與濕法蝕刻相比,等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向(各向異性)的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:00
2670 
摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟,不僅可以有效地去除蝕刻過(guò)程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物,還可以消除包含特征的蝕刻金屬
2021-12-27 14:45:13
2567 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻,通常通過(guò)堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀,TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性,可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種
2022-03-08 14:07:25
1769 
在本研究中,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻,并演示了優(yōu)化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷,我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì),作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:49
1943 
引起的,濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物,這可能影響電特性和進(jìn)一步的器件工藝。XPS結(jié)果表明,濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:50
1012 
或InAsSb材料用于彼此相對(duì)的蝕刻停止層,但是不希望其獨(dú)特的II型破碎帶隙對(duì)準(zhǔn)的器件需要具有良好選擇性的GaSb和AlGaAsSb之間的新的選擇性濕法蝕刻劑。這里描述的所有濕法化學(xué)和干法蝕刻工藝都使用n型GaSb襯底進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-05-11 14:00:42
1025 
引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開(kāi)發(fā)過(guò)程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:46
7809 
初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓,無(wú)論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能,對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查,以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:33
5071 
在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述,一旦掩模就位,可以通過(guò)濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻,圖1顯示了這一過(guò)程的示意圖。
2022-07-06 17:23:52
2869 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過(guò)濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來(lái)沉積二氧化硅,以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:16
1095 
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素
2022-07-12 14:01:13
1365 
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:04
2263 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō),它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:06
2775 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的,普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見(jiàn)下表)。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐,可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:29
13995 反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:16
1256 
我司是做濕法蝕刻藥水的,所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn),很愿意為大家解答。謝謝!QQ:278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過(guò)程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
`請(qǐng)問(wèn)PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
目前,印刷電路板(pcb)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中,濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過(guò)程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過(guò)程旨在去除微粒,而另一些則是去除有機(jī)和/或無(wú)機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
`書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào):JFSJ-21-045作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào):JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào):JFSJ-21-044作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:濕法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情,請(qǐng)加V獲取:hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個(gè)蝕刻步驟中的第一個(gè)用于確定蝕刻深度,它可以通過(guò)幾種
2021-07-07 10:24:07
黃金。以上只是基于實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ),實(shí)驗(yàn)設(shè)備也比較簡(jiǎn)陋,如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進(jìn)行蝕刻工藝,效果會(huì)有明顯的提高,南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿足要求,使清洗達(dá)到事半功倍的效果。 如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個(gè)主要的工藝更改,這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先,我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
:MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝,可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性,此外,它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑(例如過(guò)氧化氫 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蝕刻的種類要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-04-05 19:27:39
操作,并具備對(duì)PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力; 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕;離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計(jì)算機(jī)操作,具備相關(guān)專業(yè)英語(yǔ)閱讀能力; 6、工作認(rèn)真細(xì)致、有
2012-12-19 22:42:16
。蝕刻工藝對(duì)設(shè)備狀態(tài)的依賴性極大,故必需時(shí)刻使設(shè)備保持在良好的狀態(tài)?!窘饷軐<?V信:icpojie】 目前﹐無(wú)論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側(cè)邊線條和高質(zhì)量的蝕刻效果
2017-06-23 16:01:38
實(shí)例是用臭氧而非大量硫酸和過(guò)氧化氫取代濕法蝕刻工藝。雖然該項(xiàng)目是由一個(gè)制造廠發(fā)起的,但在分享這主意和在化學(xué)品消耗、環(huán)境影響、工作更安全等的成果后,多個(gè)其他廠也采用了。
2018-10-26 08:53:09
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程,該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓,也稱為基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料層,以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ);最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 一.蝕刻的種類 要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
納米磁性薄膜材料的濕法工藝馮則坤,何華輝關(guān)鍵詞:納米薄膜,磁性材料,電鍍摘 要:介紹了納米磁性薄膜材料特性、類型,綜述了近年來(lái)興起的濕法工藝及其用濕法
2010-02-07 16:42:46
37 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前,集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì),許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù),但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題,因
2010-03-30 16:43:08
1181
評(píng)論