CAT34TS02 溫度 傳感器 mikroBUS? Click? 平臺(tái)評(píng)估擴(kuò)展板
2024-03-14 22:03:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 使用SC584外擴(kuò)DDR3，no_boot啟動(dòng)模式，開(kāi)發(fā)環(huán)境CCES-2.2.0版本，在線調(diào)試過(guò)程，程序可正常下載，但是在A5預(yù)加載過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)SYS_FAULT拉高現(xiàn)象，經(jīng)實(shí)際匯編單步調(diào)試發(fā)現(xiàn)
2024-01-12 08:11:46
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用，但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào)，對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24
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時(shí)鐘頻率：可通過(guò)倍頻技術(shù)升級(jí)的核心頻率。時(shí)鐘頻率可以理解為IO Buffer的實(shí)際工作頻率，DDR2中時(shí)鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時(shí)鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
法人方面解釋說(shuō)：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 本文是IIC總線的實(shí)際應(yīng)用，將帶領(lǐng)讀者一步一步閱讀AT24C02數(shù)據(jù)手冊(cè)，看時(shí)序圖了解如何使用IIC接口EEPROM存儲(chǔ)模塊AT24C02，并編寫(xiě)代碼使用STM32驅(qū)動(dòng)這個(gè)模塊。
2023-10-26 14:25:26747 
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫I(mǎi)DDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱(chēng)都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
時(shí)，就需要外擴(kuò)DDR SRAM二級(jí)存儲(chǔ)來(lái)滿(mǎn)足需求。
本期的主角盤(pán)古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來(lái)完成二級(jí)存儲(chǔ)的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型號(hào)為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個(gè)問(wèn)題點(diǎn),當(dāng)然其它3W，2H是基本點(diǎn)。
2023-09-15 11:42:37757 
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性，以?xún)?yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 ；
支持千兆以太網(wǎng)接口、2個(gè)CAN接口、2個(gè)USB2.0接口、6個(gè)UART功能接口；
內(nèi)置128MB DDR3，支持256MB Nand Flash和4G eMMC存儲(chǔ)；
核心板采用郵票孔方式連接，尺寸
2023-09-09 18:07:13
本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目：DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫(xiě)。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶(hù)接口的讀寫(xiě)方式：《DDR3讀寫(xiě)測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫(xiě)DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí)，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供，請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱(chēng)呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱(chēng)呼。
2023-07-16 15:27:103362 
EEPROM 仿真庫(kù)類(lèi)型 T02（微型），歐洲版本 Rev.1.10
2023-07-05 20:05:100 DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
Labview T通過(guò)CH341如何讀寫(xiě) CAT24C32 這個(gè)EEPROM.
2023-06-27 15:31:13
1.DDR3 IP簡(jiǎn)單讀寫(xiě)測(cè)試實(shí)驗(yàn)例程
1.1** 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?*
MES22GP 開(kāi)發(fā)板上有一片 Micron 的 DDR3（MT41K256M16 TW107：P）內(nèi)存組件，擁有 16bit 位寬
2023-06-25 17:10:00
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿(mǎn)足存儲(chǔ)需求，因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿(mǎn)足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫(xiě)控制，了解其工作原理和用戶(hù)接口。
二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PGL50H 為用戶(hù)提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
TSYS02P溫度傳感器是16位分辨率數(shù)字式，可測(cè)量其環(huán)境溫度并將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電子數(shù)據(jù)以記錄、監(jiān)控或發(fā)出溫度變化信號(hào)。
2023-05-22 09:20:19413 
MES50HP 開(kāi)發(fā)板簡(jiǎn)介
MES50HP 開(kāi)發(fā)板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號(hào)為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
TS118-3紅外溫度傳感器應(yīng)用于醫(yī)療和工業(yè)市場(chǎng)的溫度測(cè)量。 這些數(shù)據(jù)對(duì)于從患者生命體征監(jiān)測(cè)到關(guān)鍵工業(yè)機(jī)械狀況監(jiān)測(cè)的應(yīng)用至關(guān)重要。TS118-3傳感器從距物體零點(diǎn)幾英寸到幾英尺之外檢測(cè)物體發(fā)射的紅外
2023-05-19 10:47:50462 
基于51單片機(jī)的iic--24c02EEPROM讀寫(xiě)例程源代碼
2023-05-18 09:55:513 你好 ：
專(zhuān)家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
基于51單片機(jī)的iic--24c02EEPROM讀寫(xiě)例程源代碼
2023-05-12 16:44:090 在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
IC MUX/DEMUX DDR3 1:2 42WQFN
2023-04-06 11:36:35
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
TS-KG02NT產(chǎn)品名稱(chēng)：6*6方頭支架操作方式：側(cè)按溫度范圍：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包裝方式：散裝最小包裝：1000/PCS ?
2023-04-04 16:57:090 TS-KG02ST產(chǎn)品名稱(chēng)：6*6方頭貼片操作方式：正按溫度范圍：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包裝方式：散裝最小包裝：1000/PCS ?
2023-04-04 16:55:480 TS-KG02VA產(chǎn)品名稱(chēng)：6*6邊三腳操作方式：側(cè)按溫度范圍：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包裝方式：散裝最小包裝：1000/PCS?
2023-04-04 16:54:390 TS-KG02N產(chǎn)品名稱(chēng)：6*6支架操作方式：側(cè)按溫度范圍：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包裝方式：散裝最小包裝：1000/PCS ?
2023-04-04 11:13:290 TS-KG02產(chǎn)品名稱(chēng)：6*6插件操作方式：正按溫度范圍：-25°C TO +70°C克力:160gf/260gf包裝方式：散裝最小包裝：1000/PCS ?
2023-04-04 11:09:280 SITE LICENSE IP CORE DDR3 ECP3
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
DPU02是一個(gè)高度集成的USB轉(zhuǎn)UART的橋接控制器，該產(chǎn)品提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的解決方案，可將RS-232設(shè)計(jì)更新為USB設(shè)計(jì)，并簡(jiǎn)化PCB組件空間。該DPU02包括了一個(gè)USB 2.0全速功能控制器
2023-03-30 10:49:17389 
TS3DDR4000 - Interface, 2:1 Multiplexer Evaluation Board
2023-03-29 22:56:49
TS02NT
2023-03-29 18:01:58
AT34C02 - EEPROM, 256X8, SERIAL
2023-03-27 13:23:46
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