?收購）的UF3N170400B7S?JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET，為過流保護電路、DC-AC逆變器、開關(guān)電源?、功率因數(shù)校正模塊、電機驅(qū)動
2022-04-29 16:36:30
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(SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:242172 
美國新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產(chǎn)品。
2019-03-20 09:19:281750 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC于3月21日宣布達成與ADI公司（Analog Devices）的戰(zhàn)略投資和長期供應(yīng)協(xié)議，具體條款尚未公布。
2019-03-22 00:34:33963 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019-12-10 13:45:241799 ，也點燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點。 ? 目前各大廠都運用不同
2021-05-10 16:00:572569 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
點研究內(nèi)容,廣泛地分析了3GPP(第三代合作伙伴計劃)提出的一系列相關(guān)安全協(xié)議及技術(shù)規(guī)范,給出了基于獨立同分布概率理論的認證數(shù)據(jù)流量數(shù)學(xué)分析模型。該文分析了現(xiàn)存3GPP安全協(xié)議在用戶接入過程中存在的單向
2010-04-24 09:25:49
的上限。SiC晶體管的出現(xiàn)幾乎消除了IGBT的開關(guān)損耗，以實現(xiàn)類似的導(dǎo)通損耗（實際上，在輕載時更低）和電壓阻斷能力，除了降低系統(tǒng)的總重量和尺寸外，還能實現(xiàn)前所未有的效率?！ ∪欢c大多數(shù)顛覆性技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當(dāng)時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點公司及產(chǎn)品進展：歐美出于對我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對我國進行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
，我這暴脾氣......。從最初應(yīng)用算起，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展了三代，第一代是四五十年代開始以鍺、硅為代表的IV族半導(dǎo)體材料逐步發(fā)展起來，推動人類進入電子時代晶體管收音機就是那個時代的產(chǎn)物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評估板是第三代完全集成的3端口開關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代無線通信模塊
產(chǎn)品描述
【產(chǎn)品特點:】配我們公司專門的高增益8.5cm棒狀天線，開闊地距離可以達到700-1000米！
(1) 配置我們
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術(shù)。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標準。當(dāng)前有100多個國家的1億多人采用GSM，有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過一個透鏡來進行光傳遞，是通過將幾十個高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術(shù)，紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場場紅外技術(shù)新革命，引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠的方向發(fā)展，給安防市場制造著一個又一個亮點。紅外技術(shù)早在60年代初期由美國貝爾實驗室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無限技術(shù)，無限流量隨便使用。擁有強大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語音幫車主解決很多行車問題。行車
2019-01-08 15:44:58
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
瑞士微型數(shù)字傳感器生產(chǎn)商Sensirion公司推出第三代MEMS流量傳感器，用于對微流體系統(tǒng)的流量進行數(shù)字化測量?！ ⌒滦蚈EM傳感器通過使用OEM組件，原有微流體產(chǎn)品范圍得到擴大。組件價格優(yōu)惠
2018-10-26 16:29:10
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
近日，華碩正式發(fā)布EeePCShell貝殼機，標志上網(wǎng)本市場正式進入第三代。華碩EeePC全球產(chǎn)品經(jīng)理吳南磬表示，今后的每款EeePC在設(shè)計之初都將預(yù)留3G模塊的位置，并透露EeePC與傳統(tǒng)筆記本將
2009-07-01 22:40:05
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
什么是第三代移動通信答復(fù)：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場深刻的革命，這對網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），以進一步降低損耗。以下為示例。下一次計劃詳細介紹全SiC功率模塊的特點和優(yōu)勢。關(guān)鍵要點
2018-11-27 16:38:04
DMOS結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的全SiC功率模塊BSM180D12P2C101、以及采用第三代溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET的BSM180D12P3C007的開關(guān)損耗比較結(jié)果。相比IGBT，第二代的開關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
第三代移動通信的提出IMT-2000是第三代移動通信系統(tǒng)（3G）的統(tǒng)稱第三代移動通信系統(tǒng)最早由國際電信聯(lián)盟（ITU）1985年提 出，考慮到該系統(tǒng)將于2000年左右進入商用市場，工作的頻段在
2009-06-14 19:32:36
代替了電子管第三代計算機（1965-1970）以中小規(guī)模集成電路取代了晶體管第四代計算機（1971-至今）采用大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路第五代計算機（智能計算機）特點是模擬人類神...
2022-01-06 08:22:49
已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上?？梢哉f第三代半導(dǎo)體就是未來功率器件的發(fā)展方向。全國兩會近日剛落下帷幕，第三代半導(dǎo)體（GaN和SiC）再度成為兩會的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
基于第三代移動通信系統(tǒng)標準的ALC控制方案的設(shè)計與實現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
性能。 能滿足第三代智能卡尺寸要求的FCOS封裝 英飛凌公司與德國智能卡制造商Giesecke & Devrient推出的用于智能卡的FCOS封裝可滿足新型第三代智能卡（UICC）對尺寸
2018-08-24 17:06:08
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時
2023-02-28 17:13:35
客戶采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規(guī)格等在內(nèi)，已經(jīng)實現(xiàn)近50個機型的量產(chǎn)供應(yīng)。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數(shù)字表示各代。－那么接下來請您介紹一下第三代SiC
2018-12-03 15:11:25
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
淺析第三代移動通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
具有明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優(yōu)點
2023-02-27 14:28:47
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向
第三代(
3G)標準的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的
3G發(fā)射機關(guān)鍵
技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機的設(shè)計和測得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機IC進行展示和說明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
導(dǎo)讀：蘋果第三代AirPods預(yù)計會在今年年底前上市?！ ?月24日，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈最新消息，蘋果正在準備第三代AirPods，預(yù)計會在今年年底前上市，而今年3月份蘋果剛剛發(fā)布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優(yōu)勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
，160 mOhm，280 mOhm和450 mOhm。對于1200 V的新型第三代MOSFET，已經(jīng)為PCIM發(fā)布了40 mOhm的電壓，而在1200 V時，將繼而推出30 mOhm和22 mOhm的功率
2019-10-25 10:01:08
文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 UJ3N120035K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電
2023-05-15 09:45:15
UJ3N120070K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3N120070K3S 是一款 1200 V、70 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)
2023-05-15 09:57:00
第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點
2010-03-18 09:55:0417 Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負載進行了優(yōu)化，具有8到40個強大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
第三代移動通信常識
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫，指第三代移動通信技術(shù)。相對
2009-06-01 21:03:572479 萊迪思半導(dǎo)體公司日前宣布推出其第三代混合信號器件，Platform Manager系列。通過整合可編程模擬電路和邏輯，以支持許
2010-10-18 08:49:24711 LatticeECP3系列是來自萊迪思半導(dǎo)體公司的第三代高價值的FPGA，在業(yè)界擁有SERDES功能的FPGA器件中，它具有最低的功耗和價格
2011-03-23 10:41:36981 據(jù)一向不靠譜的臺灣媒體DigiTimes報道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16625 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 科銳（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列，為電動汽車動力傳動系統(tǒng)帶來性能突破。
2018-07-19 10:17:593499 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問題，小編認真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548 深圳愛仕特科技公司第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品宣傳冊
2021-03-16 16:18:5934 第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇，論壇上國星光電宣布將緊抓國產(chǎn)化機遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:102719 UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:1317 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573458 
許多人選擇“七”這個數(shù)字是因為它的“幸運”屬性，而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因為七個引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。
2022-08-01 14:42:36744 表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:35576 
UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設(shè)計選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計工程師只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 2021?年?11?月， Qorvo? 收購 領(lǐng)先的碳化硅?(SiC)?功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。對 UnitedSiC 的收購
2022-11-30 10:55:02335 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個開關(guān)位置并聯(lián)三個器件。
2022-12-12 09:25:09446 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
－進入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
仿真器可以提供許多信息，但無法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計，也無法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會損壞。這就是在線 FET-Jet 計算器的優(yōu)勢所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:02259 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
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