步驟會(huì)影響AIO
蝕刻性能，甚至導(dǎo)致圖案缺陷。研究表明，圖案失效缺陷的數(shù)量與ST250的壽命密切相關(guān)，ST 250用于在金屬硬
蝕刻工藝后去除聚合物。實(shí)驗(yàn)表明，延長(zhǎng)ST250上升時(shí)間并增加一個(gè)洗滌器
工藝步驟可以獲得與運(yùn)行時(shí)間 50小時(shí)的舊酸相當(dāng)?shù)娜毕菪?/div>
2022-06-01 15:55:46
7809 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:221344 
`各位大神，小弟初學(xué)LV，想編一個(gè)工藝流程仿真計(jì)算的軟件，類(lèi)似這樣一個(gè)東西如圖所示：先設(shè)置每一個(gè)單體設(shè)備的具體參數(shù)，然后運(yùn)行，得出工藝流程仿真計(jì)算的結(jié)果，計(jì)算模型有很多公式，可以直接編程。但要想達(dá)到
2015-11-17 17:18:22
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開(kāi)始時(shí)，金屬板表面被圖形保護(hù)，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時(shí)蝕刻垂直向深度進(jìn)行。當(dāng)金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬面，這時(shí)蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi)：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
PCB工藝流程詳解PCB工藝流程詳解
2013-05-22 14:46:02
產(chǎn)品生產(chǎn)狀態(tài)分為內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，根據(jù)藥水性質(zhì)分為酸性時(shí)刻額和堿性蝕刻，蝕刻的原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，通俗點(diǎn)說(shuō)就是通過(guò)化學(xué)藥水和銅反應(yīng)，將芯板上露出來(lái)的銅腐蝕掉，沒(méi)有接觸過(guò)蝕刻的朋友可能有疑問(wèn)：藥水怎么知道
2016-07-08 15:26:31
PCB堿性蝕刻常見(jiàn)問(wèn)題原因及解決方法
2012-08-03 10:14:05
）蝕刻液PH值太高，堿性水溶干膜與油墨就很容易遭到破壞 ?。?）子液補(bǔ)給系統(tǒng)失控 ?。?）光致抗蝕劑本身的類(lèi)型不正確，耐堿性能差 解決方法： ?。?）按照工藝規(guī)范確定的值進(jìn)行調(diào)整。 ?。?）檢測(cè)子液
2018-09-19 16:00:15
`請(qǐng)問(wèn)PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
消耗2克分子氨和2克分子氯化銨。因此，在蝕刻過(guò)程中，隨著銅的溶解，應(yīng)不斷補(bǔ)加氨水和氯化銨。應(yīng)用堿性蝕刻液進(jìn)行蝕刻的典型工藝流程如下：鍍覆金屬抗蝕層的印制板(金、鎳、錫鉛、錫、錫鎳等鍍層) →去膜→水洗
2018-02-09 09:26:59
PCB制造工藝流程是怎樣的？
2021-11-04 06:44:39
，可做細(xì)線路。歐美、中國(guó)企業(yè)大多數(shù)用此工藝生產(chǎn)?！ ? 板面也鍍蝕刻法(panel plating etch process) (1)流程下料→鉆孔→PTH(化學(xué)鍍銅)→板面鍍銅→光成像→酸性蝕刻
2018-09-21 16:45:08
液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)
2018-09-11 15:19:38
類(lèi)型，通過(guò)試驗(yàn)方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬。 2）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液
2013-10-31 10:52:34
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
銜接上文，繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。如圖，第五道主流程為圖形轉(zhuǎn)移。圖形轉(zhuǎn)移的目的為：利用光化學(xué)原理，將圖形線路的形狀轉(zhuǎn)移到印制板上，再利用化學(xué)原理，將圖形線路在印制板上制作
2023-02-17 11:46:54
鍍金)→蝕刻→檢驗(yàn)→絲印阻焊→(熱風(fēng)整平)→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)?！ ?、雙面板噴錫板工藝流程 下料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二次鉆孔→檢驗(yàn)→絲印阻焊→鍍金插頭→熱風(fēng)整
2018-09-17 17:41:04
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過(guò)這樣做，我們開(kāi)發(fā)了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過(guò)在 H 中蝕刻形成具有對(duì)應(yīng)于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關(guān)鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
的，并且在光刻膠顯影步驟后驗(yàn)證了附著力。沒(méi)有參考文獻(xiàn)提到在濕蝕刻過(guò)程中使用預(yù)涂層處理來(lái)提高附著力，也沒(méi)有觀察到對(duì)濕蝕刻輪廓的影響，這通常歸因于蝕刻劑的 GaAs 晶體結(jié)構(gòu)和特性。 背景： 流程變更 對(duì)我們
2021-07-06 09:39:22
和 6 英寸晶片具有 100 納米 LPCVD 氮化物層掩蔽材料。晶片在一側(cè)用光刻法進(jìn)行圖案化，然后在工藝流程中通過(guò)干法蝕刻氮化物和/或熱氧化物層以給出所需的圖案略III. 電阻結(jié)果與討論 略IV.
2021-07-19 11:03:23
氟化氫 (HF)）的混合溶液中，使用貴金屬（例如 Au、Ag 或 Pt）蝕刻其下方的硅。1，3圖1描繪了MacEtch過(guò)程的示意圖。圖 2 顯示了 MacEtch 工藝流程。從圖 1 中可以看出，通過(guò)
2021-07-06 09:33:58
。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻
2018-04-05 19:27:39
關(guān)于這個(gè)酸堿性蝕刻廢液再生跟提銅設(shè)備的實(shí)用性以及優(yōu)缺點(diǎn)有沒(méi)有人知道呢?還有就是想自己提銅，又怎么過(guò)環(huán)保局這一關(guān)呢
2014-10-15 10:15:52
關(guān)于黑孔化工藝流程和工藝說(shuō)明，看完你就懂了
2021-04-23 06:42:18
選擇性焊接的工藝特點(diǎn)是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個(gè)步驟
2021-04-25 08:59:39
摘要：在印制電路制作過(guò)程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過(guò)程具有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義，特別是對(duì)于精細(xì)線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
適用范圍 印制線路板制造業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)集中開(kāi)展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術(shù)內(nèi)容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進(jìn)行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產(chǎn)工業(yè)級(jí)硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開(kāi)機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
單面板工藝流程 下料磨邊→鉆孔→外層圖形→（全板鍍金）→蝕刻→檢驗(yàn)→絲印阻焊→（熱風(fēng)整平）→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn) 雙面板噴錫板工藝流程 下料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫
2018-08-29 10:53:03
不同的工藝流程做詳細(xì)的介紹?！ ?、單面板工藝流程下料磨邊→鉆孔→外層圖形→（全板鍍金）→蝕刻→檢驗(yàn)→絲印阻焊→（熱風(fēng)整平）→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)?！ ?、雙面板噴錫板工藝流程下料磨邊→鉆孔→沉銅
2017-12-19 09:52:32
銜接上文，繼續(xù)為朋友們分享普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程。如圖，第五道主流程為圖形轉(zhuǎn)移。圖形轉(zhuǎn)移的目的為：利用光化學(xué)原理，將圖形線路的形狀轉(zhuǎn)移到印制板上，再利用化學(xué)原理，將圖形線路在印制板上制作
2023-02-17 11:54:22
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái)，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時(shí)也制造一些工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
樣板貼片的工藝流程是什么
2021-04-26 06:43:58
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn)，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
。 2·蝕刻液的種類(lèi)﹕ 不同的蝕刻液,其化學(xué)組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。 3·蝕刻速率： 蝕刻
2017-06-24 11:56:41
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
芯片生產(chǎn)工藝流程是怎樣的？
2021-06-08 06:49:47
鍍金)→蝕刻→檢驗(yàn)→絲印阻焊→(熱風(fēng)整平)→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)。2.雙面板噴錫板工藝流程下料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二次鉆孔→檢驗(yàn)→絲印阻焊→鍍金插頭→熱風(fēng)整平→絲印
2017-06-21 15:28:52
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即
2018-09-19 15:39:21
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
貼片電阻的生產(chǎn)工藝流程如何
2021-03-11 07:27:02
因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足
2022-11-07 16:27:40
顯影、蝕刻、去膜（DES）工藝指導(dǎo)書(shū)/說(shuō)明書(shū)
一.目的：本指導(dǎo)書(shū)規(guī)定顯影、蝕刻、去膜（DES）工位的工作內(nèi)容和步驟。
2010-03-08 09:21:427697 本文首先介紹了蝕刻機(jī)的分類(lèi)及用途，其次闡述了蝕刻機(jī)的配件清單，最后介紹了蝕刻機(jī)的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用。
2018-04-10 14:38:324724 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 一． 電鍍工藝的分類(lèi)： 酸性光亮銅電鍍 電鍍鎳/金 電鍍錫 二． 工藝流程： 浸酸→全板電鍍銅
2018-07-15 10:21:1115990 蝕刻液的種類(lèi)：不同的蝕刻液化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數(shù)也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。近來(lái)的研究表明，以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕，達(dá)到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開(kāi)發(fā)。
2018-10-12 11:27:366336 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:352710 
*雙面板噴錫板工藝流程
下料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二次鉆孔→檢驗(yàn)→絲印阻焊→鍍金插頭→熱風(fēng)整平→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)
2019-06-28 15:37:101540 蝕刻（etching）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻（wet etching）和干蝕刻（dry etching）兩類(lèi)。它可通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2019-06-10 16:31:111817 酸性蝕刻是指用酸性溶液蝕去非線路銅層，露出線路部分，完成最后線路成形。
2019-10-03 15:05:0013391 在PCB生產(chǎn)全流程中，有多道工序均會(huì)產(chǎn)生大量的重金屬?gòu)U水，比較典型的有酸性蝕刻廢液、堿性蝕刻廢液、微
2019-08-20 09:21:022523 PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過(guò)程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過(guò)程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護(hù)線路，負(fù)片工藝則是使用干膜或者濕膜來(lái)保護(hù)線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤(pán)的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去，形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587462 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過(guò)程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019 
蝕刻機(jī)的基礎(chǔ)原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去，形成線路。蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻，錫鉛為抗蝕劑
2020-12-24 12:59:384838 芯片制造工藝流程步驟：芯片一般是指集成電路的載體，芯片制造工藝流程步驟相對(duì)來(lái)說(shuō)較為復(fù)雜，芯片設(shè)計(jì)門(mén)檻高。芯片相比于傳統(tǒng)封裝占用較大的體積，下面小編為大家介紹一下芯片的制造流程。
2021-12-15 10:37:4041572 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 
9.濕法氧化 10.熱磷酸去除氮化硅 11.表面涂敷光阻 12.光刻和離子刻蝕，定出 PAD 位置 以上就是晶圓制造工藝流程芯片的制造過(guò)程，具體大概可以簡(jiǎn)稱晶圓處理工序、針測(cè)工序和測(cè)試工序等幾個(gè)步驟，多次重復(fù)上述操作之后，芯片的多層結(jié)構(gòu)搭建完畢，全部清除后就可以看到
2021-12-30 11:11:1617302 引言 為了分析不同尺寸的金字塔結(jié)構(gòu)對(duì)太陽(yáng)能電池特性的影響，我們通過(guò)各種刻蝕工藝在硅片上形成了金字塔結(jié)構(gòu)。在此使用一步蝕刻工藝（堿性溶液蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和金屬輔助化學(xué)蝕刻）以及兩步蝕刻工藝
2022-01-11 14:05:05822 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過(guò)程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241862 
摘要 我們?nèi)A林科納用同步光電發(fā)射光譜法研究了無(wú)氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結(jié)果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子，分別形成弱可溶性氯化鎵和可溶性氫化鎵。因此
2022-01-24 15:07:301071 
本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵(lì)下，在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口矩陣法的科學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來(lái)檢驗(yàn)腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804 
時(shí) 1–5 M KOH 溶液的堿濃度無(wú)關(guān) ?C。僅在堿性濃度越低，蝕刻速率越低。添加異丙醇會(huì)略微降低絕對(duì)蝕刻速率。在標(biāo)準(zhǔn) KOH 溶液中蝕刻反應(yīng)的活化能為 0.61 ± 0.03 eV 和0.62 ± 0.03 eV
2022-03-04 15:07:09845 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒(méi)有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43337 
微加工過(guò)程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過(guò)程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581136 
速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會(huì)向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因?yàn)槠湓谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性，同時(shí)保持了較低的生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。
2022-05-09 15:09:201420 本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長(zhǎng)速率的結(jié)可以
2022-05-20 17:12:59853 
引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動(dòng)放電的rf功率無(wú)關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過(guò)程。加入BCl以開(kāi)始
2022-06-13 14:33:14904 
蝕刻工藝 蝕刻過(guò)程分類(lèi)
2022-08-08 16:35:34736 
這兩種蝕刻液被廣為使用的原因之一是其再生能力很強(qiáng)。通過(guò)再生反應(yīng)，可以提高蝕刻銅的能力，同時(shí)，還能保持恒定的蝕刻速度。在批量PCB生產(chǎn)中，既要保持穩(wěn)定的蝕刻速度，還要確保這一速度能實(shí)現(xiàn)最大產(chǎn)出率，這一點(diǎn)至關(guān)重要。蝕刻速度對(duì)生產(chǎn)速率會(huì)產(chǎn)生很大的影響，所以在對(duì)比蝕刻液的性能時(shí)，蝕刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:198570 蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過(guò)程，而是“減”過(guò)程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類(lèi)，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類(lèi)型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331005 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
無(wú)壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。燒結(jié)銀的燒結(jié)工藝流程就顯得尤為重要
2022-04-08 10:11:34778 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431014 光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422273 蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 
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