Flash存儲器，簡稱Flash，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點；在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢？

　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點，給大家一個全新認識。

　　一、IIC EEPROM

　　IIC EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議；IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線（SDA），一條串行時鐘線（SCL）；串行半雙工通信模式的8位雙向數(shù)據(jù)傳輸，位速率標準模式下可達100Kbit/s；一種電可擦除可編程只讀存儲器，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，由于芯片能夠支持單字節(jié)擦寫，且支持擦除的次數(shù)非常之多，一個地址位可重復擦寫的理論值為100萬次，在實際應用中具有著不可替代的作用。日常我們常接觸芯片型號有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常見的封裝多為DIP8，SOP8，TSSOP8等。

　　二、SPI NorFlash

　　SPI NorFlash，采用的是SPI 通信協(xié)議，有4線（時鐘，兩個數(shù)據(jù)線，片選線）或者3線（時鐘，兩個數(shù)據(jù)線）通信接口，由于它有兩個數(shù)據(jù)線能實現(xiàn)全雙工通信，因此比IIC通信協(xié)議的IIC EEPROM的讀寫速度上要快很多。SPI NorFlash具有NOR技術Flash Memory的特點，即程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上，擁有獨立的數(shù)據(jù)總線和地址總線，能快速隨機讀取，允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行；可以單字節(jié)或單字編程，但不能單字節(jié)擦除，必須以Sector為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對Sector或整片進行預編程和擦除操作。

　　NorFlash在擦寫次數(shù)上遠遠達不到IIC EEPROM，并且由于NOR技術Flash Memory的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間會很長；但SPI NorFlash接口簡單，使用的引腳少，易于連接，操作方便，并且可以在芯片上直接運行代碼，其穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容量時具有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM，所以在市場的占用率非常高。

　　我們通常見到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型號都是SPI NorFlash，其常見的封裝多為SOP8，SOP16，WSON8，US0N8，QFN8、BGA24等。

　　三、Parallel NorFalsh （CFI Flash）

　　Parallel NorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信協(xié)議，擁有獨立的數(shù)據(jù)線和地址總線，它同樣繼承了NOR技術Flash Memory的所有特點；由于采用了Parallel接口，。Parallel NorFalsh相對于SPI NorFlash，支持的容量更大，讀寫的速度更快，但是由于占用的地址線和數(shù)據(jù)線太多，在電路電子設計上會占用很多資源。Parallel NorFalsh讀寫時序類似于SRAM，只是寫的次數(shù)較少，速度也慢，由于其讀時序類似于SRAM，讀地址也是線性結構，所以多用于不需要經(jīng)常更改程序代碼的數(shù)據(jù)存儲。

　　我們通常見到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF020等型號都是Parallel NorFlash，其常見的封裝多為TSSOP32、TSOP48、BGA64，PLCC32等。