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• 二極管選型這些參數(shù)你都知道嗎？

  大家都知道二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦?。但是由于二極管存在半導(dǎo)體體電阻和引線電阻，所以當(dāng)外加正向電壓時，在電流相同的情況下，二極管的端電壓大于PN結(jié)上的壓降；...

  968次閱讀 · 0評論 二極管電阻半導(dǎo)體電容
  

• 淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢

  新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破，成功地生長出了GaN 多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。...

  1054次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體
  

• 運(yùn)算放大器負(fù)壓產(chǎn)生電路設(shè)計(jì)分析

  大概就是利用了電容兩端電壓不能突變的原理，MT3608是一個升壓芯片，VBUS是USB處取的5V，然后通過MT3608升壓到15V，并且額外通過二極管和電容，產(chǎn)生一個負(fù)壓，然后過79L12（負(fù)壓LDO芯片，注意不是78L12），穩(wěn)壓到-12V給運(yùn)算放大器使用。...

  1537次閱讀 · 0評論 二極管示波器運(yùn)算放大器信號發(fā)生器
  

• 詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理

  IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。 你可以看到輸入側(cè)代表具有柵極端子的 MOS管，輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的 BJT。...

  4248次閱讀 · 0評論 MOS管IGBT晶體管PMOS開關(guān)器件
  

• 關(guān)于TVS漏電流的問題分析

  　對于一些面板上的撥碼開關(guān)等電路，為了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過大，以致上拉電阻上的壓降過大，從而造成高電平過低，不能達(dá)到CMOS的高電平閾值。...

  2566次閱讀 · 0評論 CMOSTVSTVS管漏電流
  

• 電阻選型的關(guān)鍵參數(shù)分析 5點(diǎn)搞透電阻選型

  歐姆(Georg Simon 0hm，1787~1854年)是德國物理學(xué)家。生于巴伐利亞埃爾蘭根城。歐姆定律及其公式的發(fā)現(xiàn)，給電學(xué)的計(jì)算，帶來了很大的方便。 人們?yōu)榱思o(jì)念他，將電阻的單位定為歐姆，簡稱“歐” 。...

  1619次閱讀 · 0評論 led電阻電阻器額定電壓光敏電阻
  

• 南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

  功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后，隨著氮化鎵器件成本的下降和可靠性的提高，氮化鎵器件具有的高頻開關(guān)性能和低導(dǎo)通阻抗成為下一代電源適配器的關(guān)鍵技術(shù)。...

  561次閱讀 · 0評論 MOS功率器件氮化鎵AC-DC驅(qū)動電壓
  

• 科達(dá)嘉工業(yè)級一體成型電感與車規(guī)級一體成型電感的區(qū)別

  下面以一體成型電感CSAB系列（工業(yè)品）、車規(guī)級一體成型電感VSHB系列（車規(guī)品）為例做對比，讓大家對科達(dá)嘉車規(guī)品和工業(yè)品有更加直觀的了解。...

  699次閱讀 · 0評論 汽車電子電感磁性元件電流電感
  

• 一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

  氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。...

  958次閱讀 · 0評論 新能源汽車射頻功率器件氮化鎵Micro LED
  

• 電機(jī)設(shè)計(jì)應(yīng)用中電感的原理詳解

  電感是自感和互感的總稱，只存在單個線圈時，電感就是指自感。必須至少存在兩個線圈才能討論互感和漏感。 當(dāng)線圈中通入電流時，會產(chǎn)生磁場，這種反映線圈產(chǎn)生磁場能力強(qiáng)弱的物理量稱為自感系數(shù)，簡稱自感。...

  3520次閱讀 · 0評論 磁場電感器電機(jī)電感PMSM

• ZPDN-Z1208C-S005光電二極管陣列概述

  光電二極管陣列 型號:ZPDN-Z1208C-S005 ZPDN-Z1208C-S005 是一個由6個高靈敏度硅光電二極管安裝在PCB上組成 的陣列,該裝置與紅外發(fā)射二極管相匹配。...

  783次閱讀 · 0評論 二極管pcb編碼器服務(wù)器光電二極管
  

• 同步電路和異步電路的區(qū)別是什么？基本放大電路的種類及優(yōu)缺點(diǎn)

  　　同步電路：存儲電路中所有觸發(fā)器的時鐘輸入端都接同一個時鐘脈沖源，因而所有觸發(fā)器的狀態(tài)的變化都與所加的時鐘脈沖信號同步。...

  1350次閱讀 · 0評論 fpgaasic放大電路觸發(fā)器異步電路

• 電阻詳細(xì)基礎(chǔ)知識大全

  電阻的種類有很多，從材料上劃分，線繞型、非線繞型，非線繞型又分為合成型、薄膜型；從用途上劃分，通用型、精密型、高阻型、功率型、高壓型、高頻型；還有一類特殊用途劃分，熱敏電阻、光敏電阻、力敏電阻、濕敏電阻、壓敏電阻、氣敏電阻、熔斷電阻等。...

  4871次閱讀 · 0評論 電阻元器件電阻器熱敏電阻光敏電阻
  

• IGBT雙脈沖測試的意義和原理

  對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；...

  6747次閱讀 · 0評論 二極管電流IGBT驅(qū)動電阻
  

• 常用功率半導(dǎo)體器件知識匯總總結(jié)

  晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍?，F(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV / 6kA的光觸發(fā)晶閘管(LTT)。美國和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。...

  1114次閱讀 · 0評論 晶閘管MOS功率器件射頻芯片半導(dǎo)體器件
  

• 車規(guī)級SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展

  隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場將迎來前所未有的增速。...

  685次閱讀 · 0評論 新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體充電樁功率芯片
  

• 基于MMBT3904L三極管的共射極放大電路

  三極管還是使用前面分析過的MMBT3904L，直流電源給15V，輸入信號VG1為Vpp=2V，f=100MHz的正弦波，基極給100k/22k分壓得到2.7V偏置電壓，集電極給10k上拉電阻，發(fā)射極給2k下拉電阻。...

  1816次閱讀 · 0評論 三極管直流電源偏置電阻耦合電容
  

• 電路反饋對電路分析的作用在哪些？

  在實(shí)際電路怎么判定之前，先把結(jié)論拿出來： 無論是輸入端還是輸出端，串聯(lián)拓?fù)涮岣呦鄳?yīng)端口的阻抗，并聯(lián)拓?fù)浣档拖鄳?yīng)端口的阻抗；...

  907次閱讀 · 0評論 放大器電流反饋反饋網(wǎng)絡(luò)電路反饋
  

• 淺析常見共射極放大電路的輸出阻抗

  一般情況下，放大電路的輸出阻抗如無特別說明。都是指交流信號而言的。其次，我們可將三極管看成一個受基極電流控制的電流源，故上圖可等效為下圖...

  1590次閱讀 · 0評論 三極管放大電路輸出阻抗共射極放大電路
  

• 深入理解信號完整性理論方面的基礎(chǔ)知識

  100 MHz 時鐘產(chǎn)生后，從信號驅(qū)動器芯片輸出的兩種波形：沒有外加引出連線（平滑曲線）的情況和輸出端連接一段2 in長的PCB線條（振鈴曲線）的情況。...

  2192次閱讀 · 0評論 pcb信號完整性數(shù)字信號矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀信號失真
  
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