去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存，但去年各大平臺DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價格，加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問題，這第一批DDR5內(nèi)存并沒有在市場上掀起多大的風浪。然而
2022-07-12 08:27:00
8644 存儲器大廠美光（Micron）昨（20）日召開法說會，執(zhí)行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求（insatiable demand）來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。
2013-06-21 11:07:09933 據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個變化。
2021-05-19 09:56:404227 
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準，標志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37434 
盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標準尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-18 10:49:08280 ，支持現(xiàn)代服務器不斷增長的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔（TSV） 8 層技術，與DDR4相比，該技術使得DDR5的單個芯片能夠包含兩倍的堆棧數(shù)量。每個雙列直插式存儲模塊（DIMM）還提供高達512GB的存儲空間。其數(shù)據(jù)傳輸速度高達4800 MT/s，專門用于
2020-02-16 07:34:001451 作為國產(chǎn)存儲品牌的領袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導入DDR5內(nèi)存新技術，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:442591 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準備
2021-04-27 09:00:0013496 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-25 08:00:004032 大家好，我的主板上設計的是1.5V，之前焊接的也是1.5V的DDR顆粒，現(xiàn)在要是不動主板直接把DDR顆粒換成1.35V的，可有什么潛在的問題，這1.35V的DDR我看手冊也是支持DDR3L的，都是
2018-06-21 01:27:24
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢？
2021-06-18 08:19:59
國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
了，對于PCB工程師來說絕對是福音。綜合以上的一些重大改善，廠家們還給出了更為直觀的“宣傳廣告”，用數(shù)據(jù)來說明DDR5對整個內(nèi)存總帶寬的巨大提升作用！ 說到引腳數(shù)，我們也可以看看DDR5顆粒的引腳情況哈
2021-08-12 15:42:06
我想采購intel的flash或者東芝的flash顆粒，誰能告知相關的聯(lián)系?。》浅８兄x
2017-02-24 11:46:51
請問有沒有 使用過 nand flash的，遇到一個問題找不到原因。最開始 nand flash 默認接口 是 SDR 模式，我將 nand flash 接口配置成 DDR timing mode
2020-10-04 13:30:42
在nand flash讀寫測試時出現(xiàn)如下情況怎么解決？C:\Users\Administrator\Desktop\IMG_20160906_215943
2020-03-18 10:38:23
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 16:51 編輯
關于DM8127的NAND FLASH，有兩個問題請教一下：1、DM8127的NAND FLASH是否最大支持512MB
2018-05-28 13:30:39
工具： DVRRDK中的nand-flash-writer.out，CCS編譯通過；板子DDR3已通過BSL代碼的測試，并作了SWleveling
2019-02-22 10:15:44
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
，DDR5 CAC信號的ODT閃亮登場！我猜最激動還是Layout攻城獅：DDR5的CAC信號有了ODT功能，PCB布線約束可以放寬松了嗎？畢竟，哪里信號質(zhì)量差就可以端接哪里，So easy。帶著這個
2022-12-28 14:47:13
的內(nèi)存需求。我們在業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)了5600 MT/s的性能，現(xiàn)在我們再度突破，將第三代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s，為新一代RDIMM服務器主內(nèi)存保駕護航?！盜DC內(nèi)存半導體部門副總裁
2023-02-22 10:50:46
了很多年，近些年隨著產(chǎn)品小型化的需求越來越強烈，并且對于方案成本的要求越來越高，SPI NAND flash逐漸進入了很多工程師的眼中。如果采用SPI NAND flash的方案，主控（MCU）內(nèi)可以
2018-08-07 17:01:06
我們知道，S5pv210的啟動代碼是從Nand flash中開始執(zhí)行的，將Nand flash中的代碼拷貝到DDR中，再開始執(zhí)行C語言。Nand flash的重要性可想而知。Nand-flash內(nèi)存
2015-09-14 21:19:54
2、DDR3、DDR4、DDR5，然后是正在研發(fā)的DDR6。從DDR技術和JEDEC規(guī)范的演進過程中，我們可以看到，為了配合整體行業(yè)對于性能、內(nèi)存容量和功耗的不斷追求，規(guī)范的工作電壓越來越低，芯片容量
2022-10-26 16:37:40
請教下，使用NAND Flash 模擬u盤，讀寫速度比較慢，我拷貝一個 8MByte 左右的文件到 nand flash 里面，需要好幾分鐘，不知道是什么情況啊，怎么會這么慢 ？？？？？？？從nand flash里面拷貝文件出來貌似還比較快
2018-11-23 08:48:18
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
，相信應該是相當大部分網(wǎng)友首次看到的干貨了，希望大家能有所收獲哈。 高速先生在DDR5規(guī)范發(fā)布后不久就成功拿到了DDR5顆粒的模型，然后迫不及待的打開來看看模型的一些描述。關于DDR5技術對信號質(zhì)量
2021-08-19 17:33:47
我公司是國內(nèi)最大的內(nèi)存顆粒/FLASH芯片測試夾具生產(chǎn)廠家,專業(yè)生產(chǎn)各類內(nèi)存條顆粒,U盤FLASH芯片,LGA 測試座，TF卡等測試夾具,測試性能穩(wěn)定,效率高!是內(nèi)存條,TF卡,閃存,U盤商家其廠家最佳合作伙伴!可以訂制各種芯片的測試夾具!歡迎來廠參觀指導工作!
2011-03-18 13:45:58
DDR5的模型，來仿真看看DFE均衡對數(shù)據(jù)信號的幫助哈。首先我們提取一根真實鏈路的data信號，把收發(fā)模型搭建好，如下所示：我們看到DDR5的顆粒模型的確存在了AMI的算法，也就是把DFE的模塊配置到接收
2021-08-27 16:39:08
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。 Nand flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而應用越來越廣泛，如嵌入式產(chǎn)品中包括手機、數(shù)碼相機、U盤等。 （2）Nor
2023-02-17 14:06:29
DDR5 RAM具有哪些新功能？
2021-06-21 06:21:20
根據(jù)調(diào)查，市場預期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應新產(chǎn)品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748 
雖然2012年第叁季初期NAND Flash市場需求受全球經(jīng)濟復甦緩慢的影響而呈現(xiàn)疲弱不振，但東芝7月中宣布減產(chǎn)及9月中蘋果發(fā)布新的iPhone 5也為市場帶來了正面的激勵因素
2012-11-05 09:30:312154 
NAND Flash需求主要集中在智慧型手機、云端儲存大型資料庫用的固態(tài)硬碟（SSD）上。2013年智慧型手機、平板電腦對于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加，加上云端運算商機，市場對第3季NAND Flash市場看法偏向吃緊，晶片價格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031 TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，受惠于智能型手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。
2016-12-08 11:31:15599 
下一代服務器DIMM緩沖器芯片瞄準DDR5內(nèi)存應用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會在DDR4的基礎上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達32Gb，并預計會在2020年開始商用。 很多人會把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術混淆，實際上兩者應用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比和應用場合。
2017-11-15 16:36:0340425 
年第四季下跌逾15%，而服務器需求相對持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現(xiàn)0-5%下跌。另一方面，NAND Flash供貨商仍持續(xù)提升3D-NAND Flash的產(chǎn)能及良率，位元產(chǎn)出成長亦較第四季
2018-07-10 14:40:00794 等影響，對于需求動能可以說是雪上加霜。因此，10月份除了SSD、eMMC/UFS價格持續(xù)下跌外，各類NAND Flash顆粒及Wafer產(chǎn)品的合約價跌幅更為顯著。
2018-11-06 16:36:512216 產(chǎn)出比重將正式超越50%，成為 NAND Flash市場的主流制程，此外，由于新一代iPhone的備貨需求將至，以及SSD應用需求穩(wěn)健成長，預估下半年整體NAND Flash市場仍維持供需較為吃緊的態(tài)勢。
2018-11-16 08:45:591150 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361 日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標準的制定。
2019-12-16 15:41:082998 DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0410082 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
隨著現(xiàn)代計算機能力的不斷發(fā)展，推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47760 驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應用領域，比如云服務器、邊緣計算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務器CPU核心數(shù)量的增長，服務器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:008968 原以為在肺炎病毒無情來襲的2月將是平平無奇的日常，但是隨著配備LPDDR5的到來，DDR5的話題再次走進大眾的視野范圍當中。對于目前的情況來說，我們到底應該做一個等等黨等DDR5，還是選擇果斷剁手DDR4呢？
2020-03-30 09:25:3710006 今年，小米10等智能手機都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應該也會成為新一代旗艦手機的標配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費級處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716372 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418076 
2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)目標。
2020-11-29 10:09:075502 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術，將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了，2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場，但是新一代平臺值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份，JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:393946 繼早前展望了消費級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對 DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924 2021年將是DDR內(nèi)存技術升級換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203265 回顧2020年，在新基建的驅(qū)動下，數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展的新契機。這一趨勢加速推動了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代，國內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14
2021-05-01 09:31:002057 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142114 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達 DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 目錄存儲顆粒與外部控制器常見的flash對比內(nèi)置還是外接Flash使用難度flash選擇總結NAND Flash被淘汰的原因EMMC的優(yōu)勢存儲顆粒與外部控制器flash內(nèi)部有一個存儲顆粒
2021-12-01 19:51:17
24 1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 DDR5在DDR4的基礎上做了許多改進，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務部門產(chǎn)品營銷副總裁John Eble在接受記者采訪時表示，“目前DDR4仍然保持著強勁的勢頭，DDR5現(xiàn)在是處在早期的爬坡階段。”
2022-08-31 09:45:09661 該機構表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機構還預計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標準。
2022-09-19 15:14:481025 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:483592 新一代DDR5擁有超高頻寬及低功耗優(yōu)勢，不僅傳輸速率能增加50％，工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V，能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。
2022-10-17 10:55:591496 近日，長電科技宣布，高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，公司將依托自身的技術與服務優(yōu)勢為國內(nèi)外客戶提供高性價比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡、云端服務器、智能汽車等領域
2022-11-22 10:51:52822 JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構，認為它的出現(xiàn)標志整個產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務器雙列直插式存儲器模塊（DIMM）過渡。
2022-12-05 11:59:262313 DRAM會區(qū)分顆粒的技術層級：DDR3/DDR4/DDR5; Flash會區(qū)分顆粒的類別：TLC/MLC/SLC; 也會區(qū)分顆粒的容量 8G/16G/32G/64G; 同時也區(qū)分GDDR/LPDDR不同應用的價格。
2023-01-05 11:06:08750 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）隨著服務器CPU更多的開始支持DDR5，服務器的內(nèi)存也正向DDR5滲透，Rumbus公司預計服務器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。事實上，作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:133846 
DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進一步擴大至 43%。服務器市場可能最先推廣DDR5，服務器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471605 Rambus預計服務器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。市場調(diào)研機構IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5的拐點可能會在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342 
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332 由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求不斷增長。
2023-07-21 18:13:27415 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 mobile收入增長及DDR5、HBM等出貨擴大的推動下，SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分別實現(xiàn)26.4%和48.9%的環(huán)比增長
2023-09-05 16:13:32317 
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:011626 在全默認設置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設定為40-40-40-76，因此在這個設置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當。
2023-09-15 10:40:42752 
Flash來看，NAND Flash的容量結構為： 一個封裝好的顆粒一般有多個片選信號，即NAND CE#，代表獨立的Chip Enable片選信號。 一個Target下有一個或多個Die/LUN
2023-09-22 18:10:02752 
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174 對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀元邁進，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306 
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01194 
近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標準，但它們面向不同的應用場景，并且在設計上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061166 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881
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