富士通高級產(chǎn)品工程師伍宏杰先生表示，“恰恰是
FRAM高速讀寫的特性，決定了
FRAM可以實現(xiàn)在無電池或是突然斷電的情況下實現(xiàn)讀寫，避免數(shù)據(jù)的丟失?！?/div>
2014-07-29 16:59:27
1410 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
64－Kbit FRAM是什么？為什么要開發(fā)一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統(tǒng)EEPROM相比，有哪些亮點？FRAM RFID有哪些創(chuàng)新應(yīng)用案例？
2021-05-21 06:53:14
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機/睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機/睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對功耗產(chǎn)生巨大影響，特別是當(dāng)應(yīng)用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
中來工作。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產(chǎn)生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產(chǎn)生長的寫入延遲并且需要高的寫入功率，這對存儲單元具有破壞性。相比之下，FRAM
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設(shè)計一個16或32個FRAM（SPI）設(shè)備的存儲器陣列，用于電池操作的數(shù)據(jù)表，用于遠(yuǎn)程戶外位置。我已經(jīng)查閱了CY15B104Q（512K×8）數(shù)據(jù)表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM有什么特點？NVRAM+電池管理有什么特點？FRAM的存儲方式有什么特點？
2021-05-12 06:49:09
以及改進整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術(shù)，可實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術(shù)優(yōu)勢解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認(rèn)證芯片促進應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
主頻較高時對應(yīng)使用快速型邏輯芯片（F系列）。結(jié)語FRAM產(chǎn)品為我們提供了可使用的存儲器的一種新選擇，在原來使用E2PROM的應(yīng)用中表現(xiàn)會更出色，為某些原來認(rèn)為需要使用SRAM的E2PROM的應(yīng)用系統(tǒng)
2014-04-25 13:46:28
當(dāng)我發(fā)送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內(nèi)容在系統(tǒng)即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發(fā)送器讀?。?。此外，在系統(tǒng)完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運行時對配置參數(shù)進行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設(shè)計中表現(xiàn)出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲密度，可以支持完全隨機的讀寫訪問，并且可以獲得所有結(jié)果而沒有額外的延遲
2020-12-17 16:18:54
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
電源范圍內(nèi)工作。此外，與存儲電荷的存儲器設(shè)備，FRAM裝置具有耐α粒子和通常表現(xiàn)出軟錯誤率(SER)檢測極限以下。FRAM的優(yōu)勢的影響漣漪通過的系統(tǒng)，例如無線傳感器節(jié)點，需要高速寫入和低功耗工作的組合
2016-02-25 16:25:49
之前在論壇里面發(fā)帖問了關(guān)于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
目前使用的quartus版本為12.1 FPGA為cyclone5系列 5CEBA4U15C8NFRAM為 Cypress: FM21LD16-60(2Mbit)附上FRAM datasheet
2014-12-15 20:06:08
所做工作的配置文件。EEPROM與閃存需要工作電壓為10至14V的電荷泵，使其比較容易檢測到。FRAM極其快速的讀寫速度（分別為50 ns和200 ns以下）以及較低的工作電壓 (1.5 V) 使其被
2014-09-01 17:44:09
Ephesus 系統(tǒng)中，Anaren Air 模塊（基于 TI 的低于 1 GHz CC1101 射頻收發(fā)器）與一個超低功耗 MSP430FRxx FRAM 微控制器配對使用，旨在確保低功耗無線照明
2018-09-10 11:57:29
寫入FRAM的零時鐘周期延遲 一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時，會導(dǎo)致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
數(shù)據(jù)嗎？ 不會。FRAM 是一款非易失性存儲器，即使在斷電后也可保持其中的數(shù)據(jù)。 與可在個人計算機、工作站和非手持游戲控制臺（例如 PlayStation 和 Xbox）的大型（主）存儲器中使用的常用
2018-08-20 09:11:18
FRAM微控制器的主要特性及優(yōu)勢當(dāng)從 FRAM 中執(zhí)行代碼時，可將目前業(yè)界最佳功耗水平降低50%之多 -- 工作流耗為100μA/MHz （主動模式）和3μA（實時時鐘模式） 超過100萬億次的可寫入次數(shù)能
2011-05-04 16:37:37
`最近學(xué)習(xí)RFID搜集了不少資料，發(fā)出來供有興趣了解物聯(lián)網(wǎng)RFID相關(guān)應(yīng)用的朋友們學(xué)習(xí)，也希望拋磚引玉啊，大家都上傳手上的寶貝吧，一起打造個RFID技術(shù)學(xué)習(xí)的分享站。資料中有幾個是與富士通FRAM
2013-10-24 15:16:41
有人有使用 SPI-FRAM 的示例代碼或 IDF 組件嗎？我閱讀了帶有 QSPI 總線的 SPI-PSRAM 的文檔，但這不是我們所擁有的。Adafruit 有一個用于 Arduino
2023-03-01 07:09:17
最近抽空參加了2013富士通半導(dǎo)體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
2020-12-30 07:11:15
調(diào)試FRAM經(jīng)驗總結(jié)：1、跑完FRAM讀寫代碼之后，邏分儀發(fā)現(xiàn)總線上只有簡單、短暫的電平變化，明顯不是SPI的通信數(shù)據(jù)。（經(jīng)提醒發(fā)現(xiàn)連片選拉高拉低都沒有執(zhí)行到位）后來發(fā)現(xiàn)是因為片選引腳沒有初始化
2022-03-02 06:51:48
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長
2021-11-03 07:28:04
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
Updating FRAM takes 100x less time and there is no pre-erase requiredData can be written to FRAM
2018-09-29 09:59:31
上。此設(shè)計工作在低功耗模式下，并可減少 CPU 工作量，進而有助于降低總體功耗。主要特色磁脈沖測量2.9uA 待機電流非易失性片上 FRAM 實時存儲支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack電池電壓監(jiān)視器此終端設(shè)備設(shè)計已經(jīng)過測試，并包含硬件、固件、GUI、演示和用戶指南
2018-08-23 12:08:52
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設(shè)計。
2009-05-13 16:25:45
25 本文首先介紹了FRAM 的特點；然后在分析了FRAM 配置及DSP 的SPI 通信模塊的基礎(chǔ)上，給出了FM25L256 與TMS320F2812 DSP 的接口電路的硬件設(shè)計。最后，文章給出了SPI模塊的初始化程序及DSP
2009-09-14 16:01:2018 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
什么是閃存卡/U盤/SD卡/FIFO/FRAM
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機
2010-03-24 16:49:501649 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
MSP430FRAM microcontrollers with CapTIvate
2016-06-06 14:50:5315 近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲器是利用電荷注入來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，而FRAM是利用外部電場產(chǎn)生極化來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，因此它與傳統(tǒng)存儲器相比，不易α射線，x射線，γ射線，重離子等射線的影響。在醫(yī)院工作
2017-03-28 15:26:181564 
富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個數(shù)量級。
2017-03-28 17:56:15955 
上一篇文章我們介紹了嵌入了FRAM的RFID相比傳統(tǒng)嵌入EEPROM的RFID的優(yōu)勢。這篇文章我們將介紹FRAM RFID的具體應(yīng)用。
2017-03-28 18:00:431652 
今天，像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對助聽器噪聲，或是需要更換所用設(shè)備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產(chǎn)品
2017-03-28 18:11:581494 
富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品現(xiàn)在可以直接在網(wǎng)上專店（ESHOP）下單購買了，購買攻略馬上奉上。顏值很重要，先看我們的FRAM網(wǎng)上專店（ESHOP）長什么樣子？
2017-03-28 18:17:28986 
近年來隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長，FRAM存儲器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM（那時候
2017-03-28 18:41:571055 富士通半導(dǎo)體因FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的解決方案及應(yīng)用而備受業(yè)界矚目。FRAM在這兩個領(lǐng)域備受關(guān)注，這與它在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表行業(yè)內(nèi)的有著巨大的優(yōu)勢是分不開的。
2017-03-29 11:12:121117 與傳統(tǒng)非易失性存儲器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
此參考設(shè)計采用 MSP430FR4133 基于 FRAM 的 MCU，是可遠(yuǎn)程控制的全功能、電池供電的恒溫器。此設(shè)計中實現(xiàn)了高精度溫度測量、超低功耗特性和大型 LCD 顯示屏，可延長應(yīng)用的電池壽命
2017-05-05 16:59:3215 這兒有最最最最最熱門的三款FRAM產(chǎn)品。
2017-08-22 15:19:248536 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
富士通在開發(fā)高質(zhì)量、高可靠性存儲器FRAM的方面，具有17年以上的豐富量產(chǎn)經(jīng)驗，并在智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，已取得卓越的應(yīng)用成果。與時俱進，富士通正積極投入
2017-09-20 12:43:0815 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 FRAM 應(yīng)用介紹
2018-08-15 08:28:005742 MSP430 (3) 超低功耗FRAM
2018-08-14 01:50:009499 MSP430 (4) FRAM 家族
2018-08-02 01:10:006173 MSP430 (5) FRAM家族成員具體特性
2018-08-02 01:04:005951 關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01270 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
相比于其他市場，汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標(biāo)稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換
2020-09-19 10:07:311628 FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 具有優(yōu)勢。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點，具有高速寫數(shù)據(jù)，低功耗，高速讀/寫周期等優(yōu)點。 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設(shè)有串行外設(shè)接口（SPI）。這種全新的FRAM產(chǎn)品是汽車電子控制單元的最
2020-09-27 14:32:311634 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢？舉例說明：TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2020-12-02 16:33:25327 獨特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 本應(yīng)用筆記介紹了如何用EERAM代替FRAM，以及如何通過跳線和修改代碼來創(chuàng)建一個集成EERAM 和FRAM（第二個源）的設(shè)計。
2021-04-16 10:04:567 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:001850 
不進行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術(shù)和工作原理 FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當(dāng)一個電場被加到鐵電晶體時，
2021-05-04 10:16:00515 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，其的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統(tǒng)中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場；隨著電子設(shè)備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長
2021-10-28 19:21:046 采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-16 10:21:018 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設(shè)計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417 FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關(guān)周期后維持鐵電開關(guān)電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:1781 
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