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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>佰維存儲推出新一代高效能LPDDR5X內(nèi)存,加速高性能終端設(shè)備AI應(yīng)用

佰維存儲推出新一代高效能LPDDR5X內(nèi)存,加速高性能終端設(shè)備AI應(yīng)用

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2022福祿克計量校準(zhǔn)部將隆重推出新一代55X0A高性能多產(chǎn)品校準(zhǔn)器,可校準(zhǔn)種類廣泛的現(xiàn)代電學(xué)測試儀器工作負(fù)荷,重新設(shè)計了直觀的前面板,可兼容MET/CAL計量校準(zhǔn)軟件實現(xiàn)自動化校準(zhǔn)。
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2022-10-24 17:57:451505

推出PCIe BGA SSD+LPDDR4X存儲搭配方案

針對ARM架構(gòu)服務(wù)器的這痛點,提供創(chuàng)新性的PCIe BGA SSD+LPDDR4X存儲搭配方案,舉解決了SOC平臺的存儲協(xié)議限制,賦予云手機更佳的性能體驗。
2022-10-24 17:22:21812

Chroma新產(chǎn)品發(fā)表會 新一代高效能Power IC測試平臺

臺灣桃園2022年10月26日 /美通社/ -- Chroma致茂電子于21日發(fā)表新一代Chroma 3650-S2高效能Power IC 測試平臺,吸引了超過60家臺灣半導(dǎo)體公司、近200位半導(dǎo)體
2022-10-26 16:37:361106

九芯電子推出高效能、高密度之OTP語音存儲解決方案

低成本、高效直是電子產(chǎn)品的評判標(biāo)準(zhǔn),九芯電子構(gòu)想推出高效能、高密度之 OTP 語音存儲解決方案,該解決方案系運用九芯電子開發(fā)的OTP嵌入式NVC語音芯片技術(shù),能夠同時滿足低成本、高容量的市場需求。
2022-10-28 11:18:16563

智能手機內(nèi)存技術(shù)進(jìn)入LPDDR5x時代

時間跳躍到兩年多前,2020年2月6日小米宣布其旗艦產(chǎn)品小米10全球首發(fā)LPDDR5 DRAM芯片,標(biāo)志著智能手機DRAM技術(shù)從LPDDR4x進(jìn)入了LPDDR5。相比于速率為4266Mbps
2022-11-17 11:07:392539

信創(chuàng)云存儲解決方案:讓海量數(shù)據(jù)跑出讀寫“加速度”

內(nèi)存模組和服務(wù)器系統(tǒng)盤 ,致力于為企業(yè)級客戶提供高性能、高可靠和低擁有成本的服務(wù)器存儲解決方案,讓海量數(shù)據(jù)跑出讀寫“加速度”。 ? 、RD100服務(wù)器內(nèi)存:高能效、高可靠、兼容性更好 存儲Marketing部副總經(jīng)理李振華表示:“服務(wù)器內(nèi)存模塊達(dá)
2022-11-30 11:24:29547

美光LPDDR5X移動內(nèi)存正持續(xù)受到市場青睞

小米集團手機部副總裁許春利表示:“移動計算需求日益旺盛,更快且更低功耗的內(nèi)存尤為重要。美光 LPDDR5X 是目前最先進(jìn)的移動內(nèi)存產(chǎn)品,有效提升移動計算攝影、本地 AI 翻譯等功能的使用體驗。
2022-12-12 11:14:56756

美光 LPDDR5X 先進(jìn)內(nèi)存助力 Xiaomi 13 打造智能手機新體驗

LPDDR5 提升 33%。與去年秋季所實現(xiàn)的每秒 7.5 Gb 速率相比,該款滿血版 LPDDR5X 速率進(jìn)步提升,為需要高性能內(nèi)存的高帶寬
2022-12-12 18:12:05893

Cadence宣布為新一代AI、汽車和移動應(yīng)用推出業(yè)界流的8533Mbps LPDDR5X IP解決方案

到 8533Mbps 的運行速度,比前 LPDDR IP 快 33%。Cadence LPDDR5X IP 現(xiàn)可供客戶使用,它擁有個新的高性能、可擴展架構(gòu),該架構(gòu)基于 Cadence 成功且完善
2022-12-27 10:49:041457

Cadence與SK海力士LPDDR5XLPDDR5T可實現(xiàn)互操作性

Cadence LPDDR5X IP 現(xiàn)已支持客戶使用,該 IP 采用全新高性能、可擴展的自適應(yīng)架構(gòu),并依托于 Cadence 久經(jīng)驗證且大獲成功的 LPDDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線。
2023-04-21 12:46:311574

DFI 5.0如何確保DDR5/LPDDR5系統(tǒng)的更高性能

數(shù)據(jù)中心、存儲、汽車和其他新興市場應(yīng)用的增長正在推動下一代內(nèi)存技術(shù)(DDR5、LPDDR5)的發(fā)展。與其前輩樣,最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI,以降低集成成本并提高性能
2023-05-26 11:13:402625

Kioxia推出新一代UFS Ver.4.0設(shè)備

持續(xù)推進(jìn)通用閃存存儲技術(shù)[1](UFS)的發(fā)展,Kioxia Corporation是全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商,今天宣布推出新一代高性能UFS Ver. 4.0嵌入式閃存存儲設(shè)備,并已開始進(jìn)行
2023-06-02 09:55:39742

芯科普 | 文讀懂存儲主流配置LPDDR

。 LPDDR也分為MDDR、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5LPDDR5X,和DDR樣,數(shù)據(jù)處理速度和節(jié)能性隨著代數(shù)的增加而提高。 LPDDR2 第二低功耗內(nèi)存技術(shù) LPDDR2 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范于
2023-06-22 08:40:023249

SK海力士LPDDR5T高速內(nèi)存將應(yīng)用于聯(lián)發(fā)科下一代天璣旗艦平臺

2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps,超過了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移動平臺中速度最快。隨著2026年左右新一代lpddr6內(nèi)存正式上市,預(yù)計LPDDR5T將成為2023年到2025年最強大的移動平臺。
2023-08-11 09:47:52955

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存種第四低功耗DDR內(nèi)存,是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點是速度
2023-08-21 17:16:449055

MediaTek運用Meta Llama 2大語言模型,賦能終端設(shè)備生成式AI應(yīng)用

(NeuroPilot),建立完整的終端側(cè)AI計算生態(tài),加速智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、智能家居和其他邊緣設(shè)備AI應(yīng)用開發(fā),為終端設(shè)備提供更安全、可靠和差異化的使用體驗。預(yù)計年末采用 MediaTek 新一代天璣旗艦
2023-08-24 13:41:03345

讀速2100MB/s、頻率6400Mbps,基于LPDDR5的uMCP賦能智能手機高效運行

數(shù)據(jù)。存儲依托自身的存儲解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測等優(yōu)勢,推出了基于LPDDR5LPDDR4X的uMCP集成式存儲芯片,產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點,能夠滿足手機不斷增長的性能和容量等需求?!?? 基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存
2023-10-11 11:33:34409

讀速2100MB/s、頻率6400Mbps,基于LPDDR5的uMCP賦能智能手機高效運行

數(shù)據(jù)。存儲依托自身的存儲解決方案研發(fā)、先進(jìn)封測等優(yōu)勢,推出了基于LPDDR5LPDDR4X的uMCP集成式存儲芯片,產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點,能夠滿足手機不斷增長的性能和容量等需求?!?基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲芯片,
2023-10-11 16:15:02677

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02959

LPDDR5X來襲!準(zhǔn)備迎接內(nèi)存速度大爆炸!

如今,智能、互聯(lián)和帶寬密集型應(yīng)用依賴于超快、低延遲的內(nèi)存訪問,以實現(xiàn)我們?nèi)粘I钏蕾嚨?b class="flag-6" style="color: red">一系列功能。那么,什么樣的技術(shù)能夠滿足這些要求?答案就是LPDDR5X SDRAM JEDEC標(biāo)準(zhǔn),它是LPDDR5的可選擴展。
2023-12-18 17:19:582318

智譜AI推出新一代基座大模型GLM-4

智譜AI近日宣布推出新一代基座大模型GLM-4。這模型在整體性能上相較上一代實現(xiàn)了大幅提升,其表現(xiàn)已逼近GPT-4。
2024-01-17 15:29:37971

美光發(fā)布基于LPDDR5X的LPCAMM2內(nèi)存模塊

(SODIMM)以來,客戶端 PC 首次采用顛覆性的全新外形規(guī)格。美光 LPCAMM2 模塊采用 LPDDR5X DRAM,與 SODIMM 產(chǎn)品相比,能在網(wǎng)頁瀏覽和視頻會議1等 PCMark10 重要工作負(fù)載中將功耗降低高達(dá) 61%2 ,性能提升高達(dá) 71%,空間節(jié)省達(dá) 64%3 。
2024-01-19 16:00:35666

美光LPDDR5X內(nèi)存模塊LPCAMM2掀起革新風(fēng)暴

進(jìn)入新時代,隨著人工智能PC等新技術(shù)的崛起,傳統(tǒng)內(nèi)存已然無法滿足現(xiàn)實需求。近期,全球內(nèi)存巨頭美光首次發(fā)布了新型基于LPDDR5x的LPCAMM2內(nèi)存模塊,賦予客戶端市場全新的性能體驗。
2024-01-23 10:25:38669

存儲研發(fā)突破,為AI高性能計算賦能

近日,存儲在接受調(diào)研時透露,公司近期成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL2.0規(guī)范的CXLDRAM內(nèi)存擴展模塊。這款產(chǎn)品具有支持內(nèi)存容量和帶寬擴展、內(nèi)存池化共享、高帶寬、低延遲、高可靠性等優(yōu)勢,特別適合于AI高性能計算的應(yīng)用。
2024-01-23 16:13:02756

新一代高性能DC電源模塊的發(fā)展趨勢

新一代高性能DC電源模塊的發(fā)展趨勢 1. 高集成化:新一代高性能DC電源模塊會越來越趨向于高度集成化,減小體積的同時提高功率密度,使得模塊更加緊湊、輕便,適用于更多的應(yīng)用場景。 2. 高效能:高能效是DC電源模塊發(fā)展的重要方向。新一代高性能DC電源
2024-02-23 13:32:46370

美光LPDDR5X與UFS 4.0賦能三星Galaxy S24系列,AI體驗再升級

美光科技近日宣布,其低功耗LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0移動閃存存儲技術(shù)已成功應(yīng)用于三星Galaxy S24系列部分設(shè)備中,為全球手機用戶帶來了前所未有的人工智能體驗。
2024-03-27 09:52:374603

美光推LPDDR5X內(nèi)存,助提升手機電池續(xù)航

參考IT之家早先報道,美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世,最大容量16GB,適配高通驍龍8Gen3平臺;SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T內(nèi)存。
2024-04-15 15:05:32622

三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

近日,三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
2024-04-17 14:58:25635

三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高

值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級制程工藝,相較前代產(chǎn)品性能提升超過25%,容量增加30%。
2024-04-17 16:29:16634

存儲發(fā)布了工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片

近日,存儲發(fā)布了工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片,該產(chǎn)品傳輸速率高達(dá)4266Mbps,容量覆蓋2GB~8GB,可適應(yīng)-40℃~95℃寬溫工作環(huán)境;
2024-05-06 10:06:19478

存儲推出工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片

近日,存儲重磅推出了工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片。這款芯片憑借其出色的性能,傳輸速率飆升至4266Mbps,同時容量靈活多變,從2GB到8GB均可選擇。令人矚目的是,它能在極端溫度條件下穩(wěn)定運行,適應(yīng)-40℃至95℃的寬廣溫度范圍。
2024-05-06 15:47:25472

美光推出Crucial英睿達(dá)LPCAMM2內(nèi)存模組,采用LPDDR5X技術(shù),首家聯(lián)發(fā)

此款LPCAMM2內(nèi)存采用了LPDDR5X技術(shù),最高速度達(dá)到7500MT/s,遠(yuǎn)超DDR5 SO-DIMM的1.3倍,同時還能將待機功耗降低80%。與焊接式內(nèi)存不同,LPCAMM2支持模塊化升級,方便用戶根據(jù)需求進(jìn)行內(nèi)存擴容。
2024-05-08 11:41:39504

存儲發(fā)布工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片

在工業(yè)領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">高性能存儲需求日益增長的背景下,存儲近日重磅推出了其全新的工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片。這款芯片以其卓越的性能和廣泛的適用性,再次刷新了工業(yè)存儲領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)。
2024-05-11 14:34:24817

高效能ZR執(zhí)行器:推動工業(yè)4.0進(jìn)程加速

加速工業(yè)4.0的進(jìn)程,為制造業(yè)的未來發(fā)展注入強大動力。 高效能ZR執(zhí)行器,作為工業(yè)自動化領(lǐng)域的杰出代表,以其高效、穩(wěn)定、精確的特性,成為工業(yè)4.0時不可或缺的重要組件。它采用先進(jìn)的控制算法和精密的傳動機構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)對機器設(shè)備的精準(zhǔn)
2024-05-16 10:54:05348

AMD重磅發(fā)布新一代AI PC芯片

AMD CEO蘇姿豐于近日在臺北國際電腦展(COMPUTEX)上亮相,首次發(fā)布了AMD Zen 5系列的下一代高效能運算CPU——“Ryzen 9 9950X”。這款處理器不僅挑戰(zhàn)了全球運算速度最快的CPU,更預(yù)示了AMD在高性能計算領(lǐng)域的雄心壯志。
2024-06-05 11:01:39756

M31宣布推出先進(jìn)LPDDR內(nèi)存IP,助力HPC高效能運算應(yīng)用

M31宣布推出最新的LPDDR內(nèi)存IP解決方案,以滿足高效能運算(HPC)應(yīng)用市場日益增長的需求,甚至放眼人工智能(AI)領(lǐng)域,除了算力之外,還有儲存、快速擷取、加密和巨量信息分析,因此,AI從云端到邊緣端的蓬勃發(fā)展,也將帶動龐大內(nèi)存IP商機。
2024-06-24 11:24:34459

三星10.7Gbps LPDDR5X在聯(lián)發(fā)科技下一代天璣移動平臺上完成驗證

三星今日宣布,已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。 此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB
2024-07-16 15:55:06633

三星10.7Gbps LPDDR5X成功在聯(lián)發(fā)科天璣平臺上完成兼容性驗證

7月16日,三星電子宣布了項重大技術(shù)突破,其最新研發(fā)的10.7千兆比特每秒(Gbps)LPDDR5X DRAM已成功在聯(lián)發(fā)科技即將推出的下一代天璣旗艦移動平臺上完成兼容性驗證。此次合作中,三星采用了16GB容量的LPDDR5X封裝規(guī)格,為天璣9400移動平臺(預(yù)計下半年發(fā)布)的強勁性能奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-07-16 16:15:14375

什么是滿級性能?天璣9400和10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存強強結(jié)合

天璣9400不僅在制程技術(shù)、CPU架構(gòu)和內(nèi)存速度上實現(xiàn)了全面的升級,更是展示了聯(lián)發(fā)科在行業(yè)競爭中的領(lǐng)先地位。隨著年底的臨近,全球各大廠商將陸續(xù)推出搭載天璣9400和10.7Gbps LPDDR5X
2024-07-16 14:31:02267

如何為柜式終端設(shè)備選配(集成)二碼模塊?

隨著二碼技術(shù)在各行各業(yè)的廣泛應(yīng)用,柜式終端設(shè)備如何高效集成二碼模塊成為行業(yè)關(guān)注焦點。針對這需求,本文將深入探討選擇與集成二碼模塊的關(guān)鍵要素,助力企業(yè)精準(zhǔn)匹配,提升終端設(shè)備性能。在柜式終端設(shè)備
2024-08-05 15:48:55214

三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用

深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)步鞏固三星在
2024-08-06 08:32:46280

三星電子實現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)

三星電子于6日正式宣布,其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè),同時提供12GB及16GB的存儲容量選項。
2024-08-06 15:30:42480

三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破

三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達(dá)9%,展現(xiàn)了三星在內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新能力。
2024-08-07 11:21:46916

內(nèi)存新突破:推出全球首款量產(chǎn)RGB CUDIMM

內(nèi)存領(lǐng)域新飛躍!隨著新一代Intel?Z890平臺發(fā)布,國產(chǎn)實力存儲品牌BIWIN與OC?LAB超頻實驗室聯(lián)合打造新一代CUDIMM內(nèi)存——DW100時空行者DDR5?RGB?CUDIMM
2024-10-25 16:59:27168

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