隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加，包括多個數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加，片上存儲器內(nèi)存容量可能不足，故便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲空間，以便設(shè)計人員使用外部存儲器來增加內(nèi)部存儲器的空間。

以下是一個典型的便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)，其系統(tǒng)考慮因素如下：●系統(tǒng)每100ms捕獲并記錄128位采樣數(shù)據(jù)；●系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲和處理時間為5ms，工作電流為7mA（不包括向存儲器寫入數(shù)據(jù)時的電流消耗），數(shù)據(jù)記錄存儲器在數(shù)據(jù)捕獲和處理期間保持待機(jī)或低功耗模式；●當(dāng)捕獲日志被寫入到存儲器時，系統(tǒng)和存儲器都變?yōu)楣ぷ鳡顟B(tài)；●假設(shè)系統(tǒng)待機(jī)電流為1μA；●當(dāng)單片機(jī)內(nèi)核以12兆赫茲的頻率運行時，系統(tǒng)有5%的時間處于工作狀態(tài)；●便攜式系統(tǒng)采用3V、1400mAh的LR03電池

對于這種應(yīng)用而言，拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C消耗的功耗較EEPROM顯著降低。

極低功耗深度待機(jī)模式和休眠模式可進(jìn)一步改善功耗，從而進(jìn)一步延長設(shè)備的電池使用壽命?？煽偨Y(jié)優(yōu)勢如下：

（1）VFRAM PB85RS128C的寫入周期耐久度是

1E7，

這樣的耐久度使設(shè)備能夠記錄更多的數(shù)據(jù)，無需執(zhí)行復(fù)雜的損耗均衡算法，無需提供過多的額外容量。

（2）PB85RS128C工作電壓

2.7V至3.6V，

工作電流

5mA

(最大值＠25兆赫茲)，可支持低功耗待機(jī)模式，而且不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，將功耗降低若干個數(shù)量級。

（3）PB85RS128C的

即時非易失性

允許便攜式和植入式醫(yī)療系統(tǒng)以及其它的電池供電系統(tǒng)完全關(guān)閉電源，或更快地將系統(tǒng)切換至低功耗待機(jī)模式，可顯著延長系統(tǒng)的電池使用壽命。

（4）

由于

PB85RS128C執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)存儲操作性能佳，可以

兼顧易用性、性能和成本

幾個方面，對于便攜式刺激設(shè)備來說，適用度非常高。

作為存儲器技術(shù)，PB85RS128C擁有支持高頻率數(shù)據(jù)記錄操作的耐久度，同時還能降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)效率，并簡化設(shè)計。

芯片完美替代賽普拉斯FM25V01-G和富士通MB85RS128B。

采用PB85RS128C的方案設(shè)計，可實現(xiàn)便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的高可靠性與安全性，并在整體方案架構(gòu)上省去用于EEPROM掉電保護(hù)的大電容，從而有效地降低系統(tǒng)整體的BOM成本。

審核編輯 黃昊宇