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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時(shí)序新標(biāo)桿!

科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時(shí)序新標(biāo)桿!

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DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢(shì)?

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什么是DDR SDRAM內(nèi)存

什么是DDR SDRAM內(nèi)存 DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱(chēng)其為“雙”,也
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新技術(shù)內(nèi)存接口DDR5有望2019年量產(chǎn)

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2017-09-26 15:09:203238

三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對(duì)比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計(jì)

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2017-11-15 16:36:0343800

DDR4已經(jīng)OUT Cadence宣布DDR5全新進(jìn)展

DDR4內(nèi)存目前還是絕對(duì)主流,不斷被深入挖潛,頻率已經(jīng)突破5GHz,不過(guò)下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動(dòng)了。
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DDR5內(nèi)存條預(yù)計(jì)2019年底量產(chǎn)

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SK海力士發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒 并擁有最多32個(gè)Bank

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Redmi盧偉冰:8+64內(nèi)存是個(gè)偉大的發(fā)明,DDR5內(nèi)存等明年Q1

12月11日消息,剛剛小米集團(tuán)副總裁、中國(guó)區(qū)總裁、紅米R(shí)edmi品牌總經(jīng)理盧偉冰在微博稱(chēng),“想要DDR5還是等明年Q1吧”,采用DDR4X內(nèi)存5G時(shí)代已經(jīng)算不上旗艦了。
2019-12-11 15:55:115173

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日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài),公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
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2020-01-07 09:31:244967

美光宣布開(kāi)始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

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SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條,性能有巨大的提升

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SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條展示,采用1znm內(nèi)存制造工藝制造

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美光宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

美光于前日宣布已經(jīng)開(kāi)始向業(yè)界中的核心客戶(hù)出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
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SK海力士展示單條64GB DDR5內(nèi)存 頻率最高可達(dá)6400MHz

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DDR5 RDIMM內(nèi)存采用288引腳,有望將芯片運(yùn)行電壓降至1.1V

根據(jù)消息報(bào)道,他們?cè)贑ES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹,DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個(gè)引腳,但是引腳布局和設(shè)計(jì)與DDR4有所不同,兩者互不兼容。
2020-01-14 15:42:525452

合肥長(zhǎng)鑫的DDR4內(nèi)存對(duì)外供貨 進(jìn)軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內(nèi)存

嚴(yán)格來(lái)說(shuō),合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā),也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中,但是紫光國(guó)微沒(méi)有生產(chǎn)能力,DDR內(nèi)存無(wú)法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:112904

關(guān)于DDR5你知道多少 DDR5的新挑戰(zhàn)

驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專(zhuān)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng),服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:009435

Intel和AMD明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái) 三星2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存

據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng),由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。
2020-03-28 10:41:294126

5G時(shí)代你是等DDR5上市 還是升級(jí)DDR4內(nèi)存

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2020-03-30 09:25:3710254

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盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 10:17:213948

SK海力士DDR5內(nèi)存可到128GB

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:482883

SK海力士公布DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),單條內(nèi)存最大可到128GB

盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:545605

DDR5單條內(nèi)存128GB不再遙遠(yuǎn),性能和容量均兼?zhèn)?/a>

內(nèi)存ddr4和顯卡ddr5

今年,小米10等智能手機(jī)都開(kāi)始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過(guò)在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:122780

DDR5內(nèi)存DDR4內(nèi)存差異總結(jié)

DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率,更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716997

詳談智能手機(jī) LPDDR5 內(nèi)存與電腦 DDR4 內(nèi)存的區(qū)別

2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了,容量也達(dá)到了8GB以上,16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4,DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn),還沒(méi)量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:389988

DDR5內(nèi)存即將到來(lái)!

近幾個(gè)月來(lái),有關(guān)下一代DDR內(nèi)存的討論一直沸沸揚(yáng)揚(yáng),因?yàn)橹圃焐虃円恢痹谡故靖鞣N各樣的測(cè)試模塊,為推出完整的產(chǎn)品做準(zhǔn)備。計(jì)劃使用DDR5的平臺(tái)也在迅速興起,在消費(fèi)者中廣泛使用之前,預(yù)計(jì)將在企業(yè)端首次
2020-10-23 15:11:012867

DDR5內(nèi)存DDR4有啥不同

第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感,也許正是這個(gè)原因,很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái),特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同,我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5418730

DDR4到DDR5花了將近10年,DDR5將有什么重大突破?

2018年10月,Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度,兩家廠商已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:075828

十銓將發(fā)布 ELITE 系列 DDR5 內(nèi)存:功耗降低 10%,支持 ECC

12 月 1 日消息 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,十銓將于 2021 年發(fā)布 ELITE 系列 DDR5 內(nèi)存,首款產(chǎn)品是 16GB DDR5-4800 內(nèi)存。 據(jù)介紹,十銓首款
2020-12-01 15:33:232760

嘉合勁威布局DDR5內(nèi)存:明年量產(chǎn)、Q2首發(fā)單條16GB

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。 目前,嘉合勁威正在
2020-12-02 12:12:581976

嘉合勁威將在2021年率先實(shí)現(xiàn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)

擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組,有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示,正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:361929

國(guó)內(nèi)廠商已開(kāi)始布局DDR5內(nèi)存明年量產(chǎn)

DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了,算算迭代的速度,DDR5也該來(lái)了,而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252664

DDR5內(nèi)存將在明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了,算算迭代的速度,DDR5也該來(lái)了,而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552427

DDR5內(nèi)存將面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:512726

十銓已開(kāi)啟DDR5內(nèi)存模組的開(kāi)發(fā)測(cè)試

繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后,十銓?zhuān)═eamGroup)現(xiàn)已開(kāi)啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開(kāi)發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作,對(duì) DDR5 工程
2020-12-16 15:40:332062

廠商加快DDR5內(nèi)存條研發(fā)速度

繼十銓?zhuān)═EAMGROUP)之后,威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
2021-01-06 17:04:552194

威剛演示下一代DDR5內(nèi)存渲染圖

CES 2021期間,存儲(chǔ)大廠威剛“拿”出了他們的下一代DDR5內(nèi)存,不過(guò)不是實(shí)物,只是渲染圖。
2021-01-15 09:44:332534

十銓稱(chēng)已成功開(kāi)發(fā)DDR5 SO-SIMM內(nèi)存,希望率先與Intel、AMD的新平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證合作

去年底,TEAMGROUP(十銓?zhuān)┬颊_(kāi)發(fā)DDR5內(nèi)存條(U-DIMM,用于臺(tái)式機(jī))?,F(xiàn)在,SO-DIMM形態(tài)的DDR5內(nèi)存也官宣了,筆記本、迷你機(jī)、NAS等將因此受益。 十銓稱(chēng)已成功開(kāi)發(fā)
2021-01-26 16:43:212836

DDR3內(nèi)存突然漲價(jià)50% DDR5內(nèi)存將要上市

最快在2021年9月份,隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái),DDR5內(nèi)存也要商用了,今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來(lái)了,DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰,但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:393502

國(guó)產(chǎn)品牌阿斯加特推首款DDR5內(nèi)存

2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203529

三星電子宣布開(kāi)發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達(dá)到512GB的DDR5內(nèi)存模組

Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn),三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器(Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流)兼容。根據(jù)路線圖,Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器,年底前登陸,除了DDR5,還會(huì)首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092262

新一代DDR5 DIMM的五大亮點(diǎn),下一代服務(wù)器內(nèi)存展望

DDR5內(nèi)存的第二大改良是工作電壓(VDD)有所下降,進(jìn)而帶來(lái)功耗的相應(yīng)降低。采用DDR5之后,DRAM、緩沖芯片寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器(DB)的供電電壓從1.2V下降到1.1V。
2021-04-20 15:22:375012

DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)

回顧2020年,在新基建的驅(qū)動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14日
2021-05-01 09:31:002290

DDR5首發(fā)上市,憑什么江波龍能做第一個(gè)吃螃蟹的企業(yè)?

我們都知道,隨著DDR5內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)的公布,各大企業(yè)都爭(zhēng)相研發(fā)DDR5內(nèi)存模組,想要抓住DDR5內(nèi)存模組發(fā)展的黃金時(shí)期,搶占DDR5內(nèi)存模組市場(chǎng)。雖然存儲(chǔ)行業(yè)中的每個(gè)參與者都有此想法,但是能真正做到
2021-05-08 14:03:23626

金泰克速虎T4 DDR5內(nèi)存正式發(fā)售 大容量 高頻率 低功耗

2020年,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開(kāi)始。進(jìn)入2021年,多家存儲(chǔ)企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:432758

DDR5放量元年 上游三巨頭積極部署

近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱(chēng),英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142323

美光正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿(mǎn)足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161951

Longsys DDR5內(nèi)存條預(yù)計(jì)在2022年進(jìn)入量產(chǎn)階段

行業(yè)客戶(hù)以及廣大用戶(hù)對(duì)產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-DIMM內(nèi)存條產(chǎn)品,并率先進(jìn)行實(shí)際測(cè)試。 目前Longsys DDR5內(nèi)存條順利開(kāi)發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM
2021-11-02 10:09:393123

金士頓DDR5內(nèi)存通過(guò)英特爾內(nèi)存解決方案_瑞虎8西伯利亞版上市發(fā)布

2021年10月9日北京訊,全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布,即將推出的DDR5內(nèi)存已通過(guò)英特爾平臺(tái)認(rèn)證,這是一個(gè)重要的里程碑,因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過(guò)英特爾DDR5平臺(tái)兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161298

DDR5 32GB VLP RDIMM工規(guī)內(nèi)存模塊的特點(diǎn)

隸屬于SGH (Nasdaq: SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊,這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:472061

主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表

主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:2524

朗科越影Ⅱ DDR5內(nèi)存正式發(fā)布,全新外觀搭配強(qiáng)勁性能

4800MHz;集成PMIC電源管理芯片,電壓降至1.1V,功耗更低;加入On-dieEcc糾錯(cuò)功能,運(yùn)行更加穩(wěn)定等。 除了一線品牌外,老牌存儲(chǔ)廠商朗科也在積極布局這一領(lǐng)域,繼絕影RGB DDR5之后,朗科又將推出越影Ⅱ DDR5內(nèi)存,和絕影系列一樣,越影ⅡDDR5同樣定位中高
2022-05-24 16:29:381107

DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何那么貴

DDR5DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過(guò)于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:504518

DDR5內(nèi)存具體有哪些變化

從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng),同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求,DDR5之類(lèi)的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲(chǔ)、傳送和處理這些數(shù)據(jù),推動(dòng)著高速信令的極限,也給內(nèi)存帶來(lái)了前所未有的測(cè)試挑戰(zhàn)。
2022-08-01 17:48:101092

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用

該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:481537

KLEVV賦重磅推出CRAS XR5 RGB DDR5超頻電競(jìng)內(nèi)存

2022年9月27日, KLEVV賦正式宣布推出新一代DDR5超頻電競(jìng)內(nèi)存條——CRAS XR5 RGB ,采用全新DDR5記憶體標(biāo)準(zhǔn),專(zhuān)為次世代操作系統(tǒng)量身打造,與第十二代Intel? Core
2022-09-27 11:36:40355

專(zhuān)門(mén)為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)的DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專(zhuān)門(mén)為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性?xún)?yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:485279

HOF OC Lab大師系列DDR5 5800內(nèi)存硬件解析

從產(chǎn)品本身來(lái)看,與那些經(jīng)常使用黑色、銀色散熱器的高端DDR5內(nèi)存不同,HOF OC Lab大師系列內(nèi)存給人的第一印象更為清新,它采用了典雅的純白鋁合金散熱片設(shè)計(jì),搭配黑色的名人堂Logo,凸顯高端與時(shí)尚。
2022-11-01 16:15:241031

SMART Modular世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊

隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊,為刀鋒服務(wù)器專(zhuān)用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。
2022-11-03 13:48:041005

8Gbps DDR5內(nèi)存來(lái)襲,聯(lián)合設(shè)計(jì)是否會(huì)成為常態(tài)?

基于原生的64位數(shù)據(jù)通道,可以提供更快的速率,也隨著DDR4、DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展,迎來(lái)了更大的帶寬。 根據(jù)Exactitude Consultancy的統(tǒng)計(jì),從2021年到2026年,全球DIMM市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)22%的年復(fù)合增長(zhǎng)率,總市值在2026年突破100億美元。三星、SK海力士、美光等廠商也
2022-12-12 07:10:06909

KLEVV內(nèi)存實(shí)力豐富人們的數(shù)字生活體驗(yàn)!

KLEVV賦,2022發(fā)布的DDR5 CRAS XR5 RGB超頻電競(jìng)內(nèi)存條和DDR5新一代SO-DIMM/U-DIMM5600高頻普條均獲得業(yè)界強(qiáng)烈的反響。
2022-12-15 17:10:031637

ChatGPT帶旺服務(wù)器需求,Rambus發(fā)布第三代DDR5 RCD芯片,提前卡位DDR5市場(chǎng)爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)隨著服務(wù)器CPU更多的開(kāi)始支持DDR5,服務(wù)器的內(nèi)存也正向DDR5滲透,Rumbus公司預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。事實(shí)上,作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:134575

DDR4和DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:442272

內(nèi)存模組的類(lèi)型

和筆記本。內(nèi)存模組的類(lèi)型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代,標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:382585

芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存評(píng)測(cè)分析

今天我們測(cè)試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存,在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻,時(shí)序也控制在CL36-46-46-115 CR2,并且單條容量達(dá)到了24GB。
2023-06-26 10:39:411334

EUV光刻DDR5內(nèi)存狂飆 單條1TB不是夢(mèng)

隨著制程工藝的進(jìn)步,DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題,解決辦法就是上EUV光刻機(jī),但是設(shè)備實(shí)在太貴,現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴,DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:071172

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2522728

XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測(cè)試詳解

在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:421469

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31331

內(nèi)存大漲價(jià)!DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿(mǎn)足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求,DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40488

臺(tái)電追風(fēng)A60 DDR5內(nèi)存條全面上市

追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格,相較DDR4,性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬,讓用戶(hù)在使用臺(tái)電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:491050

影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)報(bào)告

在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測(cè),這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同,這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01659

lpddr5時(shí)序ddr5慢多少

LPDDR5DDR5是兩種不同類(lèi)型的內(nèi)存,它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">時(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景,并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先,讓我們來(lái)了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:063874

DDR5內(nèi)存沖上8400MHz!DDR3L依然大行其道

硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道:CES 2024大展期間,雷克沙帶來(lái)了豐富的存儲(chǔ)方案,涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲(chǔ)卡等,包括頂級(jí)的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:271180

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:057564

南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量,預(yù)計(jì)明年產(chǎn)量將會(huì)進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:09710

Rambus 通過(guò) DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組

提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù)器 PMIC,滿(mǎn)足AI及其他高級(jí)工作負(fù)載對(duì)最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過(guò)全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù)器 為 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-21 11:29:45228

0706線下活動(dòng) I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專(zhuān)題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專(zhuān)題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間:2024年7月6日(本周六)10:00地點(diǎn):深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號(hào)線,高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51230

DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線

DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒(méi)有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開(kāi)始使用DDR5沒(méi)有,你有關(guān)注過(guò)DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線嗎?
2024-07-16 17:47:131490

DDR5內(nèi)存面臨漲價(jià)潮,存儲(chǔ)巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

近日,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)傳來(lái)重大消息,SK海力士正式通知市場(chǎng),其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%,這一舉動(dòng)無(wú)疑給市場(chǎng)投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:21575

DDR5規(guī)范重磅面世,揭幕下一代內(nèi)存大戰(zhàn)!

7月15日,JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn),劍指下一代高性能計(jì)算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱(chēng),DDR5是為了滿(mǎn)足高效率高性能的多種需求所設(shè)計(jì)的,不僅包括客戶(hù)端系統(tǒng),還有高性能服務(wù)器,為未來(lái)的數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:517030

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