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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高頻大功率變換——固態(tài)變壓器應(yīng)用案例剖析

在傳統(tǒng)的配電網(wǎng)結(jié)構(gòu)中，工頻變壓器是實(shí)現(xiàn)電能分配和電壓等級變換的主要電氣設(shè)備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效...

2024-05-17 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET SiC 4450 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān)，開關(guān)速度非?？欤?秒可以開關(guān)上千次(kHz)，高速功率器件可達(dá)到幾十kHz，甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 4418 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器 SiC 氮化鎵 4413 0

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 4391 0

高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~4...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC SiC MOSFET 4382 0

SiC MOS器件柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)

除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅(jiān)固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力。

2022-06-30 標(biāo)簽：SiC Fit SiC功率器件 4363 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4346 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 4287 0

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被...

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 4273 0

什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4258 0

物理氣相傳輸法生長SiC晶圓中的缺陷和測試

和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級的點(diǎn)缺陷；位錯；堆垛層錯；以及...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 4219 0

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關(guān)、高溫...

2023-02-06 標(biāo)簽：電路 MOSFET SiC 4194 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 4162 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生長、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 標(biāo)簽：SEM SiC TEM 4144 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽：纖維 SiC 復(fù)合材料 4134 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 4133 0

關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-30 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 4127 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 4108 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 4094 0

詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)

　　帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬　　A.Kanale和B.J.Baliga，“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 4065 0

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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