1.什么是FRAM？

FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫(xiě)，它是非易失性存儲(chǔ)器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說(shuō)，F(xiàn)RAM是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)?a href='http://www.socialnewsupdate.com/v/tag/137/' target='_blank' class='arckwlink_none'>芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。

2. FRAM較之閃存/EEPROM具有哪些主要優(yōu)勢(shì)？

1）速度。FRAM具有快速寫(xiě)入的特性。寫(xiě)入到FRAM存儲(chǔ)器單元的實(shí)際時(shí)間小于50ns，這超越了所有其他存儲(chǔ)器的類(lèi)似操作。這大約比EEPROM快1000倍。此外，與需要兩步（寫(xiě)入命令和隨后的讀?。?yàn)證命令）才能寫(xiě)入數(shù)據(jù)的EEPROM不同，F(xiàn)RAM的寫(xiě)入操作與讀取操作發(fā)生在同一過(guò)程中。只提供一個(gè)存儲(chǔ)器訪問(wèn)命令，實(shí)現(xiàn)讀取或?qū)懭牍δ?。因此，與EEPROM寫(xiě)入處理相關(guān)聯(lián)的所有時(shí)間實(shí)際上在基于FRAM的智能IC中被有效地消除了。

2）低功耗。在低電壓下寫(xiě)入FRAM單元，并且只需很低的電流即可更改數(shù)據(jù)。對(duì)于EEPROM，則需要高電壓。FRAM使用非常低的電源電壓一一1.5V，而EEPROM則使用10-14V電源電壓。FRAM的低電壓意味著詆功耗，同時(shí)能夠在更快的處理速度下實(shí)現(xiàn)更多功能。

3）數(shù)據(jù)可靠性。由于只需要少量能量，因此操作FRAM所需的所有能量在數(shù)據(jù)寫(xiě)入開(kāi)始時(shí)就被預(yù)先加載。這就避免了“數(shù)據(jù)分裂”一由于能源缺乏的關(guān)系導(dǎo)致部分?jǐn)?shù)據(jù)在寫(xiě)入時(shí)被破壞?；贓EPROM的智能IC在寫(xiě)周期內(nèi)被從射頻（RF）磁場(chǎng)電源中移除時(shí)就會(huì)出現(xiàn)這種情況。此外，F(xiàn)RAM還具有100兆次的寫(xiě)入讀取數(shù)或更多一一遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了EEPROM的寫(xiě)入數(shù)量。