要提到拍字節(jié)的128Kb鐵電存儲器(VFRAM)PB
2022-10-27 16:12:31433 
進行分析、跟蹤等。某工程師需要一個128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:11372 
C，支持SPI和百萬次讀寫周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是國產128KbFRAM，其運行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以內，滿足汽車鑰匙對存儲器的功耗要求。應用優(yōu)勢：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，該FRAM采用SPI接口，同時支持工業(yè)級-40℃~85℃的溫度范圍，也被廣泛用于儀器儀表、安全系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設備以及工業(yè)設備等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，該款鐵電存儲器（FRAM）采用標準的SPI接口進行通信，包含128Kb內存容量。無線耳機的基本原理框圖在無線耳機中使用PB85RS128，會帶來
2022-11-29 10:25:59423 
MB85RS128B，現(xiàn)需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產器件用作國產化備選方案，規(guī)格需求如下：容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:31392 
在一些工業(yè)環(huán)境應用中，測量重量等信息是必不可少的，有的設備還需要遠程無線傳輸?shù)胶蠖?。對此，基于LORA的信息采集系統(tǒng)應運而生。本文就此介紹了拍字節(jié)的PB85RS128在基于LORA的信息采集系統(tǒng)
2022-12-08 17:57:55290 
國芯思辰，國產芯片替代
2023-03-23 11:25:23270 
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應用。
2023-06-20 14:19:25393 
記錄儀器、數(shù)據采集、可移動數(shù)據存儲器等方面的應用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用。
2023-06-29 09:39:03382 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必須具有如下三方面的功能：1、寫入速度快，能及時記錄數(shù)據，2、能在掉電的情況下保存數(shù)據，3、能記錄數(shù)據發(fā)生的準確時刻。使用國產鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據，特別適合在那些對寫入時間和次數(shù)有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發(fā)出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據通信的進步，數(shù)據更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數(shù)據處理時，只有這類內存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術的關鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系統(tǒng)硬件設計。 其中鐵電存儲器可使用國芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫功能，記錄儀可以實時在線記錄現(xiàn)場數(shù)據，并可以通過以太網通信方式與上位機進行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統(tǒng)復雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據存儲方面的出色性能，可以應用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設備、自動取款機、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
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